GD300HFX170C2S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C= 100o C

493

300

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

600

A

PD

最大電力損失 T =175o C

1829

W

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

2.25

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC= 電気回路 CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

36.1

ロープ

Cres

逆転移転

容量

0.88

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

2.83

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=300A バー G=2.4Ω,

V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

204

nS

t バー

昇る時間

48

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

595

nS

t f

秋の時間

100

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

69.3

mJ

Eオフ

切断する

損失

63.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=300A バー G=2.4Ω

バイト 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

224

nS

t バー

昇る時間

55

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

611

nS

t f

秋の時間

159

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

96.8

mJ

Eオフ

切断する

損失

99.0

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=300A バー G=2.4Ω

バイト 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

240

nS

t バー

昇る時間

55

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

624

nS

t f

秋の時間

180

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

107

mJ

Eオフ

切断する

損失

105

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC = 1000V, V 単数 ≤1700V

1200

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.90

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =300A

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

55

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

297

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

32.2

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =300A

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =125o C

116

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

357

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

68.2

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =300A

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =150o C

396

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

120

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

81.6

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュールリードレジスタ ターミナルからチップへ

0.35

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.082

0.129

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.033

0.051

0.010

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g