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IGBT ディスクレート

IGBT ディスクレート

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DG120X07T2、IGBTディスクリート、STARPOWER

1200V、120A

Brand:
ストアパワー
Spu:
試験用品の種類
  • 紹介
紹介

優しい思い出 :F またはそれ以上 IGBT ディスクレート , メールを送ってください。

特徴

  • 低VCE(sat)トレンチIGBT技術
  • 低切換損失
  • 最大接合温度 175oC
  • 陽性温度係数を持つ VCE (sat)
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • 鉛のないパッケージ

典型的な アプリケーション

  • モータードライブ用インバータ
  • ACおよびDCサーボドライブアンプ
  • 無停電電源装置

絶対値 最大 レーティング T C =25 o C しない限り 違うなら 記載

IGBT

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

650

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =135 について o C

240

120

A について

わかった Cm

パルス 収集家 現在 t p 限定された by T jmax

360

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

893

W について

ダイオード

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

650

V

わかった F

ダイオード 連続前流 @ T C =25 o C @ T C =80 について o C

177

120

A について

わかった Fm

ダイオード 最大 フォワード 現在 t p 限定された by T jmax

360

A について

機密

シンボル

説明

バリュー

ユニット

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から175

o C

T STG

保管温度範囲

-55から+150

o C

T S

溶接温度1.6mmf ロームケース 10s

260

o C

IGBT 特徴 T C =25 o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =120A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.40

1.85

V

わかった C =120A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

1.70

わかった C =120A,V 遺伝子組み換え =15V T j =175 o C

1.75

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =1.92 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.1

5.8

6.5

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

250

uA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

200

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

/

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

14.1

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.42

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.86

uC

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =300V,I C =120A R G =7.5Ω

V 遺伝子組み換え =±15V L S =40 nH ,T j =25 o C

68

nS

t r

昇る時間

201

nS

t 消して

切断する 遅延時間

166

nS

t f

秋の時間

54

nS

E on

オン スイッチング 損失

7.19

mJ

E オフ

切断する 損失

2.56

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =300V,I C =120A R G =7.5Ω

V 遺伝子組み換え =±15V L S =40 nH ,T j =150 について o C

70

nS

t r

昇る時間

207

nS

t 消して

切断する 遅延時間

186

nS

t f

秋の時間

106

nS

E on

オン スイッチング 損失

7.70

mJ

E オフ

切断する 損失

2.89

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =300V,I C =120A R G =7.5Ω

V 遺伝子組み換え =±15V L S =40 nH ,T j =175 o C

71

nS

t r

昇る時間

211

nS

t 消して

切断する 遅延時間

195

nS

t f

秋の時間

139

nS

E on

オン スイッチング 損失

7.80

mJ

E オフ

切断する 損失

2.98

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =300V V 単数 ≤650V

600

A について

ダイオード 特徴 T C =25 o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =120A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.65

2.10

V

わかった F =120A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C

1.60

わかった F =120A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 75o C

1.60

t ロープ

逆ダイオード 回復時間

V R =300V,I F =120A

-di/dt=450A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =40 nH ,T j =25 o C

184

nS

Q r

回収された電荷

1.65

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

17.2

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

0.23

mJ

t ロープ

逆ダイオード 回復時間

V R =300V,I F =120A

-di/dt=450A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =40 nH ,T j =150 について o C

221

nS

Q r

回収された電荷

3.24

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

23.1

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

0.53

mJ

t ロープ

逆ダイオード 回復時間

V R =300V,I F =120A

-di/dt=450A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =40 nH ,T j =175 o C

246

nS

Q r

回収された電荷

3.98

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

26.8

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

0.64

mJ

機密 特徴 T C =25 o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.168 0.369

総量

R

接続と環境

40

総量

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