IGBT modulis YMIF250-65, Augsta sprieguma, vienkāršs IGBT,CRRC

Parametrs

Sīkāku informāciju

Apstākļi

min

max

Drošības un drošības politika

Sadarbības partneris spriegums

V Tips

V ĢEN =0V,T vj ≥ 25°C

6500

V

DC kolektora strāva

I C

T C =80°C

250

A

Sildītāja maksimālais strāvas daudzums

I CM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

V =150 °C

-20

20

V

Kopējais jauda zudums

P tot

T C =25°C,perswitch(IGBT)

3200

Platums

DC priekšējā strāva

I F

250

A

Pīķa uz priekšu pašreiz

I Diodes uzpriekšējā strāva

tP=1ms

500

A

IGBT īss īpašums SOA

t pSc

V CC =4400V,V CEMCHIP ≤ 6500V V ĢEN ≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μ s

Izolācijas spriegums

V izoli

1 min, f=50 Hz

10200

V

Junkcijas temperatūra

T vj

125

°C

Junkcijas darba temperatūra

T vj(op)

-50

125

°C

Korpusa temperatūra

T C

-50

125

°C

Uzglabāšanas temperatūra

T sTG

-50

125

°C

Montāžas griezes momenti

Lūdzu

4

6

Nm

M T1

8

10

Parametrs

Sīkāku informāciju

Apstākļi

Min

tips

max

Drošības un drošības politika

Kolektors (- emiters) pārtraukuma spriegums

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

Sadarbības partneris saturācija spriegums

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

Kolektors izslēgšanas strāva

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj=125°C

50

mA

Vārsts svārstīšanās strāva

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

nA

Vārda emitenta slieksnis spriegums

V GE (š)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

Slēgšanas kavējuma laiks

t d ((on)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

感性负载

TVj = 25 °C

1

μ s

TVj = 125 °C

0.94

Pieaugums laiks

tr

TVj = 25 °C

0.76

TVj = 125 °C

0.81

Izslēgšanas kavējuma laiks

t d(izslēgt)

TVj = 25 °C

3.9

μ s

TVj = 125 °C

4.2

Nolieku laiks

t f

TVj = 25 °C

2.2

TVj = 125 °C

2.8

Slēpšanas pārvēršana zudumu enerģija

EON

TVj = 25 °C

3081

mJ

TVj = 125 °C

3900

Izslēgtas zudumu enerģija

E izslēgt

TVj = 25 °C

2100

mJ

TVj = 125 °C

1236

Īslaicīgs circuit current

I SC

tpsc ≤ 10μ s, V ĢEN

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

TVj = 125 °C

940

A