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당사의 슈퍼 접합 MOSFET 시리즈 제품은 심층 트렌치(deep trench) 및 다중 에피택셜(multiple epitaxial) 기술을 활용해 제조되며, 극도로 낮은 온저항(on-resistance)과 게이트 전하량(gate charge)을 특징으로 하여 도통 손실 및 스위칭 손실을 크게 줄입니다. 이 제품은 특히 고전력 밀도 및 고효율 전력 전자 변환 시스템에 적합합니다.
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슈퍼 접합 MOSFET의 기술적 우위
슈퍼 접합 MOSFET은 기존 VDMOS 설계를 바탕으로 교번하는 P형 컬럼 구조를 통해 횡방향 전계 제어를 도입함으로써, 종방향 전계 분포를 이상적인 직사각형 형태에 근접시킨다.
동일한 에피택셜 저항 조건 하에서, 이 구조는 소자의 내압 능력을 약 20% 향상시킨다. 제품 동일한 정격 전압 조건에서 슈퍼 접합 기술은 단위 면적 온저항을 기존 구조 대비 1/8 미만으로 낮출 수 있어, 도통 손실과 차단 특성 간의 시너지 최적화를 실현한다.
당사의 슈퍼 접합 MOSFET 시리즈 제품은 심층 트렌치(deep trench) 및 다중 에피택셜(multiple epitaxial) 기술을 활용해 제조되며, 극도로 낮은 온저항(on-resistance)과 게이트 전하량(gate charge)을 특징으로 하여 도통 손실 및 스위칭 손실을 크게 줄입니다. 이 제품은 특히 고전력 밀도 및 고효율 전력 전자 변환 시스템에 적합합니다.
왜 당사의 MOSFET 시리즈 제품을 선택해야 하나요?
낮은 도통 손실
저변 변속 손실
높은 전력 밀도
완전한 제품 라인업
응용 분야
슈퍼 접합 MOSFET(다중 에피택시)의 회로도
플래너 MOSFET과 슈퍼 접합 MOSFET의 비교
회사 소개
우리는 IGBT의 응용 iGBT 제품의 적용을 기반으로 하여, 당사는 고성능 전력 어셈블리 맞춤 제작이라는 고급 제품 라인으로 제품 스펙트럼을 확장하였습니다. 동시에 당사의 사업 영역은 ADC/DAC, LDO, 계측용 증폭기, 전자기계 릴레이, 포토MOS(PhotoMOS), MOSFET과 같은 자동화 제어 제품 분야로도 확대되었습니다. 이를 통해 당사는 전문 분야에서 중국 최고 제조업체들과 협력하여 고객에게 신뢰성 있고 비용 효율적인 제품을 제공할 수 있습니다.
혁신과 탁월함이라는 원칙을 바탕으로 설립되어 반도체 대체 솔루션 및 기술 분야의 선두에 서 있습니다.
저희의 비전은 중국 생산을 통해 고객에게 대체 솔루션을 제공하고, 고객의 애플리케이션 솔루션 비용 효율성을 개선하며, 공급망의 안정성을 보장하는 것입니다.
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