DG120X07T2、IGBTディスクリート、STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

650

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=135o C

240

120

A

ICm

パルス 収集家 現在の t p 限定的 著者： T jmax

360

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

893

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

650

V

IF

ダイオード 連続前流 @ T C=25o C @ T C=80o C

177

120

A

IFm

ダイオード 最大の フォワード 現在の t p 限定的 著者： T jmax

360

A

シンボル

説明

バリュー

単位

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から175

o C

T STG

保管温度範囲

-55から+150

o C

T 秒

溶接温度1.6mmf ロームケース 10s

260

o C

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=120A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=120A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

1.70

IC=120A,V 遺伝子組み換え =15V T j =175o C

1.75

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=1.92mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.1

5.8

6.5

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

250

uA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

200

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

/

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

14.1

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.42

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.86

uC

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =300V,I C=120A バー G=7.5Ω

V 遺伝子組み換え =±15V L秒 =40nH ,T j =25o C

68

nS

t バー

昇る時間

201

nS

t 消して

切断する 遅延時間

166

nS

t f

秋の時間

54

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

7.19

mJ

Eオフ

切断する 損失

2.56

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =300V,I C=120A バー G=7.5Ω

V 遺伝子組み換え =±15V L秒 =40nH ,T j =150o C

70

nS

t バー

昇る時間

207

nS

t 消して

切断する 遅延時間

186

nS

t f

秋の時間

106

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

7.70

mJ

Eオフ

切断する 損失

2.89

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =300V,I C=120A バー G=7.5Ω

V 遺伝子組み換え =±15V L秒 =40nH ,T j =175o C

71

nS

t バー

昇る時間

211

nS

t 消して

切断する 遅延時間

195

nS

t f

秋の時間

139

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

7.80

mJ

Eオフ

切断する 損失

2.98

mJ

ISC

SC データ

t P≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 o C,V CC =300V V 単数 ≤650V

600

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =120A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =120A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.60

IF =120A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =175o C

1.60

t ロープ

逆ダイオード 回復時間

V バー =300V,I F =120A

-di/dt=450A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L秒 =40nH ,T j =25o C

184

nS

Qバー

回収された電荷

1.65

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

17.2

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

0.23

mJ

t ロープ

逆ダイオード 回復時間

V バー =300V,I F =120A

-di/dt=450A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L秒 =40nH ,T j =150o C

221

nS

Qバー

回収された電荷

3.24

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

23.1

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

0.53

mJ

t ロープ

逆ダイオード 回復時間

V バー =300V,I F =120A

-di/dt=450A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L秒 =40nH ,T j =175o C

246

nS

Qバー

回収された電荷

3.98

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

26.8

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

0.64

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.168 0.369

総量

バー ザ

接続と環境

40

総量