홈페이지 / 제품 / IGCT 모듈 / 역방향 차단 IGCT(RB-IGCT)
YT-RB C50L3300 이 C
키 파라미터
V DRM |
3300 |
V |
이 TGQM |
5000 |
A |
이 T(RMS) |
2950 |
A |
이 TSM |
34.2 |
KA |
V 에 |
1.03 |
V |
r t |
0.24 |
m ω |
V DClink |
2000 |
V |
적용 분야
차단 데이터
상징 |
사양 |
조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
V DRM |
반복 피크 오프 상태 전압 |
TVJ=100℃, ID≤IDRM, tp=10ms |
- |
- |
3300 |
V |
이 DRM |
반복 피크 오프 상태 전류 |
TVJ=100℃, VD=VDRM, tp=10ms |
- |
- |
100 |
mA |
d v /dt |
안도 전압의 급격한 상승률 |
TVJ=100℃, VD=0.8V DRM |
|
|
1000 |
V/μs |
V DClink |
중간 DC 전압 |
100FIT 고장률을 위한 중간 직류 전압 |
- |
- |
2000 |
V |
V RRM |
역전압 |
/ |
- |
- |
20 |
V |


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