GD300HFX170C2SA, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

493

300

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

А

P D

Максималды қуаттылық vj =175 o Ц

1829

W

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =300A,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.85

2.30

V

I Ц =300A,V ГЭ =15В, T vj =125 o Ц

2.25

I Ц =300A,V ГЭ =15В, T vj =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =12.0 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

36.1

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.88

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

2.83

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R G =2.4Ω, Ls=42нГ, V ГЭ =±15В,

T vj =25 o Ц

355

н

t r

Күтерілу уақыты

71

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

473

н

t f

Күз мезгілі

337

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

89.3

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

46.3

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R G =2.4Ω, Ls=42нГ, V ГЭ =±15В,

T vj =125 o Ц

383

н

t r

Күтерілу уақыты

83

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

549

н

t f

Күз мезгілі

530

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

126

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

68.5

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =300A, R G =2.4Ω, Ls=42нГ, V ГЭ =±15В,

T vj =150 o Ц

389

н

t r

Күтерілу уақыты

88

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

575

н

t f

Күз мезгілі

585

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

139

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

73.4

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150 o C,V CC =1000V,

V КЕМ ≤1700В

1200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =300A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.80

2.25

V

I F =300A,V ГЭ =0В,Т vj =125 o Ц

1.95

I F =300A,V ГЭ =0В,Т vj =150 o Ц

1.90

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/дt=3247А/мкс,V ГЭ =-15В LS =42 nH ,T vj =25 o Ц

68

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

202

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

34.5

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/дt=2579А/мкс,V ГЭ =-15В LS =42 nH ,T vj =125 o Ц

114

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

211

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

61.2

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/дt=2395А/мкс,V ГЭ =-15В LS =42 nH ,T vj =150 o Ц

136

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

217

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

73.9

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.082 0.127

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.033 0.051 0.010

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g