GD820HFA75N6HY

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 820V 750A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
Zemas slēgšanas zudumi
6 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 °C
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Atdalīts medus pins ar DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Automobiļu lietojums
Hibrīda un elektriskā transportlīdzeklis
Inverteris motora vadībai

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	750	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I CN	Izmantotais kolektors Cu īr	820	A
I C	Kolektora strāva @ T F = 95 o C T vj =175 o C	450	A
I CRM	Atkārtošanās Pīķis Kolektors Pašreiz tp ierobežotas ar T vjop	1640	A
P D	Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =65 o C T vj =175 o C	909	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	750	V
I FN	Izmantotais kolektors Cu īr	820	A
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	450	A
I Diodes uzpriekšējā strāva	Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreiz tp ierobežotas ar T vjop	1640	A

Modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
T vjmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	o C
T vjop	Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta	-40 līdz +150	o C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	o C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	2500	V
d Kāpšana	Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu	7.3 7.3	mm
d Skaidrs	Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu	7.3 4.0	mm

IGBT Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =680A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C		1.25	1.50	V
		I C =680A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 o C		1.35
		I C =680A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 o C		1.40
		I C =820A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C		1.30
		I C =820A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 o C		1.50
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =12.9 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 o C	5.5	6.5	7.0	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 o C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Iekšējā vārtu pretestība			1.0		ω
C 125 °C	Ies	V CE =50V,f=100kHz, V ĢEN =0V		72.3		mHz
C ejs	Izvades jauda			1.51		mHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda			0.32		mHz
Q G	NF	V CE =400V, I C =680A, V ĢEN =-10…+15V		4.10		μC
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC =400V, I C = 450A, R G =2,4Ω, Garums S =20 nH ,V ĢEN =-8V/+15V, T vj =25 o C		483		ns
t r	Atkāpšanās laiks			60		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			664		ns
t f	Nolieku laiks			67		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			16.3		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			17.4		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC =400V, I C = 450A, R G =2,4Ω, Garums S =20 nH ,V ĢEN =-8V/+15V, T vj = 150 o C		507		ns
t r	Atkāpšanās laiks			76		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			750		ns
t f	Nolieku laiks			125		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			26.3		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			22.1		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC =400V, I C = 450A, R G =2,4Ω, Garums S =20 nH ,V ĢEN =-8V/+15V, T vj =175 o C		509		ns
t r	Atkāpšanās laiks			79		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			764		ns
t f	Nolieku laiks			139		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			27.6		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			23.0		mJ
I SC	SC dati	t P ≤3μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V		3300		A

Dioda Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =680A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C		1.60	2.05	V
		I F =680A,V ĢEN =0V,T vj = 150 o C		1.60
		I F =680A,V ĢEN =0V,T vj =175 o C		1.55
		I F =820A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C		1.70
		I F =820A,V ĢEN =0V,T vj =175 o C		1.65
Q r	Atgūstamā nodeva	V R =400V, I F = 450A, -di/dt=8350A/μs,L S =20n H, V ĢEN =-8V, T vj =25 o C		12.4		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			273		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			3.45		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V R =400V, I F = 450A, -di/dt=6670A/μs,L S =20n H, V ĢEN =-8V, T vj = 150 o C		27.7		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			319		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			6.51		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V R =400V, I F = 450A, -di/dt=6410A/μs,L S =20n H, V ĢEN =-8V, T vj =175 o C		31.8		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			334		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			7.26		mJ

PTC Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
R	Nomināls Pretestība	T C =0 o C T C = 150 o C		1000 1573		ω ω
T Cr	Temperatūras koeficients n			0.38		%/K
T SH	Paša Apkure	T C =0 o C I m =0.1...0.3mA		0.4		K/mW

Modulis Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		5		nH
p	Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs			2.5	bars
R tJF	Savienojums -uz -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojuma-dzesēšanas šķidrums (par Di) ode) △ V/ △ t=2.67 L/ min ,T F =65 o C		0.105 0.157	0.121 0.181	K/W
M	Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis	3.6 5.4		4.4 6.6	N.m.
G	Svars of Modulis		220		g