GD75PFX170C6SG,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

商品説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

こ C

コレクタ電流 @ T C =25主 C @ T C =100主 C

139

75

A

こ Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

150

A

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175主 C

559

W

シンボル

商品説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

こ F

ダイオード 連続前向きCu rrent

75

A

こ Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

150

A

シンボル

商品説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

2000

V

こ 主

平均出力電流 5 0Hz／60Hz、正弦波

75

A

こ FSM

サージ前方電流 t p =10ms @ T vj =25主 C @ T vj =150主 C

1440

1206

A

こ 2t

こ 2t値,t p =10ms @ T vj =25主 C @ T vj =150主 C

10368

7272

A 2s

シンボル

商品説明

価値

単位

T vjmax

最大接合部温度（インバータ） 最大接合部温度（整流器）

175

150

主 C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

主 C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

主 C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

こ C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25主 C

1.85

2.20

V

こ C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125主 C

2.25

こ C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150主 C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

こ C =3.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25主 C

5.6

6.2

6.8

V

こ CES

収集家 切断 -オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25主 C

5.0

mA

こ 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25主 C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

8.5

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

9.03

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.22

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.71

微分

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =75A, バー G =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L S =46nH ,T vj =25主 C

236

nS

t バー

昇る時間

42

nS

t 消して

切断する 遅延時間

356

nS

t f

秋の時間

363

nS

E を

オン スイッチング 損失

17.3

mJ

E オフ

切断する 損失

11.7

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =75A, バー G =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L S =46nH ,T vj =125主 C

252

nS

t バー

昇る時間

48

nS

t 消して

切断する 遅延時間

420

nS

t f

秋の時間

485

nS

E を

オン スイッチング 損失

27.1

mJ

E オフ

切断する 損失

16.6

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =75A, バー G =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L S =46nH ,T vj =150主 C

275

nS

t バー

昇る時間

50

nS

t 消して

切断する 遅延時間

432

nS

t f

秋の時間

524

nS

E を

オン スイッチング 損失

27.9

mJ

E オフ

切断する 損失

17.7

mJ

こ SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150主 C ,V CC =1000V

,

V 単数 ≤1700V

300

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 圧力は

こ F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25主 C

1.80

2.25

V

こ F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125主 C

1.90

こ F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150主 C

1.95

Q バー

回収された電荷

V バー =900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =46nH ,T vj =25主 C

10.3

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

84

A

E レス

逆転回復 エネルギー

7.44

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =900V,I F =75A,

-di／dt=1100A／μs,V 遺伝子組み換え =-15V L S =46nH ,T vj =125主 C

20.5

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

87

A

E レス

逆転回復 エネルギー

16.1

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =900V,I F =75A,

-di／dt=1060A／μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =46nH ,T vj =150主 C

22.5

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

97

A

E レス

逆転回復 エネルギー

19.2

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 圧力は

こ C =75A, T vj =150主 C

0.95

V

こ バー

逆電流

T vj =150主 C ,V バー =2000V

3.0

mA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C =100 主 C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2- 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2- 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

単位

バー thJC

接合 -に -事例 (perIGBT -インバーター ) 接合部-ケース (ダイオードインバータごと ） 接合部からケースまで（ダイオードごと） 整流用

0.268 0.481 0.289

総量

バー thCH

事例 -に -熱シンク (perIGBT -インバーター )ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） インバータ用 ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） 整流用 ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.106 0.190 0.114 0.009

総量

M

固定トーク ネジ:M5

3.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g