Қысқаша кіріспе
Дәнекерлеу диоды модуль ,М D Ц 110,110A ,Ауа салқындату ,tECHSEM компаниясымен өндірілген.
VRRM |
Түрі & Сызба |
|
600В
800V
1000В
1200В
1400V
1600V
1800V
|
MDC 110-06-229H3
MDC 110-08-229H3
MDC 110-10-229H3
MDC 110-12-229H3
MDC 110-14-229H3
MDC 110-16-229H3
MDC 110-18-229H3
|
Сипаттамалар ：
-
Изоляцияланған монтаж базасы e 3000V~
-
Дәнекерлеу буын технология -мен қуат циклін арттыру қабілеттілігі
-
Кеңістік және салмақты үнемдеу
Типілік қолданулар ：
- Әртүрлі түзеткіштер
- PWM инверторы үшін DC қуат көзі
|
Символ
|
СӘРЕПТІК
|
Сынақ шарттары
|
Tj( ℃ ) |
Мәні |
Бірлік
|
Минуты |
ТҮР |
Макс |
IF(AV) |
Орташа алға қарай ағым |
180° жартылай синусоидалық 50Hz
Бір жақты салқындатылған, TC=100 ℃
|
150
|
|
|
110 |
А |
IF(RMS) |
RMS алға қарай ағым |
|
|
173 |
А |
IRRM |
Қайталау шыңы ағым |
vRRM-де |
150 |
|
|
8 |
mА |
IFSM |
Сурж алға ағым |
VR=60%VRRM,,t= 10ms жарты синус, |
150
|
|
|
2.0 |
kA |
I2t |
Фузия координациясы үшін I2t |
|
|
20.0 |
103А 2s |
VFO |
Төменгі кернеу |
|
150
|
|
|
0.80 |
V |
радио жабайынан кейін |
Алға қарай еңіс кедергісі |
|
|
1.74 |
mΩ |
VFM |
Шың алға қарай кернеу |
IFM=330A |
25 |
|
|
1.55 |
V |
Rth(j-c) |
Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа |
1800 синуста. Бір тараптан жылыту арқылы чипке |
|
|
|
0.35 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Жылу кедергісі корпусқа дейін радиатор |
1800 синуста. Бір тараптан жылыту арқылы чипке |
|
|
|
0.20 |
℃ /W |
VISO |
Изоляция кернеуі |
50Гц,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm
|
Соңғы шың байланыс күші(M5) |
|
|
2.5 |
|
4 |
Н·м |
Монтаж моменті (M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
Н·м |
TVj |
Байланыс температурасы |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
ТСТГ |
Сақталған температура |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Салмағы |
|
|
|
100 |
|
g |
Нысан |
224H3 |
EN
