GD300HFX170C6SA,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

493

300

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

1829

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

600

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.85

2.20

V

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

2.25

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.35

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =12.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.5

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

36.1

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.88

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

2.83

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =300A

R ゲン =3.3Ω R ゲッフ =4.7Ω L S =66nH,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C

265

nS

t r

昇る時間

94

nS

t 消して

切断する 遅延時間

565

nS

t f

秋の時間

326

nS

E on

オン スイッチング 損失

77.6

mJ

E オフ

切断する 損失

52.8

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =300A

R ゲン =3.3Ω R ゲッフ =4.7Ω L S =66nH,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について o C

302

nS

t r

昇る時間

104

nS

t 消して

切断する 遅延時間

631

nS

t f

秋の時間

521

nS

E on

オン スイッチング 損失

108

mJ

E オフ

切断する 損失

72.8

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =300A

R ゲン =3.3Ω R ゲッフ =4.7Ω L S =66nH,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150 について o C

313

nS

t r

昇る時間

108

nS

t 消して

切断する 遅延時間

645

nS

t f

秋の時間

545

nS

E on

オン スイッチング 損失

119

mJ

E オフ

切断する 損失

78.4

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C ,V CC =1000V, V 単数 ≤1700V

1200

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C

1.95

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C

1.90

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =300A

-di/dt=2650A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =66 nH ,T j =25 o C

56.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

228

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

38.4

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =300A

-di/dt=2300A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =66 nH ,T j =125 について o C

89.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

262

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

60.2

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =300A

-di/dt=2250A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L S =66 nH ,T j =150 について o C

102

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

272

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

69.6

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の R 100

T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

R CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.10

mΩ

R thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.082 0.121

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.030 0.045 0.009

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g