Jauns atgādinājums. :F vai vairāk IGBT Discrete , lūdzu, nosūtiet e-pastu.
Iespējas
Tipiska Lietojumi
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Drošības un drošības politika |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
I C |
Kolektora strāva @ T C =25 o C @ T C = 110o C |
50 25 |
A |
I CM |
Impulsu kolektora strāva t p ierobežots ar T jmax |
100 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o C |
573 |
Platums |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Drošības un drošības politika |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1200 |
V |
I F |
Diodes nepārtraukta priekšējā strāva @ T C = 110o C |
25 |
A |
I FM |
Dioda Maksimālā Uz priekšu Pašreiz t p ierobežotas ar T jmax |
100 |
A |
Diskretas
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Drošības un drošības politika |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +175 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūra Diapazons |
-55 līdz +150 |
o C |
T S |
Saldēšanas temperatūra, 1.6mm no korpusa 10s |
260 |
o C |
M |
Monta griezes moments, Skrūve M3 |
0.6 |
N.m. |
IGBT Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
V CE (sat) |
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums |
I C =25A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C |
|
1.70 |
2.15 |
V |
I C =25A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C |
|
1.95 |
|
|||
I C =25A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C |
|
2.00 |
|
|||
V ĢEN (ts ) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
I C =0.63 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
I Tips |
Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz |
V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
I =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz |
V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
0 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
2.59 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.07 |
|
mHz |
|
Q G |
NF |
V ĢEN =-15...+15V |
|
0.19 |
|
μC |
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =25A, R G =20Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 o C |
|
28 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
17 |
|
ns |
|
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
196 |
|
ns |
|
t f |
Nolieku laiks |
|
185 |
|
ns |
|
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
1.71 |
|
mJ |
|
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
1.49 |
|
mJ |
|
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =25A, R G =20Ω,V ĢEN =±15V, T j =125 o C |
|
28 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
21 |
|
ns |
|
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
288 |
|
ns |
|
t f |
Nolieku laiks |
|
216 |
|
ns |
|
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
2.57 |
|
mJ |
|
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
2.21 |
|
mJ |
|
t d (ieslēgta ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =25A, R G =20Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150 o C |
|
28 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
22 |
|
ns |
|
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
309 |
|
ns |
|
t f |
Nolieku laiks |
|
227 |
|
ns |
|
E ieslēgta |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
2.78 |
|
mJ |
|
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
2.42 |
|
mJ |
|
I SC |
SC dati |
t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
100 |
|
A |
Dioda Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
V F |
Diode uz priekšu Spriegums |
I F =25A,V ĢEN =0V,T j =25 o C |
|
2.20 |
2.65 |
V |
I F =25A,V ĢEN =0V,T j = 125o C |
|
2.30 |
|
|||
I F =25A,V ĢEN =0V,T j = 150o C |
|
2.25 |
|
|||
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 600V,I F =25A, -di/dt=880A/μs,V ĢEN =-15V T j =25 o C |
|
1.43 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums Atgūšanas strāvas |
|
34 |
|
A |
|
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
0.75 |
|
mJ |
|
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 600V,I F =25A, -di/dt=880A/μs,V ĢEN =-15V T j = 125o C |
|
2.4 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums Atgūšanas strāvas |
|
42 |
|
A |
|
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
1.61 |
|
mJ |
|
Q r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 600V,I F =25A, -di/dt=880A/μs,V ĢEN =-15V T j = 150o C |
|
2.6 |
|
μC |
I RM |
Augstais augstums Atgūšanas strāvas |
|
44 |
|
A |
|
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
2.10 |
|
mJ |
Diskretas Raksturlielumi T C =25 o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Drošības un drošības politika |
R tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar korpusu (par Di) ode) |
|
|
0.262 0.495 |
K/W |
R tJN |
Savienojums ar vidi |
|
40 |
|
K/W |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.