TG1800HF17H1-S500,IGBTモジュール,ハーフブリッジIGBT,CRRC

符号 シンボル

参数名 パラメータ

テスト条件

試験条件

数値 価値

単位 ユニット

V CES

集電極 -発射極電圧

集合器-放出器の電圧

V 遺伝子組み換え = 0V T C = 25 °C

1700

V

V 総エネルギー

ゲート -発射極電圧

ゲート・エミッター・ボルト

T C = 25 °C

± 20

V

わかった C

集電極電流

コレクタ-エミッタ電流

T C = 85 °C, T vj マックス = 175°C

1800

A

わかった C(PK)

集電极峰值電流

ピークコレクタ電流

t P =1ms

3600

A

P マックス

トランジスタ部分最大損失

最大トランジスタ電力損失

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kW

わかった 2t

ダイオード わかった 2t 值 ダイオード わかった 2t

V R =0V t P = 10ms T vj = 175 °C

551

kA 2s

V 孤立

绝缘電圧 (模块 )

分離 圧力は - 平均 モジュール

短接 すべての端子,端子と基板間への電圧加熱 （接続端子 s から ベースプレート）, AC RMS,1 単位で 50Hz T C = 25 °C

4000

V

パラメータ シンボル

説明

説明

值 価値

単位 ユニット

爬電距離

漏れ距離

端子 -ラジエーター

Terminal to 熱シンク

36.0

mm

端子 -端子

ターミナルからターミナルへ

28.0

mm

絶縁間隙 クリアランス

端子 -ラジエーター

Terminal to 熱シンク

21.0

mm

端子 -端子

ターミナルからターミナルへ

19.0

mm

相対漏電起痕指数

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 シンボル

参数名 パラメータ

テスト条件

試験条件

最小値 分。

典型値 タイプする

最大値 マックス。

単位 ユニット

R ポイント (j-c) IGBT

IGBT 結晶ケース熱抵抗

熱的 抵抗 – IGBT

16

K \/ kW

R ポイント (j-c) ダイオード

二極管結壳熱抵抗

熱的 抵抗 – ダイオード

33

K \/ kW

R () () IGBT

接触熱抵抗 (IGBT)

熱的 抵抗 –

ヒートシンク用ケース (IGBT)

取り付けトルク 5Nm, 導熱脂 1W／m・K 取り付けトルク 5Nm,

と マウント グリース 1W／m・K

14

K \/ kW

R () () ダイオード

接触熱抵抗 (Diode)

熱的 抵抗 –

ヒートシンク用ケース (Diode)

取り付けトルク 5Nm, 導熱脂 1W／m・K 取り付けトルク 5Nm,

と マウント グリース 1W／m・K

17

K \/ kW

T バイト

動作結温

動作接合部 温度

IGBT チップ ( IGBT )

-40

150

°C

ダイオードチップ ( ダイオード )

-40

150

°C

T sTG

保存温度

保管温度範囲

-40

150

°C

M

取り付けトルク

ネジトルク

取り付け固定用 – M5 マウント – M5

3

6

Nm

回路相互接続用 – M4

電気接続 – M4

1.8

2.1

Nm

回路相互接続用 – M8

電気接続 – M8

8

10

Nm

符号 シンボル

参数名 パラメータ

テスト条件

試験条件

最小値 分。

典型値 タイプする

最大値 マックス。

単位 ユニット

R ポイント (j-c) IGBT

IGBT 結晶ケース熱抵抗

熱的 抵抗 – IGBT

16

K \/ kW

R ポイント (j-c) ダイオード

二極管結壳熱抵抗

熱的 抵抗 – ダイオード

33

K \/ kW

R () () IGBT

接触熱抵抗 (IGBT)

熱的 抵抗 –

ヒートシンク用ケース (IGBT)

取り付けトルク 5Nm, 導熱脂 1W／m・K 取り付けトルク 5Nm,

と マウント グリース 1W／m・K

14

K \/ kW

R () () ダイオード

接触熱抵抗 (Diode)

熱的 抵抗 –

ヒートシンク用ケース (Diode)

取り付けトルク 5Nm, 導熱脂 1W／m・K 取り付けトルク 5Nm,

と マウント グリース 1W／m・K

17

K \/ kW

T バイト

動作結温

動作接合部 温度

IGBT チップ ( IGBT )

-40

150

°C

ダイオードチップ ( ダイオード )

-40

150

°C

T sTG

保存温度

保管温度範囲

-40

150

°C

M

取り付けトルク

ネジトルク

取り付け固定用 – M5 マウント – M5

3

6

Nm

回路相互接続用 – M4

電気接続 – M4

1.8

2.1

Nm

回路相互接続用 – M8

電気接続 – M8

8

10

Nm

符号 シンボル

参数名 パラメータ

テスト条件

試験条件

最小値 分。

典型値 タイプする

最大値 マックス。

単位 ユニット

R 25

定格抵抗値

率定 抵抗

T C = 25 °C

5

kΩ

△ R /R

R100 偏差

100 °Cからの偏差 R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

消費電力

パワー消費

T C = 25 °C

20

mW

B について 25/50

B- 值

B値

R 2 = R 25経験 [B 25/50 1/T 2 - 1／(298.15 K)]

3375

K

B について 25/80

B- 值

B値

R 2 = R 25経験 [B 25/80 1/T 2 - 1／(298.15 K)]

3411

K

B について 25/100

B- 值

B値

R 2 = R 25経験 [B 25/100 1/T 2 - 1／(298.15 K)]

3433

K

符号 シンボル

参数名 パラメータ

条件

試験条件

最小値 分。

典型値 タイプする

最大値 マックス。

単位 ユニット

わかった CES

集電極カットオフ電流

コレクターの切断電流

V 遺伝子組み換え = 0V V CE = V CES

1

mA

V 遺伝子組み換え = 0V V CE = V CES , T vj =150 °C

40

mA

V 遺伝子組み換え = 0V V CE = V CES , T vj =175 °C

60

mA

わかった 総エネルギー

ゲートリーク電流

ゲート 漏れ電流

V 遺伝子組み換え = ±20V V CE = 0V

0.5

微分数

V 遺伝子組み換え (TH)

ゲート -エミッタ閾値電圧 ゲート 限界電圧

わかった C = 60mA, V 遺伝子組み換え = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (サット) ポイント

集電極 -エミッタ飽和電圧

コレクター・エミッター飽和度

圧力は

V 遺伝子組み換え =15V わかった C = 1800A

1.70

V

V 遺伝子組み換え =15V わかった C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V 遺伝子組み換え =15V わかった C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

わかった F

ダイオード正方向直流電流 ダイオード前流

DC

1800

A

わかった FRM

二極管正向繰り返しピーク電流 ダイオード ピークフォワード電流 nt

t P = 1ミリ秒

3600

A

V F ポイント

二極管正向電圧

ダイオード前向き電圧

わかった F = 1800A, V 遺伝子組み換え = 0

1.60

V

わかった F = 1800A, V 遺伝子組み換え = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

わかった F = 1800A, V 遺伝子組み換え = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

わかった SC

短絡電流

ショートサーキット 現在

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V 遺伝子組み換え ≤ 15V t p ≤ 10μs,

V CE(最大) = V CES – L ポイント ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C ies

输入電容量

入力容量

V CE = 25V V 遺伝子組み換え = 0V f = 電気回線

542

ロープ

Q g

ゲートチャージ

ゲートチャージ

±15V

23.6

微分

C res

逆伝送容量

逆転移容量

V CE = 25V V 遺伝子組み換え = 0V f = 電気回線

0.28

ロープ

L sCE

モジュールの寄生インダクタンス

モジュール寄生 inducta について

8.4

nH

R CC + ロープ ’

モジュールリード抵抗、端子 -チップ M odule lead 抵抗力 terminal-chip

各スイッチごと

per switch

0.20

mΩ

R ゲント

内部ゲート抵抗

内部ゲート 抵抗

1

ω

符号 シンボル

参数名 パラメータ

テスト条件

試験条件

最小値 分。

典型値 タイプする

最大値 マックス。

単位 ユニット

t 消して

オフ遅延時間

オフ遅延時間

わかった C =1800A,

V CE = 900V,

V 遺伝子組み換え = ± 15V R 消去する ＝ 0.5Ω, L S = 25nH,

d v ／dt =3800V／μs (T vj = 150 °C）。

T vj = 25 °C

1000

nS

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

下降時間 秋の時間

T vj = 25 °C

245

nS

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

E オフ

遮断損失

切断時のエネルギー損失

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t オンに

開通遅延時間

オンする遅延時間

わかった C =1800A,

V CE = 900V,

V 遺伝子組み換え = ± 15V R オーバー ＝ 0.5Ω, L S = 25nH,

d わかった ／dt = 8500A／μs (T vj = 150 °C）。

T vj = 25 °C

985

nS

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t r

立ち上がり時間 昇る時間

T vj = 25 °C

135

nS

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

E On

開通損失

オンするエネルギー 損失

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Q ロープ

二極管逆回復電荷 ダイオード 逆

リカバリーチャージ

わかった F =1800A, V CE = 900V,

- わかった わかった F /dt = 8500A／μs (T vj = 150 °C）。

T vj = 25 °C

420

微分

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

わかった ロープ

二極管逆回復電流 ダイオード 逆

回復電流

T vj = 25 °C

1330

A

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

E レス

二極管逆回復損失 ダイオード 逆

回復エネルギー

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420