YT-ASC50L4500IC#,ასიმეტრიული IGCT მოწყობილობა,

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Პირობები

Მ იმ

Ტიპური

Მ აქს

V _DRM

Გამეორებითი პიკი გამორთული ძაბვის

T _Vj =125℃, I _D≤I DRM, t _პ =10ms

-

-

4500

V

I_DRM

Გამეორებითი პიკი გამორთული დენის

T _Vj =125℃, V _D=V DRM, t _პ =10ms

-

-

50

mA

d _v /d_t

Ანოდის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

T _Vj =125℃, V _D=0.67V _DRM

-

-

1000

V/μS

V _{DClin Კ}

Მუდმივი DC ძაბვა 100 FIT-ისთვის

gCT-ის წარუმატებლობის მაჩვენებელი

100FIT-ის წარუმატებლობის მაჩვენებლის დაშვებული შუა DC ძაბვა

-

-

2800

V

V _RRM

Უკუქცევითი ძაბვა

\

-

-

17

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Პირობები

Მ იმ

Ტიპური

Მ აქს

I_T(RMS)

Მაქსიმალური RMS ჩართული მდგომარეობის დენი

T _C= 85℃, Sin l ნახევარი ტალღა, ორმხრივი გაგრილება

-

-

3000

A

I_TSM

I ²_t

Მაქსიმალური პიკი არამიმდინარე სერჟი ჩართული მდგომარეობის

დენი

Ლიმიტირებული დატვირთვის ინტეგრალი

T _Vj = 125℃, sin ნახევარი ტალღა, 10ms,

V _D=V _Რ =0

-

-

-

-

35

545

KA

10⁴A² ს

V _TM

Ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

T VJ = 125℃, I T =5000A

-

2.37

2.61

V

V _-დან

რ _T

Საფეხური ძაბვა

დახრის წინააღმდეგობა

T VJ = 125℃, I T = 1000…5000A

-

-

1.22

0.28

V

mΩ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Პირობები

Მ იმ

Ტიპური

Მ აქს

დი _T /dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

TVJ = 125 ℃, IT = 5000A, VD = 2800V, f=0..500Hz

-

-

5000

A/ μ ს

t _don

ჩართვის შეფერხების დრო

T _Vj = 125 ℃, I _T = 5000A, V _D= 2800 ვოლტი,

di /dt = V _D/L_i , რომელიც _CL =20μF, R _Ს =0.4Ω

L_i = 3μH, L _CL = 0.3μH

-

-

4

μ ს

t _donSF

Ჩართვის დაგვიანების დროის სტატუსი უკუკავშირი

-

-

7

μ ს

t _რ

Ზრდის დრო (ანოდის ძაბვის დაცემის დრო)

-

-

1

μ ს

Ე _{ჩართული}

Ჩართვის ენერგია თითო პულსზე

-

-

1.8

Ჯ

Სიმბოლო

Პარამეტრის სახელი

Გამოცდის პირობები

Მ იმ

Ტიპური

Მ აქს

I_TGQM

Მაქსიმალური კონტროლირებადი გამორთვის დენი

T _Vj = 125℃, V _Dm ≤V DRM, V _D=2800V,

L_CL = 0.3μH, C _CL = 20μF, R _Ს = 0.4Ω ，

f=0..300Hz

D_{Წინადადება} = D _CL =SF8.FY _B 2000-45

-

-

5000

A

t _doff

Გამორთვის დაგვიანების დრო

T _Vj = 125℃, I _TGQ = 5000A, V _D=2800V,

V _Dm ≤ V _DRM , რომელიც _CL = 20μF, R _Ს = 0. 4ω,

L_i =4μH, L _CL = 0.3μH

D_{Წინადადება} = D _CL = SF8.FYB2000-45

-

-

8

μ ს

t _doffSF

Გამორთვის დაგვიანების დროის სტატუსი

უკუკავშირი

-

-

7

μ ს

t _f

Შემოდგომის დრო

-

-

1

μ ს

Ე _{გათიშული}

Გამორთვის ენერგია თითო პულსზე

-

28

33

Ჯ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Პირობები

Მ იმ

Ტიპური

Მ აქს

T _Vj

T _{Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო}

Ჯუნქციის სამუშაო ტემპერატურა

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

/

0

-40

-

125

60

℃

℃

Რ _thJC

Რ _thCH

Თერმული წინააღმდეგობა, ჯუნქცია-კეისამდე

Თერმული წინააღმდეგობა, კორპუსიდან გაგრილების სისტემამდე

Ორმხრივი გაგრილება

-

-

-

-

8.5

3

K/kW

K/kW

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Პირობები

Მ იმ

Ტიპური

Მ აქს

V _{GIN RMS}

Გეით ერთეულის ძაბვა

DC ძაბვა ან AC კვადრატული ტალღის ამპლიტუდა (15kHz -

100kHz). არ არის გალვანური იზოლაცია ენერგიის წრეზე.

28

-

40

V

Პ _{GIN Მაქს.}

Მაქსიმალური გეით ერთეულის ენერგიის მოხმარება

/

-

-

130

W

I_{GIN MIN}

Მინიმალური დენი საჭირო გეით ერთეულის ჩართვისთვის

Მინიმალური დენი საჭირო გეით ერთეულის ჩართვისთვის

2

-

-

A

I_{GIN MAX}

Შიდა დენის შეზღუდვა

Მართვის ერთეულის მიერ შეზღუდული გამართული საშუალო დენი

-

-

8

A

t _on(min)

t _off(min)

Მინიმალური ჩართვის დრო

Მინიმალური გამორთვის დრო

/

40

40

-

-

-

-

μ ს

μ ს

Პ _{on CS}

Პ _{Off CS}

Პ _{on SF}

Პ _{გათიშული SF}

CS Oოპტიკური შესავალი ენერგია

CS Oოპტიკური ხმაურის სიმძლავრე

SF Oოპტიკური გამომავალი სიმძლავრე

SF Oოპტიკური ხმაურის სიმძლავრე

Ვალიდურია 1მმ პლასტიკური ოპტიკური ბოჭკოსთვის (POF)

-15

-

-19

-

-

-

-

-

-1

-45

-1

-50

დბმ

დბმ

დბმ

დბმ

t _GLITCH

t _{რეტრიგი}

Პულსის სიგრძის ზღვრები

Გარე რეტრიგის პულსის სიგრძე

Მაქსიმალური პულსის სიგრძე უპასუხოდ

/

-

700

-

-

400

1100

n

n

CS

Მიმღები ბრძანების სიგნალისთვის

Agilent ，Ტიპი: HFBR-2521

SF

Გამტანი სტატუსის უკუკავშირისათვის

Agilent ，Ტიპი: HFBR-1521