GD1000HTA75P6HT

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 750V 1000А ,P6 .

Қасиеттер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
Қалпына келтіруден кететін шығындар аз
6 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Максималдық жылдамдау температуры 175 ℃
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
Изоляция пинфин медной пластинки с использованием технологий Si3N4 AMB

Типілік қолданулар

Автомобиль өнеркәсібіне арналған
Гибридтік және электрлік көлік
Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор

Абсолютті Максимум Рейтингтер T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	Мәндер	Бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	750	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I КН	Коллекторды іске асыру рент	1000	А
I Ц	Коллектор токы @ T F =125 o Ц	450	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	2000	А
P D	Максималды қуат тарату ация @ T F =75 o Ц T vj =175 o Ц	1282	W

Диод

Символ	Сипаттама	Мәндер	Бірлік
V РРМ	Қайталау Пик Кері Кернеу жас	750	V
I БФ	Коллекторды іске асыру рент	1000	А
I F	Диодты үздіксіз алға қарай рент	450	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	2000	А

Модуль

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
T vjmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	o Ц
T vjop	Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз Жалғастық уақыт ішінде 10 секунд үшін 30 секунд, кез келген жағдайда әрбір өмірбаянда ең көп 3000 рет	-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін	o Ц
T ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	o Ц
V ISO	Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты	2500	V
d Жүрекке сырғанау	Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға	9.0 9.0	мм
d Таза	Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға	4.5 4.5	мм

IGBT Характеристикалар T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.10

1.35

V

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T vj =150 o Ц

1.10

I Ц = 450А,В ГЭ =15В, T vj =175 o Ц

1.10

I Ц =1000A,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.40

I Ц =1000A,V ГЭ =15В, T vj =175 o Ц

1.60

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =12.9 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

5.5

6.4

7.0

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.2

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =50V,f=100kHz, V ГЭ =0В

66.7

нФ

Ц лық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.50

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.35

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V CE =400V,I Ц =450А, V ГЭ =-15...+15В

4.74

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А,

R Қон =1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, V ГЭ =-8V/+15V,

L С =24nH, T vj =25 o Ц

244

н

t r

Күтерілу уақыты

61

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

557

н

t f

Күз мезгілі

133

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

11.0

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

22.8

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А,

R Қон =1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, V ГЭ =-8V/+15V,

L С =24nH, T vj =150 o Ц

260

н

t r

Күтерілу уақыты

68

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

636

н

t f

Күз мезгілі

226

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

16.9

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

32.2

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I Ц =450А,

R Қон =1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, V ГЭ =-8V/+15V,

L С =24nH, T vj =175 o Ц

264

н

t r

Күтерілу уақыты

70

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

673

н

t f

Күз мезгілі

239

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

19.2

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

33.6

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤6μс, V ГЭ =15В,

T vj =25 o C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

4900

А

t P ≤3μс, V ГЭ =15В,

T vj =175 o C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

3800

Диод Характеристикалар T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц		1.40	1.65	V
		I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =150 o Ц		1.35
		I F = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =175 o Ц		1.30
		I F =1000A,V ГЭ =0В,Т vj =25 o Ц		1.80
		I F =1000A,V ГЭ =0В,Т vj =175 o Ц		1.80
Q r	Алынған айыппұл	V R =400V,I F =450А, -ди/дt=7809А/μс,V ГЭ =-8В L С =24 nH ,T vj =25 o Ц		18.5		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			303		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			3.72		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R =400V,I F =450А, -ди/дt=6940А/μс,V ГЭ =-8В L С =24 nH ,T vj =150 o Ц		36.1		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			376		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			8.09		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R =400V,I F =450А, -ди/дt=6748А/μс,V ГЭ =-8В L С =24 nH ,T vj =175 o Ц		40.1		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			383		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			9.01		мЖ

НТК Характеристикалар T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
R 25	Атаулы кедергі			5.0		kΩ
∆R/R	Ауыспалы туралы R 100	T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Күш Диссипация				20.0	мW
Б 25/50	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3375		К
Б 25/80	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3411		К
Б 25/100	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристикалар T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік		8		nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке		0.75		mΩ
p	Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма T негізгі тақта <40 o Ц T негізгі тақта >40 o Ц (относительное басық)			2.5 2.0	бар
R тЖЖ	Бөлшеуіш -дейін -Салқындату Сұйықтық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △ V/ △ t=10,0 dm 3/минуты ,T F =75 o Ц		0.068 0.105	0.078 0.120	К/W
М	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы	3.6 1.8		4.4 2.2	Н.М
G	Салмақ туралы Модуль		750		g