GD400HFX170C2S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C

@ ტ C = 100o C

648

400

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

800

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა T =175o C

2380

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

400

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

800

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C = 16.0mA,V CE =V Გენერალური საწარმოები , ტ ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული

Დიდება

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.88

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

48.2

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.17

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =- 15 ვოლტი...+15 ვოლტი

3.77

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =400A, R G =0.82Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

204

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

38

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

425

n

t f

Შემოდგომის დრო

113

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

97.9

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

84.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =400A, R G =0.82Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

208

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

528

n

t f

Შემოდგომის დრო

184

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

141

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

132

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =400A, R G =0.82Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

216

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

544

n

t f

Შემოდგომის დრო

204

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

161

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

137

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC = 100 ვოლტი, V CEM ≤1700V

1600

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.90

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.95

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =25o C

116

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

666

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

63.8

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =125o C

187

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

662

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

114

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =150o C

209

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

640

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

132

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს

0.35

mΩ

R thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.063

0.105

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.032

0.053

0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g