DG120X07T2、IGBTディスクリート、STARPOWER

シンボル

商品説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

650

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

こ C

コレクタ電流 @ T C =25主 C @ T C =135主 C

240

120

A

こ Cm

パルス 収集家 現在の t p 限定された によって T jmax

360

A

P D

最大電源 消耗 @ T j =175主 C

893

W

シンボル

商品説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

650

V

こ F

ダイオード 連続前流 @ T C =25主 C @ T C =80主 C

177

120

A

こ Fm

ダイオード 最大の フォワード 現在の t p 限定された によって T jmax

360

A

シンボル

商品説明

バリュー

単位

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から175

主 C

T STG

保管温度範囲

-55から+150

主 C

T S

溶接温度1.6mmf ロームケース 10s

260

主 C

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

こ C =120A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25主 C

1.40

1.85

V

こ C =120A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150主 C

1.70

こ C =120A,V 遺伝子組み換え =15V T j =175主 C

1.75

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

こ C =1.92mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25主 C

5.1

5.8

6.5

V

こ CES

収集家 切断 -オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25主 C

250

uA

こ 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25主 C

200

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

/

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

14.1

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.42

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.86

uC

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =300V,I C =120A バー G =7.5Ω

V 遺伝子組み換え =±15V L S =40nH ,T j =25主 C

68

nS

t バー

昇る時間

201

nS

t 消して

切断する 遅延時間

166

nS

t f

秋の時間

54

nS

E を

オン スイッチング 損失

7.19

mJ

E オフ

切断する 損失

2.56

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =300V,I C =120A バー G =7.5Ω

V 遺伝子組み換え =±15V L S =40nH ,T j =150主 C

70

nS

t バー

昇る時間

207

nS

t 消して

切断する 遅延時間

186

nS

t f

秋の時間

106

nS

E を

オン スイッチング 損失

7.70

mJ

E オフ

切断する 損失

2.89

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =300V,I C =120A バー G =7.5Ω

V 遺伝子組み換え =±15V L S =40nH ,T j =175主 C

71

nS

t バー

昇る時間

211

nS

t 消して

切断する 遅延時間

195

nS

t f

秋の時間

139

nS

E を

オン スイッチング 損失

7.80

mJ

E オフ

切断する 損失

2.98

mJ

こ SC

SC データ

t P ≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 主 C,V CC =300V V 単数 ≤650V

600

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 圧力は

こ F =120A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25主 C

1.65

2.10

V

こ F =120A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150主 C

1.60

こ F =120A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =175主 C

1.60

t ロープ

逆ダイオード 回復時間

V バー =300V,I F =120A

-di/dt=450A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =40nH ,T j =25主 C

184

nS

Q バー

回収された電荷

1.65

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

17.2

A

E レス

逆転回復 エネルギー

0.23

mJ

t ロープ

逆ダイオード 回復時間

V バー =300V,I F =120A

-di/dt=450A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =40nH ,T j =150主 C

221

nS

Q バー

回収された電荷

3.24

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

23.1

A

E レス

逆転回復 エネルギー

0.53

mJ

t ロープ

逆ダイオード 回復時間

V バー =300V,I F =120A

-di/dt=450A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =40nH ,T j =175主 C

246

nS

Q バー

回収された電荷

3.98

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

26.8

A

E レス

逆転回復 エネルギー

0.64

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

単位

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.168 0.369

総量

バー ザ

接続と環境

40

総量