デュアルIGBTモジュール
デュアルIGBT(絶縁ゲート bipolar トランジスタ)モジュールは、パワーエレクトロニクス分野における重要な進歩を示しており、単一封入内で2つのIGBTデバイスを組み合わせることで、性能と効率の向上を実現しています。この高度なコンポーネントは、現代の電力変換および制御システムにおいて基盤となる存在です。このモジュールは、逆並列フリーホイールダイオード付きの2つのIGBTを統合しており、双方向での効率的なスイッチングおよび電流制御が可能です。高周波数動作時でも低スイッチング損失を維持しながら、一般的に600Vから6500Vまでの耐圧と50Aから3600Aまでの定格電流を扱うことができます。デュアル構成により、インバータ用途に不可欠なハーフブリッジ構成など、さまざまな回路トポロジーに対応します。直接銅ボンディングや高度な封止技術を含む先進的な熱管理機能により、最適な放熱性と信頼性を確保しています。また、モジュール設計には強化されたゲート制御回路が組み込まれており、正確なスイッチング制御だけでなく、過電流や短絡状態に対する保護機能も提供します。この技術は、高効率と信頼性が最も重要となる、産業用モータードライブ、再生可能エネルギー システム、無停電電源装置、電気自動車のパワートレーンなど、幅広い分野で活用されています。