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平面型MOSFET

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平面型MOSFET

平面型MOSFET、400V～800V

高電圧平面型MOSFETシリーズ製品は、先進的な平面技術を用いて設計・製造されており、400Vから800Vまでの電圧範囲をカバーしています。

Brand:

Spu:

平面型MOSFET

紹介

紹介

高電圧プレーナー型MOSFET（プレーナー型MOSFET）は、電圧制御式のマルチジャンクションデバイスであり、入力インピーダンスが高く、スイッチング速度が速く、ドライブ電力が低く、広い安全動作領域（SOA）および優れた温度安定性といった特長を備えています。スイッチング電源、自動車用電子機器、産業用制御など、さまざまな分野で広く使用されています。
高電圧プレーナー型MOSFETシリーズ製品は、先進的なプレーナー技術を用いて設計・製造されており、400Vから800Vまでの電圧範囲をカバーしています。

利点：

高いアバランチ耐量
強い衝撃に耐えます
優れたEMI互換性
充実した製品ラインナップ

広い応用応用分野：

アダプター
充電器
TV用電源
個
LED

平面型MOSFETの回路図

高压平面MOSFET剖面示意图(5613daba06).png

プレーナーMOSFETとスーパージャンクションMOSFETの比較

MOSFETカタログ

--プランナー型MOSFET

部品番号	わかった D (A) 25 ℃	RDS(ON) (Ω) （VGs=10V時）		Qg (nC) （VGs=10V時）	VGS (V)	VGs(th) (V)	パッケージ
		RDS(ON) (Ω) （VGs=10V時）		Qg (nC) （VGs=10V時）		VGs(th) (V)
		タイプする	マックス。	タイプする		タイプする
電圧レベル：400V
LNG7N40	7	0.96	1.2	11.4	30	3	TO-252

電圧レベル：450V
LNG10N45	10	0.50	0.5	6 20.3	±30	3	TO-252

電圧レベル：500V
LNG3N50B	2.5	3.1	3.6	6.3	±30	3	TO-252
LNG3N50	3	3	3.6	7.2	30	3	TO-252
LNG5N50C	5	2.05	2.4	9.5	30	3	TO-252
LND5N50	5	1.35	1.6	12.4	30	3	TO-220F
LNG5N50	5	1.38	1.6	13.2	30	3	TO-252
LNH5N50	5	1.35	1.6	12.4	30	3	TO-251
LNC5N50	5	1.35	1.6	12.4	30	3	TO-220
LND9N50	9	0.66	0.8	22.6	30	3	TO-220F
LNG9N50	9	0.66	0.8	22.6	30	3	TO-252
LND13N50	14	0.38	0.46	37.7	30	3	TO-220F
LNC13N50	14	0.38	0.46	37.7	30	3	TO-220
LND16N50	16	0.26	0.36	51.9	±30	3	TO-220F
LND20N50W	20	0.23	0.29	50.5	30	3	TO-220F
LNE20N50W	20.7	0.24	0.29	55.2	±30	3	TO-263
LND18N50	21	0.24	0.28	59.6	30	3	TO-220F
LNDN18N50	21	0.24	0.28	59.6	30	3	TO-220NF
LNE18N50	21.6	0.248	0.28	58.7	±30	3	TO-263
LNA20N50W	22	0.23	0.29	58.8	±30	3	To-3p
LND25N50W	25	0.16	0.2	74.2	30	3	TO-220F
LNA25N50W	25	0.16	0.2	77.8	±30	3	To-3p
LNB25N50W	28	0.16	0.2	74.2	±30	3	ポイント

電圧レベル：650V
LND2N65	2	4.2	5.2	8.6	30	3	TO-220F
LNC2N65	2	4.2	5.2	8.6	30	3	TO-220
LNG2N65	2	4.2	5.2	8.6	30	3	TO-252
LNH2N65	2	4.2	5.2	8.6	30	3	TO-251
LND4N65	4	2.18	2.7	13.3	30	3	TO-220F
LNF4N65	4	2.18	2.7	13.3	30	3	TO-262
LNG4N65	4	2.18	2.7	13.3	30	3	TO-252
LNH4N65	4	2.18	2.7	13.3	30	3	TO-251
LND5N65B	5	1.8	2.1	16.1	30	3	TO-220F
LNH5N65B	5	1.8	2.1	16.1	30	3	TO-251
LNG5N65B	5	1.8	2.1	16.1	30	3	TO-252
LNC7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-220
LND7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-220F
LNF7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-262
LNG7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-252
LNH7N65D	7	1.2	1.4	23.5	30	3	TO-251
LNDN7N65D	7	1.1	1.4	23.5	30	3	TO-220F
LNC10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-220
LND10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-220F
LNDN10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-220NF
LNE10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-263
LNF10N65	10	0.81	1	32.9	30	3	TO-262
LNC12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-220
LND12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-220F
LNDN12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-220NF
LNE12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-263
LNF12N65	12	0.64	0.8	39.6	30	3	TO-262
LNC16N65	16	0.48	0.6	53.9	30	3	TO-220
LND16N65	16	0.48	0.6	48.2	30	3	TO-220F
LNC20N65	20	0.42	0.5	58.1	30	3	TO-220
LND20N65	20	0.42	0.5	58.1	30	3	TO-220F
LNB20N65	20	0.4	0.5	58.4	30	3	ポイント

電圧レベル：700V
LND6N70	6	1.25	1.6	21.8	30	3	TO-220F
LNG6N70	6	1.28	1.6	22	30	3	TO-252
LND12N70W	12	0.72	0.8	37.6	30	3	TO-220NF
LND15N70	15	0.52	0.6	50	30	3	TO-220F

電圧レベル：800V
LND4N80	4	3.4	3.8	16.5	30	3	TO-220F
LNH4N80	4	3.4	3.8	16.5	30	3	TO-251
LNG4N80	4	3.4	3.8	16.5	30	3	TO-252
LND8N80W	8	1.58	1.8	35.5	30	3	TO-220F
LND10N80	10	0.68	0.9	61.6	30	3.07	TO-220F

当社について

当社はIGBT製品の応用に注力しています。IGBTの応用を基盤として、高級カスタムパワーアセンブリの製品ラインを拡大するとともに、自動制御製品分野への進出も果たしています。これにはADC／DAC、LDO、計測用増幅器、電磁リレー、フォトMOS、MOSFETなどが含まれます。このようにして、中国のトップメーカーと専門分野で協力し合い、顧客に信頼性が高く費用対効果の高い製品を提供しています。
革新と卓越性を理念として設立され、半導体代替ソリューションおよび技術の最先端に立っています。
私たちのビジョンは、中国製を通じて顧客に代替ソリューションを提供し、彼らのアプリケーションソリューションのコストパフォーマンスを向上させ、サプライチェーンの安全性を確保することです。