GD400HFX170C2S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C= 100o C

648

400

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

800

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა T =175o C

2380

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

400

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

800

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

Მე C=400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

Მე C=400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C= 16.0mA,V CE =V Გენერალური საწარმოები , ტ ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25o C

5.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.88

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

48.2

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.17

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =- 15 ვოლტი...+15 ვოლტი

3.77

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=400A, Რ Გ =0.82Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

204

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

38

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

425

n

t f

Შემოდგომის დრო

113

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

97.9

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

84.0

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=400A, Რ Გ =0.82Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

208

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

528

n

t f

Შემოდგომის დრო

184

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

141

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

132

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=400A, Რ Გ =0.82Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

216

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

544

n

t f

Შემოდგომის დრო

204

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

161

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

137

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC = 100 ვოლტი, V CEM ≤1700V

1600

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Მე F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

Მე F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.90

Მე F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.95

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =25o C

116

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

666

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

63.8

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =125o C

187

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

662

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

114

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =150o C

209

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

640

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

132

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს

0.35

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.063

0.105

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.032

0.053

0.010

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

300

გ