GD300HFX170C2SA, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

493

300

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

1829

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=300A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=300A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

2.25

IC=300A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=12.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

36.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.88

нФ

С G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

2.83

μC

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=300A, R G=2.4Ω, Ls=42нГ, V ГЭ =±15В,

T vj =25o C

355

н

t r

Күтерілу уақыты

71

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

473

н

t f

Күз мезгілі

337

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

89.3

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

46.3

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=300A, R G=2.4Ω, Ls=42нГ, V ГЭ =±15В,

T vj =125o C

383

н

t r

Күтерілу уақыты

83

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

549

н

t f

Күз мезгілі

530

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

126

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

68.5

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=300A, R G=2.4Ω, Ls=42нГ, V ГЭ =±15В,

T vj =150o C

389

н

t r

Күтерілу уақыты

88

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

575

н

t f

Күз мезгілі

585

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

139

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

73.4

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V КЕМ ≤1700В

1200

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.95

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.90

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/дt=3247А/мкс,V ГЭ =-15В LS =42nH ,T vj =25o C

68

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

202

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

34.5

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/дt=2579А/мкс,V ГЭ =-15В LS =42nH ,T vj =125o C

114

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

211

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

61.2

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di/дt=2395А/мкс,V ГЭ =-15В LS =42nH ,T vj =150o C

136

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

217

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

73.9

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Жағдай (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.082 0.127

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.033 0.051 0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g