逆-blocking統合ゲート換流サイリスタ(RB-IGCT)モジュール rB-IGCTモジュールは、次世代の高電圧電力変換システム向けに設計された先進的な高出力半導体デバイスです。内蔵の逆電圧遮断機能を備え、厳しいエネルギー変換用途において優れた電気的性能、高い信頼性、および卓越した効率を実現します。
確立されたIGCT技術と先進的な プレスパック封止技術 を基に開発されたRB-IGCTモジュールは、サイリスタデバイスが持つ超低導通損失や大電流対応能力といった長所に加え、高速かつ効率的なゲート制御によるターンオフ性能を兼ね備えています。堅牢なプレスパック構造により、優れた熱性能、機械的強度、および厳しい電気・熱ストレス下での信頼性の高い動作が可能となっています。
統合型逆電圧遮断機能により、RB-IGCTモジュールは追加の逆電圧保護部品を必要としないため、システム設計が簡素化され、電力密度および全体的なシステム信頼性が向上します。
統合型逆電圧遮断機能 システム設計の簡素化に貢献;
高電圧・大電流対応能力 大規模電力変換アプリケーション向け;
極めて低い導通損失 エネルギー効率の向上に寄与;
高速ターンオフ機能 優れたスイッチング性能を実現;
先進的なプレスパック・パッケージ設計 両面冷却機能を備えた;
電気的・熱的・機械的なストレス条件下でも高い信頼性を実現; .
高圧直流送電(HVDC);
柔軟交流送電システム(FACTS);
中電圧および高電圧用コンバータ;
鉄道牽引電力システム;
大規模産業用電源;
再生可能エネルギーおよび系統連系型電力変換システム;
エネルギー貯蔵および高電力変換用途。


YT-RBC5580Y11
主要パラメータ
V DRM |
8000 |
V |
V RRM |
8000 |
V |
こ TGQM |
6600 |
A |
こ T(AV) |
3290 |
A |
こ ターミナル・マスク |
40 |
kA |
V に |
1.25 |
V |
バー T |
0.26 |
mΩ |
バー thJC |
3.6 |
K/ kW |
用途
・直流回路 |
・ブレーカー付きハイブリッド換流コンバータ |
特長
・高耐電流性能 |
・低導通損失 |
・順方向および逆方向の両方の遮断機能 |
・自己エネルギー取得機能 |
ブロッキング データ
シンボ l |
仕様 |
条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
単位 |
V DRM |
繰り返しピークオフステート電圧 |
ゲートユニット電源投入時 ,T Vj =90℃,こ D ≤こ DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
こ DRM |
反復ピーク遮断状態電流 |
ゲートユニット電源投入時 ,T Vj =90℃,V D ≤V DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
mA |
V RRM |
反復ピーク逆電圧 |
ゲートユニット電源投入時 ,T Vj =90℃,こ バー ≤こ RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
こ RRM |
反復ピーク逆遮断電流 |
ゲートユニット電源投入時 ,T Vj =90℃,V バー ≤V RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
mA |
V GRM |
反復ピーク逆ゲート電圧 |
/ |
- |
- |
24 |
V |
こ D(直流) |
直流遮断電流 |
ゲートユニット電源投入時 ,T Vj =90℃,V D (DC )=6450V |
- |
- |
40 |
mA |
こ R(直流) |
直流逆電流 |
ゲートユニット電源投入時 ,T Vj =90℃,V バー (DC )=6450V |
- |
- |
40 |
mA |
V ラン |
逆方向長時間アバランチ電圧 |
ゲートユニット電源投入時 , T Vj =90℃ ,t p =250μs/2 500μs |
- |
- |
8500 |
V |
こ ラン |
逆方向長時間アバランチ電流 |
ゲートユニット電源投入時 , T Vj =90℃ ,t p =250μs/2 500μs |
- |
- |
30 |
A |
V 循環水養魚システム (RAS) |
逆方向短時間アバランチ電圧 |
ゲートユニット電源投入時 , T Vj =90℃ ,t p= 1.5μs/50μs |
- |
- |
8900 |
V |
こ 循環水養魚システム (RAS) |
逆方向短時間アバランチ電流 |
ゲート 単位 電源オン時、 T Vj =90℃ ,t p= 1.5μs/50μs |
- |
- |
50 |
A |
d v /dt |
オフステート電圧の急激な上昇率 |
ゲートユニット電源投入時 ,T Vj =90℃,V DM =6400V |
- |
- |
4000 |
V/ μs |

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