Visi kategorijas
Saņemt piedāvājumu

Iegūt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis sazināsies ar jums drīzumā.
E-pasts
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000

IGBT Discrete

IGBT Discrete

Mājas Lapa /  Produkti /  IGBT Diskrēts

DG25X12T2, IGBT diskretas, STARPOWER

1200V,25A

Brand:
STARPOWER
  • Ievads
Ievads

Jauns atgādinājums. :F vai vairāk IGBT diskreta, lūdzu, sūtīt e-pastu.

Īpašības

  • Zema VCE (sat) Grīdas IGBT tEHNOLOĢIJA
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • Zema pārlūknes zaudējumi
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
  • Zema induktivitātes kārta
  • VCE (sat) ar pozitīvs temperatūra koeficients
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Pakete bez svina

Tipiska Lietojumi

  • Inverteris motora vadībai
  • AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
  • Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25o C

@ T C = 110o C

50

25

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p ierobežots ar T jmax

100

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C

573

Platums

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Diodes nepārtraukta priekšējā strāva @ T C = 110o C

25

A

I FM

Dioda Maksimālā Uz priekšu Pašreiz t p ierobežotas ar T jmax

100

A

Diskretas

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Vienība

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +175

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-55 līdz +150

o C

T S

Saldēšanas temperatūra, 1.6mm no korpusa 10s

260

o C

M

Monta griezes moments, Skrūve M3

0.6

N.m.

IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =25A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =25o C

1.70

2.15

V

I C =25A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =125o C

1.95

I C =25A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =150o C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =0.63mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25o C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

2.59

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.07

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15...+15V

0.19

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =25A, R G =20Ω,V ĢEN =±15V, T j =25o C

28

ns

t r

Atkāpšanās laiks

17

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

196

ns

t f

Nolieku laiks

185

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

1.71

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

1.49

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =25A, R G =20Ω,V ĢEN =±15V, T j =125o C

28

ns

t r

Atkāpšanās laiks

21

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

288

ns

t f

Nolieku laiks

216

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

2.57

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

2.21

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =25A, R G =20Ω,V ĢEN =±15V, T j =150o C

28

ns

t r

Atkāpšanās laiks

22

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

309

ns

t f

Nolieku laiks

227

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

2.78

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

2.42

mJ

I SC

SC dati

t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

100

A

Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =25A,V ĢEN =0V,T j =25o C

2.20

2.65

V

I F =25A,V ĢEN =0V,T j = 125o C

2.30

I F =25A,V ĢEN =0V,T j = 150o C

2.25

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ĢEN =-15V T j =25o C

1.43

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

34

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

0.75

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ĢEN =-15V T j = 125o C

2.4

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

42

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

1.61

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ĢEN =-15V T j = 150o C

2.6

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

44

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

2.10

mJ

Diskretas Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

R tJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.262

0.495

K/W

R tJN

Savienojums ar vidi

40

K/W

Iegūt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis sazināsies ar jums drīzumā.
E-pasts
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Saņemt piedāvājumu

Iegūt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis sazināsies ar jums drīzumā.
E-pasts
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000

Iegūt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis sazināsies ar jums drīzumā.
E-pasts
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņa
0/1000