YT-ASC80Y6500IC#, ასიმეტრიული IGCT Plus

Ს სიმბოლო

Პირობები

Მ იმ

Ტიპი

Მ აქს

ერთეული

V _DRM

T VJ = 125 ℃ , Ის D ≤Ის DRM, t p = 10 მს

-

-

6500

V

Ის _DRM

T VJ = 125 ℃ , V D= V DRM, t p = 10 მს

-

-

150

mA

dv/dt

T VJ = 125 ℃ , V D = 0.67 V DRM

1000

V/ μs

V _DClink

შუალედური DC ძაბვა, რომელიც დაშვებულია 100 FIT შეცდომის სიხშირის შემთხვევაში

-

-

4000

V

V _RRM

/

-

-

20

V

Სიმბოლო

Პირობები

Მნ

Ტიპი

Მაქს.

ერთეული

IT(RMS)

T C = 85℃, ნახევარტალღის სინუსოიდალური, ორმხრივი გაგრილება

-

-

4290

Ა

Ის _TSM

Ის ²t

T Vj = 125℃, ნახევარტალღის სინუსოიდალური, 10 მს, V D = V Რ =0

-

-

-

-

48.2

1162

kA

10⁴Ა ²ს

V _TM

T Vj = 125℃, I T = 4000 A

-

2.52

-

V

V _Და

რ _T

T Vj = 125℃,

Ის T = 1000…4000 A

-

-

1.24

0.22

-

-

V მΩ

Ს სიმბოლო

Პირობები

Მ იმ

Ტიპი

Მ აქს

ერთეული

d ის _T /dt

TVJ = 125 ℃, IT = 4000 A, VD = 4000 V, f = 0…500 ჰც

-

-

1000

A/ μs

t _don

t _donSF

t _რ

Ე _ზე

T Vj = 125℃ , Ის T = 4000 A, V D = 4000 V, d ის /dt = V D/ Ლ i , C CL = 20 μF,

Ლ i = 3 μH, Ლ CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

-

5

8

1.5

1.5

μs

μs

μs

Ჯ

Ს სიმბოლო

Პირობები

Მ იმ

Ტიპი

Მ აქს

ერთეული

Ის _TGQM

T VJ = 125 ℃ , V Dm ≤ V DRM, V D = 4000 ვ, Ლ CL = 0.3μH, C CL = 20 μF, Რ S = 0,5 ომი

-

-

8000

Ა

t _doff

t _doffSF

t _f

Ე _{გათიშული}

T Vj = 125℃ , Ის TGQ = 8000 ა, V D = 4000 ვ, V Dm ≤ V DRM, C CL = 20 μF, Რ S = 4 ω ,

Ლ i = 2 μH, Ლ CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

84

10

10

1

-

μs

μs

μs

Ჯ