統合型逆電圧遮断機能 システム設計の簡素化に貢献；
高電圧・大電流対応能力 大規模電力変換アプリケーション向け；
極めて低い導通損失 エネルギー効率の向上に寄与；
高速ターンオフ機能 優れたスイッチング性能を実現；
先進的なプレスパック・パッケージ設計 両面冷却機能を備えた；
電気的・熱的・機械的なストレス条件下でも高い信頼性を実現； .
高圧直流送電（HVDC）；
柔軟交流送電システム（FACTS）；
中電圧および高電圧用コンバータ；
鉄道牽引電力システム；
大規模産業用電源；
再生可能エネルギーおよび系統連系型電力変換システム；
エネルギー貯蔵および高電力変換用途。
YT-RBC52L3300IC
主要パラメータ
V DRM |
V |
3300 |
V RRM |
V |
3300 |
私 TGQM |
A |
5200 |
私 ターミナル・マスク |
A |
27×103 |
V ～ |
V |
1.20 |
バー T |
mΩ |
0.26 |
V D |
V |
2000 |
ブロッキング データ
シンボ l |
単位 |
条件 |
分 |
種類 |
最大 |
V DRM |
V |
ゲートユニットの電源投入 , T j =90℃,I D ≤私 DRM ,tp=10ms |
|
|
3300 |
V RRM |
V |
ゲートユニットの電源投入 , T j =90℃,I バー ≤私 RRM ,tp=10ms |
|
|
3300 |
私 DRM |
mA |
ゲートユニットの電源投入 , T j =90℃バイト D=V DRM ,tp=1 0ms |
|
|
200 |
私 RRM |
mA |
ゲートユニットの電源投入 , T j =90℃バイト バー =V RRM ,tp= 10ms |
|
|
200 |
V D |
V |
ゲートユニットに電源を投入します。 T j =90℃、I D ≤私 DM |
|
|
2000 |
シンボ l |
単位 |
条件 |
分 |
種類 |
最大 |
私 TAV |
A |
T c =70℃, 正弦半波 両面冷却 |
|
1200 |
|
私 試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験 |
A |
|
2500 |
|
|
私 ターミナル・マスク |
A |
t p =10ms, T j =90℃ 正弦半波 サージ後は電圧を印加しません。 |
|
|
27×103 |
私 2t |
A2秒 |
3.92×106 |
|||
V ティム |
V |
私 ティム =4000A、T j =90℃ |
|
2.25 |
|
V ～ |
V |
T j =90℃ 私 T =1000～7000A |
|
1.20 |
|
バー T |
mΩ |
|
0.26 |
シンボ l |
単位 |
条件 |
分 |
種類 |
最大 |
|
ディ T /dt（クレジット） |
A/μs |
f=0～1000Hz、 T j =25℃ 、 90℃、I T ＝5200A、 V D= 2000V、I ティム ≤6000A |
|
|
1000 |
t オンに |
μs |
V D＝2000V、T j =90℃ 私 T ＝5200A、di/dt＝V D/L私 L私 ＝3μH CCL ＝10μF、L CL ＝0.3μH DCL ＝D Fwd |
|
10 |
|
t d(オン)SF |
μs |
|
7 |
|
|
t バー |
μs |
|
4 |
|
|
Eオン |
J |
|
4 |
|
|
|
私 TGQM |
A |
V D≤V DRM , T j =90℃ V D=2000V、R 秒 =0.35Ω CCL ＝10μF、L CL ≤0.3μH DCL ＝D Fwd |
|
|
5200 |
t d (オフ ) |
μs |
V D＝2000V、T j =90℃ V D≤V DRM で 秒 =0.35Ω 私 TGQ =5200A、L 私 ＝3μH CCL ＝10μF、L CL ＝0.3μH DCL ＝D Fwd |
|
50 |
|
t d(オフ)SF |
μs |
|
7 |
|
|
Eオフ |
J |
|
50 |
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