Მოკლე შესავალი
Ასიმეტრიული IGCT (A-IGCT) მოდულები არის მაღალი სიმძლავრისა და მაღალი სინდარის ნახსენების მოწყობილობები, რომლებიც შეიმუშავებულია მაღალი და საშუალო ძაბვის ენერგიის გარდაქმნის მოწინავე გამოყენებებისთვის. GTO ტექნოლოგიის მაღალი ძაბვისა და მაღალი დენის შესაძლებლობების და სწრაფი გადართვის შესაძლებლობების კომბინაციით, რომელსაც IGCT ტექნოლოგია იძლევა, A-IGCT მოდულები უზრუნველყოფენ ეფექტურ ამონახსნს მოთხოვნადი სამრეწველო ელექტროენერგეტიკული სისტემებისთვის.
Მოწინავე ნახსენების წარმოების ტექნოლოგიის და გასაუმჯობესებლად შემუშავებული მოწყობილობის სტრუქტურების გამოყენებით ასიმეტრიული IGCT მოდულები აჩვენებენ დაბალ გამტარობის კარგავებს, მაღალ გამორთვის შესაძლებლობას, გამორჩევად თერმულ სიკეთეს და შესანიშნავ ექსპლუატაციურ სინდარს. ისინი შეიმუშავებულია იმის უზრუნველყოფად, რომ უზრუნველყოფონ სტაბილური და გრძელვადი ექსპლუატაცია მკაცრი სამრეწველო პირობებში.
Ასიმეტრიული IGCT მოდულები ფართოდ გამოიყენება მაღალი ძაბვის ინვერტერებში, სამრეწველო რექტიფიკატორულ ძაბვის მომარაგების სისტემებში, მაღაროების აწევის სისტემებში, რკინიგზის ტრაქციაში, ენერგიის ხარისხის გაუმჯობესების სისტემებში, დიდი ძრავების მარეგულირებლებში და აღადგენადი ენერგიის ენერგიის გარდაქმნის სისტემებში.
Ძირითადი მახასიათებლები:
Მაღალი ძაბვის შესაძლებლობა საშუალო- და მაღალი სიმძლავრის გამოყენების სფეროებში
Მაღალი დენის შესაძლებლობა დიდზომიერი სიმძლავრის გარდაქმნის სისტემებში
Დაბალი გატარების კონდუქციური დანაკლისები სისტემის ეფექტურობის გასაუმჯობესებლად
Სწრაფი გამორთვის მოსამზადებლობა დინამიკური რეაგირების გასაუმჯობესებლად
Მაღალი სანდოობა უწყვეტი საინდუსტრიო ექსპლუატაციისთვის
Მაღალი სიმძლავრის სიმჭიდროვის დიზაინი კომპაქტური ელექტროენერგეტიკური სისტემებისთვის
Განსაკუთრებული ელექტროული მოხდელობითა და სანდოობით გამორჩევადი ასიმეტრიული IGCT მოდულები წარმოადგენენ ძირევი ნახსენების ამონაგებს შემდეგი თაობის მაღალეფექტურობის და მაღალსანდოობის ელექტროენერგეტიკური სისტემებისთვის.
YT-ASC40L6500IC
Ძირითადი პარამეტრები
V DRM |
6500 |
V |
Ის TGQM |
4000 |
Ა |
Ის TSM |
26 |
kA |
V Და |
1.88 |
V |
რ T |
0.56 |
mQ |
V DClink |
4000 |
V |
Დაბლოკვის მონაცემები
Სიმბოლო |
Პირობები |
Მ იმ |
Ტიპური |
Მ აქს |
|
V DRM |
T Vj =125℃, I D ≤I DRM, t p =10ms |
- |
- |
6500 |
V |
Ის DRM |
T Vj =125℃, V D =V DRM, t p =10ms |
- |
- |
50 |
mA |
d v /dt |
T Vj =125℃, V D =0.67V DRM |
- |
- |
1000 |
V/μS |
V DClin Კ |
Მუდმივი DC ძაბვა 100 FIT შეცდომის მაჩვენებლისთვის GCT |
- |
- |
4000 |
V |
V RRM |
\ |
- |
- |
17 |
V |
Ჩართული მდგომარეობის მონაცემები
Სიმბოლო |
Პირობები |
Მ იმ |
Ტიპური |
Მ აქს |
|
Ის DC |
T C = 85 ℃, DC, Ორმხრივი გაგრილება |
- |
- |
2000 |
Ა |
|
Ის TSM
Ის 2t
|
T Vj = 125 ℃, sin cE ნახევარი ტალღა , 10ms,
V D =V Რ =0
|
-
-
|
-
-
|
26
338
|
KA
104Ა 2 ს
|
V TM |
T Vj = 125℃, I T =4000A |
- |
3.75 |
4.11 |
V |
|
V Და
რ T
|
T Vj = 125℃, I T = 1000… 4000A |
- |
- |
1.88
0.55
|
V
მ ω
|
Ჩართვის მონაცემები
Სიმბოლო |
Გამოცდის პირობები |
Მ იმ |
Ტიპური |
Მ აქს |
|
დი T /dt |
TVJ = 125 ℃, IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz |
- |
- |
5000 |
A/ μ ს |
t don |
T Vj = 125 ℃, I T = 5000A, V D = 4000V,
di /dt = V D /Lის , რომელიც CL =20μF, L ის = 3μH, L CL = 0.3μH
|
- |
- |
3 |
μ ს |
t donSF |
- |
- |
7 |
μ ს |
t რ |
- |
- |
1 |
μ ს |
Ე ზე |
- |
- |
3.3 |
Ჯ |
Გამორთვის მონაცემები
Სიმბოლო |
Პირობები |
Მ იმ |
Ტიპური |
Მ აქს |
|
Ის TGQM |
T Vj = 125℃, V Dm ≤ V DRM , V D =4000V, L CL = 0.3μH,
C CL = 20μF, R Ს = 0. 4ω ，f=0..300Hz
D Წინადადება = D CL = FY B 1100-60
|
- |
- |
4000 |
Ა |
t doff |
T Vj = 125℃, Ის TGQ = 4000A, V D =4000V,
V Dm ≤ V DRM , C CL = 20μF, Რ Ს = 0.4 ω,
Ლ ის =3μH, Ლ CL = 0.3μH
D Წინადადება = D CL = FYB 1100-60
|
- |
- |
8 |
μ ს |
t doffSF |
- |
- |
7 |
μ ს |
t f |
- |
- |
1 |
μ ს |
Ე გათიშული |
- |
442.5 |
46.3 |
Ჯ |
Თერმული მონაცემები
Სიმბოლო |
Გამოცდის პირობები |
Მ იმ |
Ტიპური |
Მ აქს |
|
|
T Vj
T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო
|
/ |
0
-40
|
- |
125
60
|
℃
℃
|
|
Რ thJC
Რ thCH
|
Ორმხრივი გაგრილება |
-
-
|
-
-
|
8.5
3
|
K/kW
K/kW
|
Გეით ერთეული
Სიმბოლო |
Გამოცდის პირობები |
Მ იმ |
Ტიპური |
Მ აქს |
|
V GIN RMS |
DC ძაბვა ან AC კვადრატული ტალღის ამპლიტუდა (15kHz - 100kHz). არ არის გალვანური იზოლაცია ენერგიის წრეზე. |
28 |
- |
40 |
V |
P GIN Მაქს. |
/ |
- |
- |
130 |
W |
Ის GIN MIN |
Მინიმალური დენი საჭირო გეით ერთეულის ჩართვისთვის |
2 |
- |
- |
Ა |
Ის GIN MAX |
Გამართული საშუალო მიმდინარე შეზღუდვა
გეით ერთეული
|
- |
- |
8 |
Ა |
Ოპტიკური კონტროლის შესავალი/გამოსავალი
|
t on(min)
t off(min)
|
/ |
40
40
|
-
-
|
-
-
|
μ ს
μ ს
|
|
P on CS
P O ff CS
P on SF
P გათიშული SF
|
Ვალიდურია 1მმ პლასტიკური ოპტიკური ბოჭკოსთვის (POF) |
-15
-
-19
-
|
-
-
-
-
|
-1
-45
-1
-50
|
დბმ
დბმ
დბმ
დბმ
|
|
t GLITCH
t რეტრიგი
|
Მაქსიმალური პულსის სიგრძე უპასუხოდ
/
|
-
700
|
-
-
|
400
1100
|
n
n
|
CS |
Agilent ，Ტიპი: HFBR-2521 |
SF |
Agilent ，Ტიპი: HFBR-1521 |
EN
