GD75PFX170C6SG,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

139

75

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

150

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

559

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

75

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

150

A

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

2000

V

IO

平均出力電流 5 0Hz／60Hz、正弦波

75

A

IFSM

サージ前方電流 t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

1440

1206

A

I2t

I2t値,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

10368

7272

A2秒

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

最大接合部温度（インバータ） 最大接合部温度（整流器）

175

150

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

2.25

IC=75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=3.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

8.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

9.03

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.22

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.71

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=75A, バー G=6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L秒 =46nH ,T vj =25o C

236

nS

t バー

昇る時間

42

nS

t 消して

切断する 遅延時間

356

nS

t f

秋の時間

363

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

17.3

mJ

Eオフ

切断する 損失

11.7

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=75A, バー G=6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L秒 =46nH ,T vj =125o C

252

nS

t バー

昇る時間

48

nS

t 消して

切断する 遅延時間

420

nS

t f

秋の時間

485

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

27.1

mJ

Eオフ

切断する 損失

16.6

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=75A, バー G=6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L秒 =46nH ,T vj =150o C

275

nS

t バー

昇る時間

50

nS

t 消して

切断する 遅延時間

432

nS

t f

秋の時間

524

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

27.9

mJ

Eオフ

切断する 損失

17.7

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =1000V

,

V 単数 ≤1700V

300

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.90

IF =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L秒 =46nH ,T vj =25o C

10.3

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

84

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

7.44

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =75A,

-di／dt=1100A／μs,V 遺伝子組み換え =-15V L秒 =46nH ,T vj =125o C

20.5

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

87

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

16.1

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =75A,

-di／dt=1060A／μs,V 遺伝子組み換え =15V L秒 =46nH ,T vj =150o C

22.5

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

97

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

19.2

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IC=75A, T vj =150o C

0.95

V

Iバー

逆電流

T vj =150o C,V バー =2000V

3.0

mA

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100 o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2— 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2— 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2— 半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT —インバーター ) 接合部-ケース (ダイオードインバータごと ） 接合部からケースまで（ダイオードごと） 整流用

0.268 0.481 0.289

総量

バー thCH

事例 —～ —熱シンク (perIGBT —インバーター )ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） インバータ用 ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） 整流用 ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.106 0.190 0.114 0.009

総量

分

固定トーク ネジ:M5

3.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g