Asymmetric IGCT (A-IGCT)

YT-ASC80Y6500IC#, IGCT asimmetrico Plus

6500 V, 8000 A, unità di comando integrata per gate

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Spu:

YT-ASC80Y6500IC#

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Introduzione

YT-ASC80Y6500IC#

Applicazioni

Convertitore modulare multilivello
Compensatore statico di potenza reattiva
Convertitore ad alta potenza

Caratteristiche

Corrente di resistenza elevata
Capacità di avviamento in nero
Modalità di cortocircuito per guasto

Chiave Parametri

V _DRM	6500	V
Io _TGQM	8000	A
Io _TSM	48.2	kA
V A	1.24	V
r _T	0.22	mΩ
V _DClink	4000	V

Blocco Dati

S sIMBOLO	Condizioni	Min	Tipizzazione	Mascia	Unità
V _DRM	T VJ = 125 ℃,Io D≤Io DRM, t p = 10 ms	-	-	6500	V
Io _DRM	T VJ = 125 ℃,V D= V DRM, t p = 10 ms	-	-	150	mA
dv/dt	T VJ = 125 ℃,V D = 0,67 V DRM			1000	V/ μs
V _DClink	Tensione intermedia in corrente continua consentita per un tasso di guasto di 100 FIT	-	-	4000	V
V _RRM	/	-	-	20	V

Stato attivo Dati

Il simbolo	Condizioni	MIN	Tipizzazione	Max	Unità
IT(RMS)	TC = 85 ℃, onda sinusoidale semionda, raffreddamento su entrambi i lati	-	-	4290	A
ITSM I2t	TVJ = 125 ℃, onda sinusoidale semionda, 10 ms, VD = VR = 0	- -	- -	48.2 1162	kA 104A2s
VTM	TVJ = 125 ℃, IT = 4000 A	-	2.52	-	V
VTO	TVJ = 125 ℃,	-	1.24	-
rT	IT = 1000…4000 A	-	0.22		V mΩ

Accendere Dati

Il simbolo

Condizioni

Min

Tipizzazione

Mascia

Unità

diT/dt

TVJ = 125 ℃, IT = 4000 A, VD = 4000 V, f = 0…500 Hz

1000

A/ μs

tdon

tdonSF

t r

E acceso

TVJ = 125 ℃, IT = 4000 A, VD = 4000 V, di/dt = VD/Li, CCL = 20 μF,

Li = 3 μH, LCL = 0,3 μH

1.5

μs

Dati di spegnimento

S sIMBOLO

Condizioni

Min

Tipizzazione

Mascia

Unità

Io _TGQM

T VJ = 125 ℃,V Dm ≤ V DRM, V D = 4000 V, L CL = 0.3μH, C CL = 20 μF, R S = 0,5 Ω

8000

t _{- Non lo so.}

t _doffSF

t _f

E _oFF

T Vj = 125℃,Io TGQ = 8000 A, V D = 4000 V, V Dm ≤ V DRM, C CL = 20 μF, R S = 4 ω ,

L i = 2 μH, L CL = 0.3μH

μs

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