IGCT,非対称IGCTデバイス,SC3.CRC 2200-45,CCRC ,逆導通

V _DRM

4500

V

わかった _TGQM

2200

A について

わかった _{ターミナル・マスク}

20

kA

V オー

1.31

V

r _T

0.373

mΩ

V _DCリンク

2800

V

符号

参数名

最小

典型

最大

単位

F

締付力

36

40

44

kN

D p

台面直径

-

85

-

mm

H

管殻高さ

-

26

-

mm

m

質量

-

2.8

-

体重

D s

爬電距離

33

-

-

mm

D a について

放電距離

10

-

-

mm

わかった

IGCT 長さ

-

439

-

mm

h

IGCT 高さ

-

41

-

mm

w について

IGCT 宽度

-

174

-

mm

符 号

参 数 名 称

条 件

最 小

典 型

最 大

単 位

V DRM

断状態繰り返しピーク電圧

ゲートユニットの電源投入 , T VJ = 125°C わかった D ≤ わかった DRM, t p = 10ms

-

-

4500

V

わかった DRM

断状態繰り返しピーク電流

ゲートユニットの電源投入 , T VJ = 125°C V D = ポイント V DRM, t p = 10ms

-

-

50

mA

V DCリンク

中間直流電圧

ゲートユニットの電源投入 百フィート 失効率が許容する中間直流電圧

-

-

2800

V

V RRM

逆電圧

/

-

-

17

V

符 号

参 数 名 称

条 件

最 小

典 型

最 大

単 位

わかった T(AV) わかった 試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験

通状態平均電流

通状態二乗平均電流

T C=85°C 正弦半波 , 両面冷却

-

-

-

-

1130

1800

A について

A について

わかった ターミナル・マスク

わかった 2t

通状態非繰り返しサージ電流

電流平方時間積

T Vj =

125°C 正弦半波 , 10ms, V D = ポイント V R = 0

-

-

-

-

20

200

kA

104A2s

V ティム

通状態電圧

T Vj =

125°C わかった T = 2200A

-

-

2.24

V

V オー

r T

閾値電圧

傾斜抵抗

T Vj =

125°C わかった T = 400...3000A

-

-

-

-

1.31

0.373

V

mΩ

符 号

参 数 名 称

条 件

最 小

典 型

最 大

単 位

d わかった T /dt

通状態電流臨界上昇率

T Vj = 125°C わかった T = 2200A V D=2800V

f =0.500Hz, わかった ティム ≤ 試験用燃料の燃料の供給量

-

-

650

A/μs

t don

開通遅延時間

-

3

μs

t ダンSF

開通フィードバック遅延時間

T Vj = 125°C わかった T = 2200A V D=2800V

CCL = 10μF,d わかった /dt = V D/Li,RS = 0.4Ω

-

-

7

μs

t r

陽極電圧下降時間

L i = 3μH L CL = 0.3μH,DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

E on

単脈冲開通エネルギー

-

-

0.9

J

符 号

参 数 名 称

条 件

最 小

典 型

最 大

単 位

わかった TGQM

最大遮断電流

T VJ = 125°C V DM ≤ V DRM, V D=2800V L CL ≤ 0.3μH C CL = 10μF R S = 0.4Ω,DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

2200

A について

t ほら

オフ遅延時間

-

-

7

μs

t doffSF について

遮断フィードバック遅延時間

T Vj = 125°C わかった TGQ = 2200A V D=2800V

V DM ≤ V DRM, C CL = 10μF R S = 0.4Ω

-

-

7

μs

t f

下降時間

L i = 3μH L CL = 0.3μH,DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

E オフ

単脈冲遮断エネルギー

-

-

12

J

符 号

参 数 名 称

条 件

最 小

典 型

最 大

単 位

わかった F(AV)

わかった F (RMS )

正方向平均電流

T C = 85°C , 正弦半波

-

-

405

A について

正方向二乗平均平方根電流

-

-

635

A について

わかった FSM

わかった 2t

浪涌電流

電流平方時間積

t p = 10ms T VJ = 125°C V R = 0V

-

-

11

kA

-

-

60.5

104A2s

V F

通状態電圧

わかった F = 2200A T VJ = 125°C

-

-

3.93

V

V (F0)

r F

閾値電圧

傾斜抵抗

T VJ = 125°C わかった F=400...3000A

-

-

2.32

V

-

-

0.735

mΩ

符 号

参 数 名 称

条 件

最 小

典 型

最 大

単 位

V FR

正方向回復ピーク電圧

d わかった F/d t = 650A/μs T VJ = 125°C

-

-

80

V

符 号

参 数 名 称

条 件

最 小

典 型

最 大

単 位

T Vj

動作結温範囲

0

-

125

°C

T STG

保存温度範囲

/

0

-

60

°C

T AMB

環境温度範囲

0

-

50

°C

GCT R thJC GCT

結晶ケース熱抵抗

接触熱抵抗

両面冷却

-

-

-

-

0.0126

0.0042

総量

総量

FRD R thJC FRD

結晶ケース熱抵抗

接触熱抵抗

両面冷却

-

-

-

-

0.0260

0.0104

総量

総量