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IGCT a blocco inverso (RB-IGCT)

IGCT a blocco inverso (RB-IGCT)

Homepage/Prodotti/Modulo IGCT/IGCT a blocco inverso (RB-IGCT)

YT-YT-RBC52L3300IC, Moduli IGCT con blocco in inversione,

3300 V 5200 A

Brand:
YT
Spu:
YT-RBC52L3300IC
Appurtenance:

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  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Vantaggi principali

  • Capacità integrata di blocco da tensione inversa per una progettazione del sistema semplificata;

  • Elevata tensione ed elevata corrente per applicazioni di conversione di potenza su larga scala;

  • Perdite di conduzione ultra-basse per un'efficienza energetica migliorata;

  • Capacità di spegnimento rapido con prestazioni di commutazione eccellenti;

  • Design avanzato del pacchetto press-pack con capacità di raffreddamento su entrambi i lati;

  • Alta affidabilità in condizioni di stress elettrico, termico e meccanico .

Applicazioni

  • Trasmissione in corrente continua ad alta tensione (HVDC);

  • Sistemi flessibili di trasmissione in corrente alternata (FACTS);

  • Convertitori a media e alta tensione;

  • Sistemi di alimentazione per trazione ferroviaria;

  • Alimentatori industriali su larga scala;

  • Sistemi di conversione energetica da fonti rinnovabili e connessi alla rete elettrica;

  • Applicazioni per l’accumulo di energia e la conversione ad alta potenza.

微信图片_20260620071012_866_2.png微信图片_20260801153142_65_2.png

YT-RBC52L3300IC

Parametri principali

V DRM

V

3300

V RRM

V

3300

Io TGQM

A

5200

Io TSM

A

27×103

V A

V

1.20

r T

mΩ

0.26

V D

V

2000

Blocco Dati

Simbolo l

UNITÀ

Condizione

MIN

Tipo

Max

V DRM

V

alimentazione dell'unità del gate , T j =90℃,I D ≤Io DRM , tp=10 ms

3300

V RRM

V

alimentazione dell'unità del gate , T j =90℃,I R ≤Io RRM , tp=10 ms

3300

Io DRM

mA

alimentazione dell'unità del gate , T j =90℃v D=V DRM , tp=1 0ms

200

Io RRM

mA

alimentazione dell'unità del gate , T j =90℃v R =V RRM , tp= 10ms

200

V D

V

alimentazione dell'unità di gate T j = 90 °C, I D ≤Io Dm

2000

Dati sullo Stato

Simbolo l

UNITÀ

Condizione

MIN

Tipo

Max

Io TAV

A

T c =70℃, 正弦半波 raffreddamento su entrambi i lati

1200

Io T (RMS)

A

2500

Io TSM

A

t p = 10 ms, T j =90℃ 正弦半波

nessuna tensione applicata dopo il sovraccarico

27×103

Io 2t

A2s

3.92×106

V TM

V

Io TM = 4000 A, T j =90℃

2.25

V A

V

T j =90℃

Io T = 1000…7000 A

1.20

r T

mΩ

0.26

Dati di accensione

Simbolo l

UNITÀ

Condizione

MIN

Tipo

Max

di T /dt(Cr)

A/μs

f = 0…1000 Hz, T j =25℃ 、 90 °C, I T = 5200 A, V D= 2000 V, I TM ≤ 6000 A

1000

t d (in)

μs

V D= 2000 V, T j =90℃

Io T = 5200 A, di/dt = V D/Lio Lio = 3 μH

CCL = 10 μF, L CL = 0,3 μH DCL = D Fwd

10

t d(on)SF

μs

7

t r

μs

4

Eattivo

J

4

Io TGQM

A

V D≤V DRM , T j =90℃

V D=2000 V, R S =0,35 Ω CCL = 10 μF, L CL ≤0,3 μH DCL = D Fwd

5200

t d (oFF )

μs

V D= 2000 V, T j =90℃ V D≤V DRM , r S =0,35 Ω Io TGQ =5200 A, L io = 3 μH CCL = 10 μF, L CL = 0,3 μH DCL = D Fwd

50

t d(off)SF

μs

7

EoFF

J

50

Outline

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