Барлық санаттар
Сотып алу үшін сұраныс беру

Тегін баға сұрауын алыңыз

Біздің өкіліміз сізбен жақын арада байланысады.
Электрондық пошта
Name
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

IGBT Модулі 1700V

IGBT Модулі 1700V

Басты бет/Өнімдер/IGBT модуль/Модуль IGBT 1700V

GD2400SGX170C4S,IGBT Модуль,Улттық токтың IGBT модулі,STARPOWER

1700V 2400A, C4

Brand:
Жұлдызды қуат
Spu:
GD2400SGX170C4S
  • Кіріспе
  • Нысан
  • Эквивалентті схемалық схема
Кіріспе

Қысқаша таныстыру

IGBT модулі ,sTARPOWER жасады. 1 700V 2400A,C4 .

Ertelikter

  • Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
  • 10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
  • Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
  • Максималдық жылдамдау температуры 175 ℃
  • Төмен индуктивтілік корпусы
  • Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
  • DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

Типілік қолданулар

  • Жоғары қуаттылық конвертерлері
  • Мотор жетектер

Абсолютті Максимум Рейтингтер T C=25o C егер каланын белгіленген

IGBT

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=100o C

2400

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

4800

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

15.8

кВт

Диод

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

2400

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

4800

A

IFSM

Қозғалыс токы V R =0В,Т p =10мс, @T ж =25o C @T ж =150o C

18.65 15.25

kA

I2t

I2t-құндылығы,V R =0В,Т p =10м с,T ж =25o CI2t-құндылығы,V R =0В,Т p =10 мс ,T ж =150o C

1739

1162

kA2с

Модуль

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

IGBT Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC= 2400А,В ГЭ =15В, T ж =25o C

1.85

2.30

V

IC= 2400А,В ГЭ =15В, T ж =125o C

2.25

IC= 2400А,В ГЭ =15В, T ж =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=96.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.6

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

285

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

7.13

нФ

С G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

23.5

μC

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=2400А, R G=0,82Ω, LС =32nH ,V ГЭ =-9В/+15В,

T ж =25o C

609

н

t r

Күтерілу уақыты

232

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1676

н

t f

Күз мезгілі

192

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

784

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

785

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=2400А, R G=0,82Ω, LС =32nH ,V ГЭ =-9В/+15В,

T ж =125o C

732

н

t r

Күтерілу уақыты

280

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

2171

н

t f

Күз мезгілі

243

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

1350

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

1083

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=2400А, R G=0,82Ω, LС =32nH ,V ГЭ =-9В/+15В,

T ж =150o C

772

н

t r

Күтерілу уақыты

298

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

2294

н

t f

Күз мезгілі

298

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

1533

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

1126

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

10.5

kA

Диод Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF = 2400А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.80

2.25

V

IF = 2400А,В ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.90

IF = 2400А,В ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.95

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =2400А,

-жүрек/с=9570А/мкс,V ГЭ =-9В, LС =32nH ,T ж =25o C

243

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

1656

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

274

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =2400А,

-жүрек/с=7500А/мкс,V ГЭ =-9В, LС =32nH ,T ж =125o C

425

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

1692

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

438

мЖ

С r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =2400А,

-жүрек/с=6990А/мкс,V ГЭ =-9В, LС =32nH ,T ж =150o C

534

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

1809

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

563

мЖ

Модуль Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

6.0

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.10

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Жағдай (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

9.5 15.8

K/kW

R тХ

Жағдай —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT )Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

6.4 10.7 4.0

K/kW

d Жүрекке сырғанау

Терминал-қырғызушыға Терминал-терминал арасында

32.2 32.2

мм

d Таза

Терминал-қырғызушыға Терминал-терминал арасында

19.1 19.1

мм

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М8 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

2060

g

Нысан

Эквивалентті схемалық схема

Тегін баға сұрауын алыңыз

Біздің өкіліміз сізбен жақын арада байланысады.
Электрондық пошта
Name
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

Байланысты өнім

Тауарлар туралы сұрақтар бар ма?

Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.

Сотып алу үшін сұраныс беру

Тегін баға сұрауын алыңыз

Біздің өкіліміз сізбен жақын арада байланысады.
Электрондық пошта
Name
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

Тегін баға сұрауын алыңыз

Біздің өкіліміз сізбен жақын арада байланысады.
Электрондық пошта
Name
Компания атауы
Хабарлама
0/1000