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MOSFET a giunzione superiore

MOSFET a giunzione superiore

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MOSFET a giunzione superiore, 550 V–950 V

I prodotti della serie di MOSFET a giunzione superiore della nostra azienda sono realizzati mediante tecnologie avanzate di trincea profonda e epitassia multipla, caratterizzandosi per una resistenza in conduzione e una carica di gate estremamente basse, con una riduzione significativa delle perdite di conduzione e di commutazione. Sono particolarmente adatti per sistemi di conversione elettronica di potenza ad alta densità di potenza e ad alto rendimento.

Brand:
YT
Spu:
MOSFET a giunzione superiore
Appurtenance:

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  • Introduzione
Introduzione

Vantaggi tecnici del MOSFET a giunzione superiore

Il MOSFET a giunzione superiore introduce il controllo del campo elettrico laterale mediante strutture alternate di colonne di tipo P, sviluppando ulteriormente la progettazione tradizionale VDMOS, il che consente alla distribuzione del campo elettrico verticale di avvicinarsi a una forma rettangolare ideale.

Nelle stesse condizioni di resistenza epitassiale, questa struttura aumenta la capacità di sopportazione della tensione del dispositivo di circa il 20%. Per prodotti una stessa tensione nominale, la tecnologia a giunzione superiore può ridurre la resistenza in conduzione per unità di superficie a meno di 1/8 rispetto alle strutture tradizionali, realizzando un’ottimizzazione sinergica tra perdite di conduzione e caratteristiche di blocco.

I prodotti della serie di MOSFET a giunzione superiore della nostra azienda sono realizzati mediante tecnologie avanzate di trincea profonda e epitassia multipla, caratterizzandosi per una resistenza in conduzione e una carica di gate estremamente basse, con una riduzione significativa delle perdite di conduzione e di commutazione. Sono particolarmente adatti per sistemi di conversione elettronica di potenza ad alta densità di potenza e ad alto rendimento.

Perché scegliere i nostri prodotti della serie MOSFET?

  • Basse perdite di conduzione

  • Basse perdite di commutazione

  • Alta densità di potenza

  • Gamma completa di prodotti

Applicazioni

  • Caricabatterie per veicoli (OBC)
  • Alimentatore per server
  • alimentazione per Comunicazione
  • Convertitore DC/DC montato su veicolo
  • pila di ricarica
  • charger
  • adattatore
  • Alimentazione TV
  • nuova energia
  • LED
  • PC

Diagramma schematico del MOSFET a giunzione superiore (epitassia multipla)

超结MOSFET多次外延示意图.png

Confronto tra MOSFET planare e MOSFET a giunzione superiore

超结MOSFET示意图.png

Chi siamo

Ci concentriamo sul applicazione di prodotti IGBT. Sulla base dell'applicazione di IGBT, abbiamo ampliato il nostro spettro di prodotti alla personalizzazione di Power Assemblies di fascia alta; allo stesso tempo, la nostra attività si è espansa nel campo dei prodotti per il controllo dell'automazione, inclusi ADC/DAC, LDO, amplificatori strumentali, relè elettromagnetici, PhotoMOS e MOSFET. In questo modo, possiamo collaborare con i principali produttori cinesi nei nostri settori di competenza per fornire ai nostri clienti prodotti affidabili ed economici.
Fondati sui principi di innovazione ed eccellenza, siamo in prima linea nelle soluzioni alternative nel settore dei semiconduttori e nella tecnologia.
La nostra visione è fornire soluzioni alternative ai nostri clienti, migliorare il rapporto qualità-prezzo delle loro soluzioni applicative e garantire la sicurezza della loro catena di approvvigionamento attraverso prodotti made in China.

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