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一般的な説明
このタイプ のIGBT パワーモジュールは超
低導通ロスおよび短絡堅牢性を提供します。
それらは次のような用途向けに設計されています。
風力および太陽光発電。
1 |
IGBT モジュール およびドライバー |
2 |
IGCTモジュール およびドライバー |
3 |
FRDモジュール |
4 |
ダイオードモジュール |
5 |
スリスター・モジュール |
6 |
流感センサー |
7 |
容量 |
8 |
抵抗 |
9 |
ソリッドステートリレー |
10 |
産業用ロボットおよびコア部品 |
11 |
民間無人航空機およびコア部品 |
シンボル |
説明 |
価値 |
ユニット |
V CES |
集合器-放出器の電圧 |
1700 |
V |
V 総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
V |
わかった C |
コレクタ電流 @ T C =25℃ @ T C =100℃ |
1073 650 |
A について |
わかった Cm |
パルスコレクター電流 t p =1ms |
1300 |
A について |
P D
|
最大電源 消耗 @ T j =175℃ |
4200 |
W について |
シンボル |
説明 |
価値 |
ユニット |
V RRM
|
繰り返しのピーク逆電圧 |
1700 |
V |
わかった F |
ダイオード 連続前流 |
650 |
A について |
わかった Fm |
ダイオード最大順方向電流 t p =1ms |
1300 |
A について |
シンボル |
説明 |
価値 |
ユニット |
T jmax
|
交差点最大温度 |
175 |
°C |
T ショウジョウ
|
交差点の動作温度 |
-40から+150 |
°C |
T STG |
保管温度範囲 |
-40から+125 |
°C |
V ISO
|
隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 |
4000 |
V |
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