GD75PFX170C6SG, IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva @ T C=25o C @ T C=100o C

139

75

A

ICm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

150

A

PD

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C

559

V

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

IF

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

75

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

150

A

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

2000

V

IO

Vidējā izvades strāva 5 0Hz/60Hz, sinusoida

75

A

IFSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

1440

1206

A

I2t

I2t-vērtība,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

10368

7272

A2s

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra (inverteris) Maksimālā savienojuma temperatūra (pretējās straumes pārveidotājs)

175

150

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

IC=75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

2.25

IC=75A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C

2.35

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=3.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ITips

Kolektors Griezts —Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

5.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

8.5

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

9.03

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.22

mHz

J G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=75A, R G=6.8Ω,V ĢEN =±15V, LS =46nH ,T vj =25o C

236

ns

t r

Atkāpšanās laiks

42

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

356

ns

t f

Nolieku laiks

363

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

17.3

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

11.7

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=75A, R G=6.8Ω,V ĢEN =±15V, LS =46nH ,T vj =125o C

252

ns

t r

Atkāpšanās laiks

48

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

420

ns

t f

Nolieku laiks

485

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

27.1

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

16.6

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=75A, R G=6.8Ω,V ĢEN =±15V, LS =46nH ,T vj =150o C

275

ns

t r

Atkāpšanās laiks

50

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

432

ns

t f

Nolieku laiks

524

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

27.9

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

17.7

mJ

ISC

SC dati

t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =150o C,V CC =1000V

,

V CEM ≤ 1700V

300

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IF =75A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.90

IF =75A,V ĢEN =0V,T vj =150o C

1.95

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V ĢEN =-15V LS =46nH ,T vj =25o C

10.3

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

84

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

7.44

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V ĢEN =-15V LS =46nH ,T vj =125o C

20.5

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

87

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

16.1

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V ĢEN =-15V LS =46nH ,T vj =150o C

22.5

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

97

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

19.2

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IC=75A, T vj =150o C

0.95

V

IR

Atpakaļgaitas strāva

T vj =150o C,V R =2000V

3.0

mA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/501/T 2— 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/801/T 2— 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/1001/T 2— 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

R tJC

Savienojums —līdz —Gadījums (perIGBT —inverters ) Saistība starp savienojumu un korpusu (katram DĪODA-invertoru er) Savinieks-līdz sargkorpuss (katram diodam-retif ier)

0.268 0.481 0.289

K/W

R tCH

Gadījums —līdz —Siltumapdalītājs (perIGBT —inverters )Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-i nverters) Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-re ctifiers) Izmērs: Modulis)

0.106 0.190 0.114 0.009

K/W

M

Monta griezes moments, Šķirbju:M5

3.0

6.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g