GD75PFX170C6SG, IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

T C

Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =100o C

139

75

A

T CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

150

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C

559

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

T F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

75

A

T FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

150

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

2000

V

T O

Vidējā izvades strāva 5 0Hz/60Hz, sinusoida

75

A

T FSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

1440

1206

A

T 2t

T 2t-vērtība,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

10368

7272

A 2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra (inverteris) Maksimālā savienojuma temperatūra (pretējās straumes pārveidotājs)

175

150

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

T C =75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.85

2.20

V

T C =75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

2.25

T C =75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

2.35

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

T C =3.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

T Tips

Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

5.0

mA

T =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

8.5

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

9.03

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.22

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =75A, Stienis G =6.8Ω,V ĢEN =±15V, L S =46nH ,T vj =25o C

236

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

42

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

356

ns

t f

Nolieku laiks

363

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

17.3

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

11.7

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =75A, Stienis G =6.8Ω,V ĢEN =±15V, L S =46nH ,T vj =125o C

252

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

48

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

420

ns

t f

Nolieku laiks

485

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

27.1

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

16.6

mJ

t d (par )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =75A, Stienis G =6.8Ω,V ĢEN =±15V, L S =46nH ,T vj =150o C

275

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

50

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

432

ns

t f

Nolieku laiks

524

ns

E par

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

27.9

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

17.7

mJ

T SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =150o C ,V CC =1000V

,

V CEM ≤ 1700V

300

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T F =75A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

T F =75A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.90

T F =75A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.95

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V ĢEN =-15V L S =46nH ,T vj =25o C

10.3

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

84

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

7.44

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V ĢEN =-15V L S =46nH ,T vj =125o C

20.5

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

87

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

16.1

mJ

Q stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V ĢEN =-15V L S =46nH ,T vj =150o C

22.5

μC

T RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

97

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

19.2

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

T C =75A, T vj =150o C

0.95

V

T Stienis

Atpakaļgaitas strāva

T vj =150o C ,V Stienis =2000V

3.0

mA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no Stienis 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis tJC

Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT -inverters ) Saistība starp savienojumu un korpusu (katram DĪODA-invertoru er) Savinieks-līdz sargkorpuss (katram diodam-retif ier)

0.268 0.481 0.289

K/W

Stienis tCH

Gadījums -pret -Siltumapdalītājs (perIGBT -inverters )Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-i nverters) Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-re ctifiers) Izmērs: Modulis)

0.106 0.190 0.114 0.009

K/W

M

Monta griezes moments, Šķirbju:M5

3.0

6.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g