DG25X12T2, IGBT дискрет, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C= 110o C

50

25

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p t бойынша шектелген jmax

100

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

573

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-55-ден +150-ге дейін

o C

T Сек

Дәнекерлеу температурасы,1.6mm fro m корпус үшін 10 секунд

260

o C

Мин

Монументтік момент, Болт M3

0.6

Н.М

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=25A, V ГЭ =15В,

T ж =25o C

1.70

2.15

V

IC=25A, V ГЭ =15В,

T ж =125o C

1.95

IC=25A, V ГЭ =15В,

T ж =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=0.63mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

2.59

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.07

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

0.19

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=25A, R G=20Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

28

н

t r

Күтерілу уақыты

17

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

196

н

t f

Күз мезгілі

185

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

1.71

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

1.49

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=25A, R G=20Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125o C

28

н

t r

Күтерілу уақыты

21

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

288

н

t f

Күз мезгілі

216

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.57

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

2.21

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=25A, R G=20Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150o C

28

н

t r

Күтерілу уақыты

22

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

309

н

t f

Күз мезгілі

227

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

2.78

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

2.42

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

100

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =25A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

2.20

2.65

V

IF =25A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o C

2.30

IF =25A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o C

2.25

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ГЭ =-15В T ж =25o C

1.43

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

34

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

0.75

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ГЭ =-15В T ж = 125o C

2.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

42

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

1.61

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V ГЭ =-15В T ж = 150o C

2.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

44

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

2.10

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.262

0.495

К/W

R тЖЖ

Жарық ортасына қосылу

40

К/W