1 |
IGBT モジュール およびドライバー |
2 |
IGCTモジュール およびドライバー |
3 |
インバーターコアボード |
4 |
ダイオードモジュール |
5 |
スリスター・モジュール |
6 |
流感センサー |
7 |
容量 |
8 |
抵抗 |
9 |
ソリッドステートリレー |
10 |
産業用ロボットおよびコア部品 |
11 |
民間無人航空機およびコア部品 |
シンボル |
説明 |
価値 |
ユニット |
V CES |
1700 |
V |
|
V 衛星
|
タイプする |
1.75 |
V |
わかった C
|
マックス。 |
2400 |
A について |
わかった C(RM)
|
IC(RM) |
4800 |
A について |
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
価値 |
ユニット |
V CES
|
集合器-放出器の電圧 |
V 遺伝子組み換え = 0V, T C = 25 °C |
1700 |
V |
V 総エネルギー
|
ゲート・エミッター・ボルト |
T C = 25 °C |
±20 |
V |
わかった C
|
コレクタ-エミッタ電流 |
T C = 75°C |
2400 |
A について |
わかった C(PK)
|
ピークコレクタ電流 |
t P =1ms |
4800 |
A について |
P マックス
|
最大トランジスタ電力損失 |
Tvj= 150°C, TC= 25 °C |
19200 |
W について |
わかった 2t |
ダイオード I 2t |
V R =0V, T P = 10ms, Tvj= 150 °C |
1170 |
kA 2機能を備えている |
Visol |
モジュールごとの絶縁電圧 |
（基板に共通端子）、 AC RMS,1分間, 50Hz,T C = 25 °C
|
4000 |
V |
Q 病状
|
モジュールごとの部分放電 |
IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V，50HzRMS |
10 |
pC |
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
マックス。 |
価値 |
ユニット |
|
R th(J-C) IGBT |
熱抵抗 – IGBT |
6.5 |
K / kW |
°C |
|||
R th(J-C) ダイオード |
熱抵抗 – ダイオード |
13 |
K / kW |
°C |
|||
R th(C-H) IGBT |
熱抵抗 – ケースからヒートシンクまで (IGBT) |
取り付けトルク 5Nm, 取り付けグリース 1W/m·°C |
6 |
K / kW |
°C |
||
T vj
|
交差点の動作温度 |
IGBT |
-40 |
150 |
°C |
||
ダイオード |
-40 |
150 |
°C |
||||
M |
ネジトルク |
取り付け –M6 |
5 |
nm |
|||
電気接続 –M4 |
2 |
nm |
|||||
電気接続 –M8 |
10 |
nm |
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
わかった CES
|
コレクターの切断電流 |
V 遺伝子組み換え = 0V,V CE = V CES
|
1 |
mA |
||
V 遺伝子組み換え = 0V, V CE = V CES , T C =125 °C |
40 |
mA |
||||
V 遺伝子組み換え = 0V, V CE = V CES , T C =150 °C |
60 |
mA |
||||
わかった 総エネルギー
|
ゲート漏れ電流 |
V 遺伝子組み換え = ±20V, V CE = 0V |
1 |
微分数 |
||
V GE (TH)
|
ゲート 限界電圧 |
わかった C = 40mA, V 遺伝子組み換え = V CE
|
5.0 |
6.0 |
7.0 |
V |
V CE （サテライト）
|
コレクタ-エミッタ飽和電圧 |
VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C |
1.75 |
V |
||
VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C |
1.95 |
V |
||||
VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C |
2.05 |
V |
||||
わかった F
|
ダイオード前流 |
DC |
2400 |
A について |
||
わかった FRM
|
ダイオードピーク前電流 |
t P = 1ms |
4800 |
A について |
||
V F
|
ダイオード前向き電圧 |
わかった F = 250A, V 遺伝子組み換え = 0 |
1.65 |
V |
||
わかった F = 250A, V 遺伝子組み換え = 0、T vj = 125 °C |
1.75 |
V |
||||
わかった F = 250A, V 遺伝子組み換え = 0、T vj = 150 °C |
1.75 |
V |
||||
わかった SC
|
短絡電流 |
Tvj= 150°C, V CC = 1000V、 V 遺伝子組み換え ≤15V, tp≤10μs, V CE(最大) = V CES –L(*2)×di/dt、 IEC 6074-9 |
12000 |
A について |
||
サイエス |
入力容量 |
V CE = 25V, V 遺伝子組み換え = 0V, f = 100kHz |
400 |
ロープ |
||
司令部 |
ゲートチャージ |
±15 |
19 |
微分 |
||
クレス |
逆転移容量 |
V CE = 25V, V 遺伝子組み換え = 0V, f = 100kHz |
3.0 |
ロープ |
||
L M
|
モジュール誘導力 |
10 |
nH |
|||
R INT
|
内部トランジスタ抵抗 |
110 |
mΩ |
T 事例 = 25°C ただし特に指定がない場合 |
||||||||||||
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
ほんの少し |
タイプ |
マックス |
ユニット |
||||||
t 消して
|
オフ遅延時間 |
わかった C ＝ 2400A V CE ＝ 900V L 機能を備えている ～ 50nH V 遺伝子組み換え ＝ ±15V R オーバー ＝ 0.5Ω R 消去する ＝ 0.5Ω |
2320 |
nS |
||||||||
E オフ
|
切断時のエネルギー損失 |
500 |
mJ |
|||||||||
t オンに
|
オンする遅延時間 |
1050 |
nS |
|||||||||
E On
|
オンする時のエネルギー損失 |
410 |
mJ |
|||||||||
Q ロープ
|
ダイオード逆回復電荷 |
わかった F ＝ 2400A V CE ＝ 900V diF/dt =10000A/us |
480 |
微分 |
||||||||
わかった ロープ
|
ダイオード逆回復電流 |
1000 |
A について |
|||||||||
E レス
|
ダイオード逆回復エネルギー |
320 |
mJ |
|||||||||
T 事例 ＝ 150°C ただし、別段の表示がない場合に限る
|
||||||||||||
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
ほんの少し |
タイプ |
マックス |
ユニット |
||||||
t 消して
|
オフ遅延時間 |
わかった C ＝ 2400A V CE ＝ 900V L 機能を備えている ～ 50nH V GE = ±15V R オーバー ＝ 0.5Ω R G(OFF )＝ 0.5Ω |
2340 |
nS |
||||||||
E オフ
|
切断時のエネルギー損失 |
1400 |
mJ |
|||||||||
t オンに
|
オンする遅延時間 |
450 |
nS |
|||||||||
E On
|
オンする時のエネルギー損失 |
820 |
mJ |
|||||||||
Q ロープ
|
ダイオード逆回復電荷 |
わかった F ＝ 2400A V CE ＝ 900V diF/dt =10000A/us |
820 |
微分 |
||||||||
わかった ロープ
|
ダイオード逆回復電流 |
1250 |
A について |
|||||||||
E レス
|
ダイオード逆回復エネルギー |
620 |
mJ |
|||||||||
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