GD300HFX170C6SA, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМАСЫ

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

Мен C

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

493

300

A

Мен См

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

1829

W

Символ

СИПАТТАМАСЫ

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

Мен F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

A

Мен Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

A

Символ

СИПАТТАМАСЫ

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

Мен C=300A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.85

2.20

V

Мен C=300A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

2.25

Мен C=300A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

Мен C=12.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Мен CES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

5.0

mА

Мен ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

36.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.88

нФ

С Г

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

2.83

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=300A,

R Қон =3,3Ω, R Гофф =4.7Ω, LСек =66нГн,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

265

н

t r

Күтерілу уақыты

94

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

565

н

t f

Күз мезгілі

326

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

77.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

52.8

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=300A,

R Қон =3,3Ω, R Гофф =4.7Ω, LСек =66нГн,V ГЭ =±15В, T ж =125o C

302

н

t r

Күтерілу уақыты

104

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

631

н

t f

Күз мезгілі

521

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

108

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

72.8

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=300A,

R Қон =3,3Ω, R Гофф =4.7Ω, LСек =66нГн,V ГЭ =±15В, T ж =150o C

313

н

t r

Күтерілу уақыты

108

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

645

н

t f

Күз мезгілі

545

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

119

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

78.4

мЖ

Мен SC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

1200

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

Мен F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.80

2.25

V

Мен F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.95

Мен F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.90

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-ди/дт=2650А/мкс,V ГЭ =-15В LСек =66nH ,T ж =25o C

56.3

μC

Мен RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

228

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

38.4

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-di⁄dt=2300A⁄μs,V ГЭ =-15В LСек =66nH ,T ж =125o C

89.6

μC

Мен RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

262

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

60.2

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =300A,

-ди/дт=2250А/мкс,V ГЭ =-15В LСек =66nH ,T ж =150o C

102

μC

Мен RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

272

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

69.6

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

1.10

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Жағдай (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.082 0.121

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.030 0.045 0.009

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

Г

Салмағы туралы Модуль

350

г