IGBT modulis GD950HTX75P6H Srarpower

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

750

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T CN

Izmantotais kolektors Cu īr

950

A

T C

Kolektora strāva @ T F =75o C

450

A

T CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1900

A

P D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75o C T vj =175o C

877

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

750

V

T FN

Izmantotais kolektors Cu īr

950

A

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

T FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1900

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta

Jo 10 sekundēm laikposmā 30s, notikums maksimāli 3000 reizes gar laiku

-40 līdz +150 +150 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.35

1.60

V

T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

1.60

T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

1.65

T C =950A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.75

T C =950A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

2.35

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =9.60mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

4.9

5.8

6.5

V

T C =9.60mA ,V CE =V ĢEN , T vj =175 o C

4.1

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

1.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

0.7

ω

C 125 °C

Ies

V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V

69.1

mHz

C ejs

Izvades jauda

2.31

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.05

mHz

Q G

NF

V CE =400V, I C = 450A, V ĢEN =-8...+15V

3.29

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, Stienis G =2,4Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, L S =24nH,

T vj =25o C

191

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

83

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

543

ns

t f

Nolieku laiks

158

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

16.8

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

20.5

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, Stienis G =2,4Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, L S =24nH,

T vj =150o C

207

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

96

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

594

ns

t f

Nolieku laiks

190

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

22.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

24.5

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, Stienis G =2,4Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, L S =24nH,

T vj =175o C

208

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

103

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

613

ns

t f

Nolieku laiks

190

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

26.7

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

26.9

mJ

T SC

SC dati

t P ≤6μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

4800

A

T vj =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

T F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.35

T F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

1.30

T F =950A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.75

T F =950A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

1.75

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=5520A/μs,V ĢEN =-8V L S =24nH ,T vj =25o C

16.4

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

222

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

4.50

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=4810A/μs,V ĢEN =-8V L S =24nH ,T vj =150o C

32.2

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

283

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

8.19

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis =400V, I F = 450A,

-di/dt=4630A/μs,V ĢEN =-8V L S =24nH ,T vj =175o C

36.3

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

292

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

9.03

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no Stienis 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

L CE

Neatklāta induktantība

8

nH

Stienis CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10,0 dM 3/min ,T F =75o C

64

bar

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

T atbalsta plāksne <40o C

T atbalsta plāksne 40o C

(relatīvā spiediena)

2.5 2.0

stienis

Stienis tJF

Savienojums -pret -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △V/ △t=10,0 dM 3/min ,T F =75o C

0.098 0.140

0.114 0.160

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars no Modulis

750

g