IGBT modulis, GD950HTX75P6HT Starpower

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

750

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I CN

Izmantotais kolektors Cu īr

950

A

I C

Kolektora strāva @ T F =100 o C

450

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1900

A

P D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75 o C T j =175 o C

1162

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volta ģEN

750

V

I FN

Izmantotais kolektors Cu īr

950

A

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1900

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.35

1.60

V

I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C

1.60

I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175 o C

1.65

I C =950A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.75

I C =950A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175 o C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =9.60 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C

4.9

5.8

6.5

V

I C =9.60 mA ,V CE = V ĢEN , Tj=175 o C

4.1

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

0.7

ω

C 125 °C

Ies

V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V

69.1

mHz

C ejs

Izvades jauda

2.31

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.05

mHz

Q G

NF

V CE =400V, I C = 450A, V ĢEN =-8...+15V

3.29

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, R G =2,4Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, Garums S =24nH,

T j =25 o C

191

ns

t r

Atkāpšanās laiks

83

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

543

ns

t f

Nolieku laiks

158

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

16.8

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

20.5

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, R G =2,4Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, Garums S =24nH,

T j = 150 o C

207

ns

t r

Atkāpšanās laiks

96

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

594

ns

t f

Nolieku laiks

190

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

22.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

24.5

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC =400V, I C = 450A, R G =2,4Ω,

V ĢEN =-8V/+15V, Garums S =24nH,

T j =175 o C

208

ns

t r

Atkāpšanās laiks

103

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

613

ns

t f

Nolieku laiks

190

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

26.7

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

26.9

mJ

I SC

SC dati

t P ≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

4800

A

T j =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.40

1.65

V

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =1 50o C

1.35

I F = 450A,V ĢEN =0V,T j =1 75o C

1.30

I F =950A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.75

I F =950A,V ĢEN =0V,T j =1 75o C

1.75

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =400V, I F = 450A,

-di/dt=5520A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =24 nH ,T j =25 o C

16.4

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

222

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

4.50

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =400V, I F = 450A,

-di/dt=4810A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =24 nH ,T j = 150 o C

32.2

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

283

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

8.19

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R =400V, I F = 450A,

-di/dt=4630A/μs,V ĢEN =-8V Garums S =24 nH ,T j =175 o C

36.3

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

292

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

9.03

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

8

nH

R CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.75

mΩ

p

Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs

T atbalsta plāksne <40 o C

T atbalsta plāksne 40o C

(relatīvā spiediena)

2.5 2.0

bars

R tJF

Savienojums -uz -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojuma-dzesēšanas šķidrums (par Di) ode) △ V/ △ t=10,0 dM 3/min ,T F =75 o C

0.075 0.118

0.086 0.136

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, Skrūve M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Svars of Modulis

750

g