IGBT модулі GD820HFA75N6HY Starpower

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

750

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

ICN

Коллекторды іске асыру рент

820

A

IC

Коллектор токы @ T F =95o С Т vj =175o C

450

A

ICRM

Қайталанатын Шұңқыры Жинақтаушы Жүк tp шектеулі арқылы T vjop

1640

A

PD

Максималды қуат тарату ация @ T F =65o C T vj =175o C

909

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

750

V

IБФ

Коллекторды іске асыру рент

820

A

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

A

IҚРМ

Қайталанатын Шұңқыры Алға Жүк tp шектеулі арқылы T vjop

1640

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

d Жүрекке сырғанау

Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға

7.3 7.3

мм

d Таза

Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға

7.3 4.0

мм

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=680A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.25

1.50

V

IC=680A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

1.35

IC=680A,V ГЭ =15В, T vj =175o C

1.40

IC=820A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.30

IC=820A,V ГЭ =15В, T vj =175o C

1.50

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=12.9mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =50V,f=100kHz, V ГЭ =0В

72.3

нФ

Cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.51

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.32

нФ

С G

Қақпалық төлем

V CE =400В, IC=680A, V ГЭ =-10…+15V

4.10

μC

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C=450А, R G=2,4Ω, LС =20nH ,V ГЭ =-8V/+15V,

T vj =25o C

483

н

t r

Күтерілу уақыты

60

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

664

н

t f

Күз мезгілі

67

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

16.3

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

17.4

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C=450А, R G=2,4Ω, LС =20nH ,V ГЭ =-8V/+15V,

T vj =150o C

507

н

t r

Күтерілу уақыты

76

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

750

н

t f

Күз мезгілі

125

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

26.3

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

22.1

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C=450А, R G=2,4Ω, LС =20nH ,V ГЭ =-8V/+15V,

T vj =175o C

509

н

t r

Күтерілу уақыты

79

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

764

н

t f

Күз мезгілі

139

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

27.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

23.0

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤3μс, V ГЭ =15В,

T ж =175o C,V CC =450V, V КЕМ ≤750В

3300

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =680A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =680A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.60

IF =680A,V ГЭ =0В,Т vj =175o C

1.55

IF =820A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.70

IF =820A,V ГЭ =0В,Т vj =175o C

1.65

С r

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди⁄dt=8350A⁄μs,L С =20n H, V ГЭ =-8V, T vj =25o C

12.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

273

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

3.45

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дт=6670А/мкс,L С =20n H, V ГЭ =-8V, T vj =150o C

27.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

319

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.51

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дт=6410А/мкс,L С =20n H, V ГЭ =-8V, T vj =175o C

31.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

334

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

7.26

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R

Номинал Деңгейде

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T .cr

Температуралық коэффициент н

0.38

%/К

T ЖШ

Кendі Жылу兰дуру

T C=0 o C

Iмин =0.1...0.3мА

0.4

K/мВт

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

5

nH

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

2.5

бар

R тЖЖ

Бөлшеуіш —дейін —Салқындату Сұйық (perIGBT )Жылу және охлаждыру сұйқасының арасындагы (пер Ди од) △V/ △t=2.67 L/ мИН ,T F =65o C

0.105 0.157

0.121 0.181

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, Болт M5

3.6 5.4

4.4 6.6

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

220

g