MK(H)x150 MK150 、高速オフスイッチング Thyristor モジュール、空冷

VRRM,VDRM

タイプとアウトライン

600V

試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験

MHx150-06-413F3D チェックリスト

800V

試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験用品の試験

MHx150-08-413F3D チェックリスト

1000V

試験用機種

MHx150-10-413F3D チェックリスト

1200V

試験用機種

MHx150-12-413F3D チェックリスト

1400V

試験用機種

MHx150-14-413F3D について

1600V

試験用機種

MHx150-16-413F3D について

1800V

試験用機種

MHx150-18-413F3D チェックリスト

1800V

機体について

シンボル

特徴

試験条件

Tj( °C )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180違う 半シナス波 50Hz 片側冷却 Tc=85 °C

125

150

A について

IT(RMS)

RMSオン状態電流

236

A について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

vDRMおよびVRRMで

125

50

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=60%VRRM

125

3.4

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

58

10³A について ²s

VTO

限界電圧

125

1.78

V

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.70

m

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=450A

25

2.65

V

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

ゲートソース 1.5A

tr ≤0.5μs 繰り返し

125

200

A/μs

tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

IGT

ゲートトリガ電流

VA= 12V, IA= 1A

25

30

180

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

2.5

V

IH

ホールディング電流

20

200

mA

ラング

ラッチ電流

1000

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

チップごとに単側冷却

0.130

°C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

チップごとに単側冷却

0.030

°C /W

ヴィソ

絶縁電圧

50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

Fm

端子接続トルク(M8)

10.0

12.0

N·m

取り付けトルク(M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

接合温度

-40

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

125

°C

ワット

重量

770

g

概要

413F3D