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YMIF250-65 元 CRRC IGBT モジュール 6500V 250A 高電圧トランジスタチョッパー離れ型半導体モジュール

YMIF250-65 元 CRRC IGBT モジュール 6500V 250A 高電圧トランジスタチョッパー離れ型半導体モジュール

紹介

会社概要

北京ワールドEトゥテクノロジー有限公司は、輸出入資格を持つ技術ベースの企業です。革新と優秀さの原則に基づき、半導体の代替ソリューションと技術の最前線に立ち、半導体製品の設計、受託カスタマイズ、および流通に特化しています。協力パートナーの選択において厳格な基準を持ち、トップクラスの設計および製造技術を持つ技術企業やメーカーのみと提携しています。工場の自動送信ラインの最適化のカスタマイズは、私たちの受託生産のもう一つの重要な部分です。

私たちの製品

1	IGBT モジュールおよびドライバー
2	IGCTモジュールおよびドライバー
3	インバーターコアボード
4	ダイオードモジュール
5	スリスター・モジュール
6	流感センサー
7	容量
8	抵抗
9	ソリッドステートリレー
10	産業用ロボットおよびコア部品
11	民間無人航空機およびコア部品

製品の説明

特徴

(1) AISiCベースプレート高出力サイクリング能力のために
(2) AIN 基板低熱抵抗のために
(3) SPT+チップセットによる低スイッチング損失
(4) について低ドライビング電力

(5) 低VCEsat

典型的な用途

(1) 牽引駆動
(2) モータコントローラー
(3) DC 機動車
(4) について高電圧インバータ/コンバータ

年間給付額

6500V/250A 高電圧IGBTモジュール

主要パラメータ

シンボル	説明	価値	ユニット
V _CES		6500	V
V _衛星	タイプする	4.3	V
わかった _C	マックス。	250	A について
わかった _Cm	ICRM	500	A について

絶対最大格付け

パラメータ	シンボル	条件	ほんの少し	マックス	ユニット
集合器-放出器の電圧	総額	VGE =0V,Tvj ≥ 25°C		6500	V
DCコレクタ電流	集積回路	TC =80°C		250	A について
ピークコレクタ電流	ICM	tp=1ms,Tc=80°C		500	A について
ゲート・エミッター・ボルト	VGES		-20	20	V
総電力損失	Ptot	TC =25°C,スイッチごと(IGBT)		3200	W について
DC順方向電流	IF			250	A について
ピーク順方向電流	IFRM	tp=1ms		500	A について
IGBT 短絡 SOA	tpsc	VCC =4400V,VCEMCHIP ≤ 6500V		10	μs
絶縁電圧	Visol	1分,f=50Hz		10200	V
接合温度	Tvj			125	°C
接合動作温度	Tvj(op)		-50	125	°C
ケース温度	TC		-50	125	°C
保管温度	ターゲット・ストーブ		-50	125	°C
取り付けトルク	Ms		4	6	Nm
	MT1		8	10