Jauns atgādinājums. :F   vai vairāk IGBT diskreta, lūdzu, sūtīt e-pastu. 
Īpašības 
- 
Zema VCE (sat) Grīdas IGBT tEHNOLOĢIJA 
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja 
- Zema pārlūknes zaudējumi 
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC 
- Zema induktivitātes kārta 
- 
VCE (sat) ar   pozitīvs temperatūra   koeficients 
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD 
- Pakete bez svina 
 
Tipiska  Lietojumi 
- Inverteris motora vadībai 
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs 
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana 
 
Absolūta  Maksimālā  Reitingu rādītāji  T C   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts 
 
IGBT 
 
| Sīkāku informāciju  | Apraksts  | Vērtību  | Drošības un drošības politika  | 
| V Tips  | Sildītājs-izsildītājs  | 1200 | V  | 
| V =150 °C  | Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums  | ±20  | V  | 
| I C    | Kolektora strāva @ T   C   =25 o   C    @ T C   =  110o   C    | 50 25 | A  | 
| I CM  | Impulsu kolektora strāva t   p   ierobežots ar T jmax  | 100 | A  | 
| P   D    | Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o   C    | 573 | Platums    | 
Dioda 
| Sīkāku informāciju  | Apraksts  | Vērtību  | Drošības un drošības politika  | 
| V RRM  | Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums  | 1200 | V  | 
| I F    | Diodes nepārtraukta priekšējā strāva @ T   C   =  110o   C    | 25 | A  | 
| I FM  | Dioda  Maksimālā  Uz priekšu  Pašreiz   t p    ierobežotas  ar  T jmax  | 100 | A  | 
 
Diskretas 
 
| Sīkāku informāciju  | Apraksts  | Vērtības  | Drošības un drošības politika  | 
| T žop  | Darbības savienojuma temperatūra  | -40 līdz +175  | o   C    | 
| T STG  | Uzglabāšanas temperatūra   Diapazons  | -55 līdz +150  | o   C    | 
| T S  | Saldēšanas temperatūra, 1.6mm no korpusa  10s  | 260 | o   C    | 
| M  | Monta griezes moments,  Skrūve M3  | 0.6 | N.m.  | 
IGBT  Raksturlielumi  T C   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts 
 
| Sīkāku informāciju  | Parametrs    | Testēšanas apstākļi  | Min.  | Tips.  | Max.  | Drošības un drošības politika  | 
|     V CE (sat)  |     Saņēmējs - emitents  Sātumapstrādes spriegums  | I C   =25A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums  T j =25 o   C    |   | 1.70 | 2.15 |     V  | 
| I C   =25A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums  T j =125 o   C    |   | 1.95 |   | 
| I C   =25A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums  T j = 150 o   C    |   | 2.00 |   | 
| V ĢEN (ts ) | Vārda emitenta slieksnis  Spriegums    | I C   =0.63 mA ,V CE   = V ĢEN , T j =25 o   C    | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V  | 
| I Tips  | Kolektors  Izgriežts -Izslēgt  Pašreiz  | V CE   = V Tips ,V ĢEN =0V,  T j =25 o   C    |   |   | 1.0 | mA  | 
| I =150 °C  | Izslēguma emitenta noplūde  Pašreiz  | V ĢEN = V =150 °C ,V CE   =0V, T j =25 o   C    |   |   | 400 | nA  | 
| R Gint  | Iekšējā vārtu pretestība - - - -  |   |   | 0 |   | ω  | 
| C   125 °C  | Ies  | V CE   =25V, f=1MHz,  V ĢEN =0V  |   | 2.59 |   | mHz  | 
| C   pretestība  | Atgriezītais pārvedums  Jauda  |   | 0.07 |   | mHz  | 
| Q   G    | NF  | V ĢEN =-15...+15V  |   | 0.19 |   | μC  | 
| t d   (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks  |     V CC = 600V,I C   =25A,    R G   =20Ω,V ĢEN =±15V,  T j =25 o   C    |   | 28 |   | ns  | 
| t r  | Atkāpšanās laiks  |   | 17 |   | ns  | 
| t d   (izslēgt ) | Izslēgt  Atlikušais laiks  |   | 196 |   | ns  | 
| t f    | Nolieku laiks  |   | 185 |   | ns  | 
| E ieslēgta  | Slēgt  Pārslēgšana  Zaudējumi  |   | 1.71 |   | mJ  | 
| E izslēgt  | Izslēgtas  Zaudējumi  |   | 1.49 |   | mJ  | 
| t d   (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks  |     V CC = 600V,I C   =25A,    R G   =20Ω,V ĢEN =±15V,  T j =125 o   C    |   | 28 |   | ns  | 
| t r  | Atkāpšanās laiks  |   | 21 |   | ns  | 
| t d   (izslēgt ) | Izslēgt  Atlikušais laiks  |   | 288 |   | ns  | 
| t f    | Nolieku laiks  |   | 216 |   | ns  | 
| E ieslēgta  | Slēgt  Pārslēgšana  Zaudējumi  |   | 2.57 |   | mJ  | 
| E izslēgt  | Izslēgtas  Zaudējumi  |   | 2.21 |   | mJ  | 
| t d   (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks  |     V CC = 600V,I C   =25A,    R G   =20Ω,V ĢEN =±15V,  T j = 150 o   C    |   | 28 |   | ns  | 
| t r  | Atkāpšanās laiks  |   | 22 |   | ns  | 
| t d   (izslēgt ) | Izslēgt  Atlikušais laiks  |   | 309 |   | ns  | 
| t f    | Nolieku laiks  |   | 227 |   | ns  | 
| E ieslēgta  | Slēgt  Pārslēgšana  Zaudējumi  |   | 2.78 |   | mJ  | 
| E izslēgt  | Izslēgtas  Zaudējumi  |   | 2.42 |   | mJ  | 
|   I SC  |   SC dati  | t P   ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums  T j = 150 o   C,V CC = 900V,  V CEM ≤ 1200V  |   |   100 |   |   A  | 
Dioda  Raksturlielumi  T C   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts 
 
| Sīkāku informāciju  | Parametrs    | Testēšanas apstākļi  | Min.  | Tips.  | Max.  | Drošības un drošības politika  | 
|   V F    | Diode uz priekšu  Spriegums    | I F   =25A,V ĢEN =0V,T j =25 o   C    |   | 2.20 | 2.65 |   V  | 
| I F   =25A,V ĢEN =0V,T j =  125o   C    |   | 2.30 |   | 
| I F   =25A,V ĢEN =0V,T j =  150o   C    |   | 2.25 |   | 
| Q   r  | Atgūstamā nodeva  | V R = 600V,I F   =25A,  -di/dt=880A/μs,V ĢEN =-15V  T j =25 o   C    |   | 1.43 |   | μC  | 
| I RM  | Augstais augstums  Atgūšanas strāvas  |   | 34 |   | A  | 
| E rec  | Atgriezeniska atgūšana Enerģija  |   | 0.75 |   | mJ  | 
| Q   r  | Atgūstamā nodeva  | V R = 600V,I F   =25A,  -di/dt=880A/μs,V ĢEN =-15V  T j =  125o   C    |   | 2.4 |   | μC  | 
| I RM  | Augstais augstums  Atgūšanas strāvas  |   | 42 |   | A  | 
| E rec  | Atgriezeniska atgūšana Enerģija  |   | 1.61 |   | mJ  | 
| Q   r  | Atgūstamā nodeva  | V R = 600V,I F   =25A,  -di/dt=880A/μs,V ĢEN =-15V  T j =  150o   C    |   | 2.6 |   | μC  | 
| I RM  | Augstais augstums  Atgūšanas strāvas  |   | 44 |   | A  | 
| E rec  | Atgriezeniska atgūšana Enerģija  |   | 2.10 |   | mJ  | 
 
 
 
Diskretas  Raksturlielumi  T C   =25 o   C    ja  norādīts  atzīmēts 
 
| Sīkāku informāciju  | Parametrs    | Min.  | Tips.  | Max.  | Drošības un drošības politika  | 
| R tJC  | Savienojums ar lietu (par IGB) T)  Savienojums ar korpusu (par Di) ode)  |   |   | 0.262 0.495 | K/W  | 
| R tJN  | Savienojums ar vidi  |   | 40 |   | K/W  |