MTx500 MFx500 MT500, Thyristor/Diode Modules, Water Cooling

V RRM v DRM

타입 & 개요

2000V

MT3 수소수

MFx500-20-406F3

2200V

MT3 수소수

MFx500-22-406F3

2500V

MT3 수소수산물

MFx500-25-406F3

2500V

MT500-25-406F3G

상징

특징

시험 조건

Tj( °C )

가치

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180° 반 사인파 50Hz

단면 냉각, THS=55 °C

125

500

A

IT(RMS)

RMS 온 상태 전류

785

A

Idrm Irrm

반복 피크 전류

vDRM에서 VRRM에서

125

45

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스

125

13

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

125

845

10³A ²s

VTO

임계 전압

125

0.87

V

르티

온 상태 기울기 저항

0.60

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=1500A

25

2.15

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

게이트 소스 1.5A

tr ≤0.5μs 반복

125

200

A/μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

V

IH

유지 전류

10

200

mA

IL

래칭 전류

1000

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

칩당 단면 냉각

0.085

°C /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

칩당 단면 냉각

0.040

°C /W

비소

격리 전압

50Hz, R.M.S, t=1분, Iiso: 1mA(최대)

3000

V

Fm

터미널 연결 토크 (M12)

12

14

N·m

장착 토크(M6)

4.5

6

N·m

TVj

접점 온도

-40

125

°C

TSTG

저장 온도

-40

125

°C

Wt

무게

1580

g

개요

406F3