VCE = 1700 V
IC = 2 × 1000 A
초저인덕턴스 위상-레그 모듈
매우 높은 전류 밀도를 갖는 콤팩트 설계. 정격 감소 없이 병렬 연결 가능
고전력 사이클링 성능을 위한 AlSiC 베이스플레이트. 낮은 열 저항을 위한 AlN 서브스트레이트
저손실, 고속 및 강건한 SPT++ 칩셋
최대 등급 값
사양 |
상징 |
조건 |
분 |
최대 |
단위 |
컬렉터-이미터 전압 |
볼트 CES |
볼트 GE = 0 V, T vj ≥ 25 °C |
|
1700 |
볼트 |
DC 수집기 현재 |
IC |
T C = 100 °C, T vj = 175 °C |
|
1000 |
A |
피크 수집기 현재 |
ICm |
t p = 1 ms |
|
2000 |
A |
게이트-이미터 전압 |
볼트 GES |
|
-20 |
20 |
볼트 |
총출력 소산 |
Ptot |
T C = 25 °C, T vj = 175 °C |
|
5500 |
W |
동전 전류 |
IF |
|
|
1000 |
A |
피크 전방 현재 |
IFRM |
t p = 1 ms |
|
2000 |
A |
전류 |
IFSM |
볼트 R = 0 V, T vj = 175 °C, t p = 10 ms, 반 -사인파 |
|
5400 |
A |
IGBT 단락 회로 SOA |
t psc |
볼트 CC = 1300 V, 볼트 CEM 칩 ≤ 1700 V 볼트 GE ≤ 15 V, T vj 시작 ≤ 150 °C |
|
10 |
μs |
격리 전압 |
볼트 단독 |
1 최소, f = 50 Hz |
|
4000 |
볼트 |
접점 온도 |
T vj |
|
-40 |
175 |
°C |
접합 동작 온도 |
T vj (op ) |
|
-40 |
175 |
°C |
케이스 온도 |
T C |
|
-40 |
150 |
°C |
보관 온도 |
T sTG |
|
-40 |
125 |
°C |
|
장착 모터 2) |
분 초 |
베이스 -열기 , M6 나사 |
4 |
6 |
Nm |
분 t 1 |
주 단자, M8 나사 |
8 |
10 |
||
분 t 2 |
보조 단자, M3 나사 |
0.9 |
1.1 |
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