TG1800HF17H1-S500,IGBTモジュール,ハーフブリッジIGBT,CRRC

符号 シンボル

参数名 仕様

テスト条件

試験条件

数値 価値

単位 単位

V CES

集電極 —発射極電圧

集合器-放出器の電圧

V 遺伝子組み換え = 0V T C= 25 °C

1700

V

V 総エネルギー

ゲート —発射極電圧

ゲート・エミッター・ボルト

T C= 25 °C

± 20

V

IC

集電極電流

コレクタ-エミッタ電流

T C = 85 °C, T vj 最大 = 175°C

1800

A

IC(PK)

集電极峰值電流

ピークコレクタ電流

t P=1ms

3600

A

P最大

トランジスタ部分最大損失

最大トランジスタ電力損失

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kW

I2t

ダイオード I2t 值 ダイオード I2t

V バー =0V t P = 10ms T vj = 175 °C

551

kA2秒

V 孤立

绝缘電圧 (模块 )

分離 電圧 —平均 モジュール

短接 すべての端子,端子と基板間への電圧加熱 （接続端子 s から ベースプレート）, AC RMS,1 単位で 50Hz T C= 25 °C

4000

V

パラメータ シンボル

説明

説明

值 価値

単位 単位

爬電距離

漏れ距離

端子 —ラジエーター

Terminal to 熱シンク

36.0

mm

端子 —端子

ターミナルからターミナルへ

28.0

mm

絶縁間隙 クリアランス

端子 —ラジエーター

Terminal to 熱シンク

21.0

mm

端子 —端子

ターミナルからターミナルへ

19.0

mm

相対漏電起痕指数

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 シンボル

参数名 仕様

テスト条件

試験条件

最小値 分。

典型値 タイプする

最大値 マックス。

単位 単位

バー ポイント (j-c) IGBT

IGBT 結晶ケース熱抵抗

熱的 抵抗 – IGBT

16

K \/ kW

バー ポイント (j-c) ダイオード

二極管結壳熱抵抗

熱的 抵抗 – ダイオード

33

K \/ kW

バー () () IGBT

接触熱抵抗 (IGBT)

熱的 抵抗 –

ヒートシンク用ケース (IGBT)

取り付けトルク 5Nm, 導熱脂 1W／m・K 取り付けトルク 5Nm,

とともに 設置方法 グリース 1W／m・K

14

K \/ kW

バー () () ダイオード

接触熱抵抗 (Diode)

熱的 抵抗 –

ヒートシンク用ケース (Diode)

取り付けトルク 5Nm, 導熱脂 1W／m・K 取り付けトルク 5Nm,

とともに 設置方法 グリース 1W／m・K

17

K \/ kW

T バイト

動作結温

動作接合部 温度

IGBT チップ ( IGBT )

-40

150

°C

ダイオードチップ ( ダイオード )

-40

150

°C

T sTG

保存温度

保管温度範囲

-40

150

°C

分

取り付けトルク

ネジトルク

取り付け固定用 – M5 設置方法 – M5

3

6

Nm

回路相互接続用 – M4

電気接続 – M4

1.8

2.1

Nm

回路相互接続用 – M8

電気接続 – M8

8

10

Nm

符号 シンボル

参数名 仕様

テスト条件

試験条件

最小値 分。

典型値 タイプする

最大値 マックス。

単位 単位

バー ポイント (j-c) IGBT

IGBT 結晶ケース熱抵抗

熱的 抵抗 – IGBT

16

K \/ kW

バー ポイント (j-c) ダイオード

二極管結壳熱抵抗

熱的 抵抗 – ダイオード

33

K \/ kW

バー () () IGBT

接触熱抵抗 (IGBT)

熱的 抵抗 –

ヒートシンク用ケース (IGBT)

取り付けトルク 5Nm, 導熱脂 1W／m・K 取り付けトルク 5Nm,

とともに 設置方法 グリース 1W／m・K

14

K \/ kW

バー () () ダイオード

接触熱抵抗 (Diode)

熱的 抵抗 –

ヒートシンク用ケース (Diode)

取り付けトルク 5Nm, 導熱脂 1W／m・K 取り付けトルク 5Nm,

とともに 設置方法 グリース 1W／m・K

17

K \/ kW

T バイト

動作結温

動作接合部 温度

IGBT チップ ( IGBT )

-40

150

°C

ダイオードチップ ( ダイオード )

-40

150

°C

T sTG

保存温度

保管温度範囲

-40

150

°C

分

取り付けトルク

ネジトルク

取り付け固定用 – M5 設置方法 – M5

3

6

Nm

回路相互接続用 – M4

電気接続 – M4

1.8

2.1

Nm

回路相互接続用 – M8

電気接続 – M8

8

10

Nm

符号 シンボル

参数名 仕様

テスト条件

試験条件

最小値 分。

典型値 タイプする

最大値 マックス。

単位 単位

バー 25

定格抵抗値

率定 耐性

T C = 25 °C

5

kΩ

△バー /R

R100 偏差

100 °Cからの偏差 R100

T C = 100 °C, バー 100=493Ω

-5

5

%

P25

消費電力

パワー消費

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

B- 值

B値

バー 2 = バー 25経験 [B 25/501/T 2 — 1/(298.15 K)]

3375

K

B 25/80

B- 值

B値

バー 2 = バー 25経験 [B 25/801/T 2 — 1/(298.15 K)]

3411

K

B 25/100

B- 值

B値

バー 2 = バー 25経験 [B 25/1001/T 2 — 1/(298.15 K)]

3433

K

符号 シンボル

参数名 仕様

条件

試験条件

最小値 分。

典型値 タイプする

最大値 マックス。

単位 単位

ICES

集電極カットオフ電流

コレクターの切断電流

V 遺伝子組み換え = 0V V CE = V CES

1

mA

V 遺伝子組み換え = 0V V CE = V CES , T vj =150 °C

40

mA

V 遺伝子組み換え = 0V V CE = V CES , T vj =175 °C

60

mA

I総エネルギー

ゲートリーク電流

ゲート 漏れ電流

V 遺伝子組み換え = ±20V V CE = 0V

0.5

微分数

V 遺伝子組み換え (TH)

ゲート —エミッタ閾値電圧 ゲート 限界電圧

IC = 60mA, V 遺伝子組み換え = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (サット) (*1)

集電極 —エミッタ飽和電圧

コレクター・エミッター飽和度

電圧

V 遺伝子組み換え =15V IC = 1800A

1.70

V

V 遺伝子組み換え =15V IC = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V 遺伝子組み換え =15V IC = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

IF

ダイオード正方向直流電流 ダイオード前流

DC

1800

A

IFRM

二極管正向繰り返しピーク電流 ダイオード ピークフォワード電流 nt

t P = 1ミリ秒

3600

A

V F (*1)

二極管正向電圧

ダイオード前向き電圧

IF = 1800A, V 遺伝子組み換え = 0

1.60

V

IF = 1800A, V 遺伝子組み換え = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

IF = 1800A, V 遺伝子組み換え = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

ISC

短絡電流

ショートサーキット 現在の

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V 遺伝子組み換え ≤15V t p ≤10μs,

V CE(最大) = V CES – L(*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

Cies

输入電容量

入力容量

V CE = 25V V 遺伝子組み換え = 0V f = 電気回線

542

ロープ

Qg

ゲートチャージ

ゲートチャージ

±15V

23.6

微分

Cres

逆伝送容量

逆転移容量

V CE = 25V V 遺伝子組み換え = 0V f = 電気回線

0.28

ロープ

LsCE

モジュールの寄生インダクタンス

モジュール寄生 inducta について

8.4

nH

バー CC ’+ロープ ’

モジュールリード抵抗、端子 —チップ 分 odule lead 抵抗、 terminal-chip

各スイッチごと

per switch

0.20

mΩ

バー ゲント

内部ゲート抵抗

内部ゲート 抵抗

1

ω

符号 シンボル

参数名 仕様

テスト条件

試験条件

最小値 分。

典型値 タイプする

最大値 マックス。

単位 単位

t 消して

オフ遅延時間

オフ遅延時間

IC =1800A,

V CE = 900V,

V 遺伝子組み換え = ±15V バー 消去する ＝ 0.5Ω, L秒 = 25nH,

d v ／dt =3800V／μs (T vj = 150 °C）。

T vj = 25 °C

1000

nS

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

下降時間 秋の時間

T vj = 25 °C

245

nS

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

Eオフ

遮断損失

切断時のエネルギー損失

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t オンに

開通遅延時間

オンする遅延時間

IC =1800A,

V CE = 900V,

V 遺伝子組み換え = ±15V バー オーバー ＝ 0.5Ω, L秒 = 25nH,

d i ／dt = 8500A／μs (T vj = 150 °C）。

T vj = 25 °C

985

nS

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t バー

立ち上がり時間 昇る時間

T vj = 25 °C

135

nS

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

Eオン

開通損失

オンするエネルギー 損失

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Qロープ

二極管逆回復電荷 ダイオード 逆

リカバリーチャージ

IF =1800A, V CE = 900V,

- わかった i F /dt = 8500A／μs (T vj = 150 °C）。

T vj = 25 °C

420

微分

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

Iロープ

二極管逆回復電流 ダイオード 逆

回復電流

T vj = 25 °C

1330

A

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

Eレス

二極管逆回復損失 ダイオード 逆

回復エネルギー

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420