GD75PFX170C6SG,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

139

75

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

150

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 o C

559

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

75

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

150

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

2000

V

わかった O

平均出力電流 5 0Hz／60Hz、正弦波

75

A について

わかった FSM

サージ前方電流 t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj =150 について o C

1440

1206

A について

わかった 2t

わかった 2t値,t p =10ms @ T vj =25 o C @ T vj =150 について o C

10368

7272

A について 2s

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

最大接合部温度（インバータ） 最大接合部温度（整流器）

175

150

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.85

2.20

V

わかった C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C

2.25

わかった C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C

2.35

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =3.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

8.5

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

9.03

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.22

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.71

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L S =46 nH ,T vj =25 o C

236

nS

t r

昇る時間

42

nS

t 消して

切断する 遅延時間

356

nS

t f

秋の時間

363

nS

E on

オン スイッチング 損失

17.3

mJ

E オフ

切断する 損失

11.7

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L S =46 nH ,T vj =125 について o C

252

nS

t r

昇る時間

48

nS

t 消して

切断する 遅延時間

420

nS

t f

秋の時間

485

nS

E on

オン スイッチング 損失

27.1

mJ

E オフ

切断する 損失

16.6

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L S =46 nH ,T vj =150 について o C

275

nS

t r

昇る時間

50

nS

t 消して

切断する 遅延時間

432

nS

t f

秋の時間

524

nS

E on

オン スイッチング 損失

27.9

mJ

E オフ

切断する 損失

17.7

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について o C ,V CC =1000V

,

V 単数 ≤1700V

300

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =12 5o C

1.90

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =46 nH ,T vj =25 o C

10.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

84

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

7.44

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =75A,

-di／dt=1100A／μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V L S =46 nH ,T vj =125 について o C

20.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

87

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

16.1

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =75A,

-di／dt=1060A／μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =46 nH ,T vj =150 について o C

22.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

97

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

19.2

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった C =75A, T vj =150 について o C

0.95

V

わかった R

逆電流

T vj =150 について o C ,V R =2000V

3.0

mA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の R 100

T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT -インバーター ) 接合部-ケース (ダイオードインバータごと ） 接合部からケースまで（ダイオードごと） 整流用

0.268 0.481 0.289

総量

R thCH

事例 -オー -熱シンク (perIGBT -インバーター )ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） インバータ用 ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） 整流用 ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.106 0.190 0.114 0.009

総量

M

固定トーク ネジ:M5

3.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g