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평면형 MOSFET

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평면형 MOSFET

평면형 MOSFET, 400V–800V

고전압 평면형 MOSFET 시리즈 제품은 첨단 평면 기술을 기반으로 설계 및 제조되었으며, 400V에서 800V에 이르는 전압 범위를 포괄합니다.

Brand:

Spu:

평면형 MOSFET

소개

소개

고전압 평면형 MOSFET(평면형 MOSFET)은 전압 제어 방식의 다중 접합 소자로, 고입력 임피던스, 고속 스위칭 특성, 낮은 구동 전력, 넓은 안정 동작 영역(SOA), 우수한 온도 안정성 등의 특징을 갖습니다. 이 소자는 스위칭 전원 공급 장치, 자동차 전자기기, 산업 제어 등 다양한 분야에서 광범위하게 사용되고 있습니다.
고전압 평면형 MOSFET 시리즈 제품 첨단 평면형 기술을 기반으로 설계·제조되며, 400V에서 800V까지의 전압 범위를 포괄합니다.

장점:

우수한 어벌런치 내성
강한 충격 저항
우수한 EMI 호환성
완전한 제품 라인업

넓다 응용 분야:

어댑터
충전기
TV 전원 공급 장치
개
헤드라이트용 LED는 무한히 조절 가능합니다. 소형 세단이든 대형 SUV든 어떤 차량에도 사용할 수 있으며, 시스템은 각 차량의 타이어에 맞게 조정됩니다. 또한 다른 유형의 헤드라이트와도 잘 어울릴 수 있어 많은 사람들이 이 제품을 기꺼이 선택할 것입니다. 이제 LED 헤드라이트를 장착하면 운전자들은 패셔너블하면서도 안전하게 운전할 수 있습니다.

평면형 MOSFET의 개략도

高压平面MOSFET剖面示意图(5613daba06).png

플래너 MOSFET과 슈퍼 접합 MOSFET의 비교

MOSFET 카탈로그

--플래너형 MOSFET

부품 번호	I D (A) 25 ℃	RDS(ON)(Ω) (VGS=10V)		Qg (nC) (VGS=10V)	VGS (V)	VGS(th) (V)	포장
		RDS(ON)(Ω) (VGS=10V)		Qg (nC) (VGS=10V)		VGS(th) (V)
		전형적인.	최대.	전형적인.		전형적인.
전압 수준 ：400V
LNG7N40	7	0.96	1.2	11.4	30	3	TO-252

전압 수준 ：450V
LNG10N45	10	0.50	0.5	6 20.3	±30	3	TO-252

전압 수준 ：500V
LNG3N50B	2.5	3.1	3.6	6.3	±30	3	TO-252
LNG3N50	3	3	3.6	7.2	30	3	TO-252
LNG5N50C	5	2.05	2.4	9.5	30	3	TO-252
LND5N50	5	1.35	1.6	12.4	30	3	TO-220F
LNG5N50	5	1.38	1.6	13.2	30	3	TO-252
LNH5N50	5	1.35	1.6	12.4	30	3	TO-251
LNC5N50	5	1.35	1.6	12.4	30	3	TO-220
LND9N50	9	0.66	0.8	22.6	30	3	TO-220F
LNG9N50	9	0.66	0.8	22.6	30	3	TO-252
LND13N50	14	0.38	0.46	37.7	30	3	TO-220F
LNC13N50	14	0.38	0.46	37.7	30	3	TO-220
LND16N50	16	0.26	0.36	51.9	±30	3	TO-220F
LND20N50W	20	0.23	0.29	50.5	30	3	TO-220F
LNE20N50W	20.7	0.24	0.29	55.2	±30	3	TO-263
LND18N50	21	0.24	0.28	59.6	30	3	TO-220F
LNDN18N50	21	0.24	0.28	59.6	30	3	TO-220NF
LNE18N50	21.6	0.248	0.28	58.7	±30	3	TO-263
LNA20N50W	22	0.23	0.29	58.8	±30	3	3p
LND25N50W	25	0.16	0.2	74.2	30	3	TO-220F
LNA25N50W	25	0.16	0.2	77.8	±30	3	3p
LNB25N50W	28	0.16	0.2	74.2	±30	3	247까지

전압 수준 ：650V
LND2N65	2	4.2	5.2	8.6	30	3	TO-220F
LNC2N65	2	4.2	5.2	8.6	30	3	TO-220
LNG2N65	2	4.2	5.2	8.6	30	3	TO-252
LNH2N65	2	4.2	5.2	8.6	30	3	TO-251
LND4N65	4	2.18	2.7	13.3	30	3	TO-220F
LNF4N65	4	2.18	2.7	13.3	30	3	TO-262
LNG4N65	4	2.18	2.7	13.3	30	3	TO-252
LNH4N65	4	2.18	2.7	13.3	30	3	TO-251
LND5N65B	5	1.8	2.1	16.1	30	3	TO-220F
LNH5N65B	5	1.8	2.1	16.1	30	3	TO-251
LNG5N65B	5	1.8	2.1	16.1	30	3	TO-252
LNC7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-220
LND7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-220F
LNF7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-262
LNG7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-252
LNH7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-251
LNDN7N65D	7	1.1	1.4	23.5	30	3	TO-220F
LNC10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-220
LND10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-220F
LNDN10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-220NF
LNE10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-263
LNF10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-262
LNC12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-220
LND12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-220F
LNDN12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-220NF
LNE12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-263
LNF12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-262
LNC16N65	16	0.48	0.6	53.9	30	3	TO-220
LND16N65	16	0.48	0.6	48.2	30	3	TO-220F
LNC20N65	20	0.42	0.5	58.1	30	3	TO-220
LND20N65	20	0.42	0.5	58.1	30	3	TO-220F
LNB20N65	20	0.4	0.5	58.4	30	3	247까지

전압 수준 ：700v
LND6N70	6	1.25	1.6	21.8	30	3	TO-220F
LNG6N70	6	1.28	1.6	22	30	3	TO-252
LND12N70W	12	0.72	0.8	37.6	30	3	TO-220NF
LND15N70	15	0.52	0.6	50	30	3	TO-220F

전압 수준 ：800V
LND4N80	4	3.4	3.8	16.5	30	3	TO-220F
LNH4N80	4	3.4	3.8	16.5	30	3	TO-251
LNG4N80	4	3.4	3.8	16.5	30	3	TO-252
LND8N80W	8	1.58	1.8	35.5	30	3	TO-220F
LND10N80	10	0.68	0.9	61.6	30	3.07	TO-220F

회사 소개

저희는 IGBT 제품의 응용에 집중하고 있습니다. IGBT 응용을 기반으로 하여 고품질 파워 어셈블리 맞춤 제작까지 제품 스펙트럼을 확장하였으며, 동시에 자동화 제어 제품 분야로도 사업을 확장하였습니다. 여기에는 ADC/DAC, LDO, 계측용 증폭기, 전자기 릴레이, PhotoMOS 및 MOSFET이 포함됩니다. 이를 통해 전문 분야에서 중국 유수의 제조업체들과 협력하여 고객에게 신뢰성 있고 비용 효율적인 제품을 제공할 수 있습니다.
혁신과 탁월함이라는 원칙을 바탕으로 설립되어 반도체 대체 솔루션 및 기술 분야의 선두에 서 있습니다.
저희의 비전은 중국 생산을 통해 고객에게 대체 솔루션을 제공하고, 고객의 애플리케이션 솔루션 비용 효율성을 개선하며, 공급망의 안정성을 보장하는 것입니다.