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Asymmetric IGCT (A-IGCT)

Asymmetric IGCT (A-IGCT)

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YT-ASC80Y6500IC#, IGCT asimmetrico Plus

6500 V, 8000 A, unità di comando integrata per gate

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC80Y6500IC#
Appurtenance:

Scheda Prodotto:Scarica

  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

YT-ASC80Y6500IC#

Applicazioni

  • Convertitore modulare multilivello
  • Compensatore statico di potenza reattiva
  • Convertitore ad alta potenza

Caratteristiche

  • Corrente di resistenza elevata
  • Capacità di avviamento in nero
  • Modalità di cortocircuito per guasto

Chiave Parametri

V DRM

6500

V

S TGQM

8000

A

S TSM

48.2

kA

V A

1.24

V

barra T

0.22

V DClink

4000

V

Blocco Dati

S sIMBOLO

Condizioni

M in

Tipizzazione

M ascia

Unità

V DRM

T VJ = 125 , S D S DRM, t p = 10 ms

-

-

6500

V

S DRM

T VJ = 125 , V D= V DRM, t p = 10 ms

-

-

150

mA

dv/dt

T VJ = 125 , V D = 0,67 V DRM

1000

V/ μs

V DClink

Tensione intermedia in corrente continua consentita per un tasso di guasto di 100 FIT

-

-

4000

V

V RRM

/

-

-

20

V

Stato attivo Dati

Il simbolo

Condizioni

Min

Tipizzazione

Max

Unità

IT(RMS)

T C = 85 ℃, onda sinusoidale semionda, raffreddamento su entrambi i lati

-

-

4290

A

S TSM

S 2t

T Vj = 125 ℃, onda sinusoidale semionda, 10 ms, V D = V Barra =0

-

-

-

-

48.2

1162

kA

104A 2s

V TM

T Vj = 125 ℃, I T = 4000 A

-

2.52

-

V

V A

barra T

T Vj = 125 ℃,

S T = 1000…4000 A

-

-

1.24

0.22

-

-

V mΩ

Accendere Dati

S sIMBOLO

Condizioni

M in

Tipizzazione

M ascia

Unità

d s T /dt

TVJ = 125 , IT = 4000 A, VD = 4000 V, f = 0…500 Hz

-

-

1000

A/ μs

t don

t donSF

t barra

E su

T Vj = 125 , S T = 4000 A, V D = 4000 V, d s /dt = V D/ L i , C CL = 20 μF,

L i = 3 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

-

5

8

1.5

1.5

μs

μs

μs

J

Dati di spegnimento

S sIMBOLO

Condizioni

M in

Tipizzazione

M ascia

Unità

S TGQM

T VJ = 125 , V Dm V DRM, V D = 4000 V, L CL = 0.3μH, C CL = 20 μF, Barra S = 0,5 Ω

-

-

8000

A

t - Non lo so.

t doffSF

t f

E oFF

T Vj = 125 , S TGQ = 8000 A, V D = 4000 V, V Dm V DRM, C CL = 20 μF, Barra S = 4 ω ,

L i = 2 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

84

10

10

1

-

μs

μs

μs

J

Outline

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