DG120X07T2, IGBT discreto, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

650

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=135o C

240

120

A

ICm

Pulsato Collettore Corrente t p limitato di T jmax

360

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

893

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

650

V

IF

Corrente continua in avanti del diodo @ T C=25o C @ T C=80o C

177

120

A

IFM

Diodo Massimo In avanti Corrente t p limitato di T jmax

360

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-55 a +150

o C

T S

Temperatura di Saldatura,1.6mm f rom case for 10s

260

o C

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=120A,V GE = 15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=120A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

IC=120A,V GE = 15V, T j =175o C

1.75

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=1.92mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.1

5.8

6.5

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

250

uA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

200

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

/

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

14.1

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.42

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.86

uC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C=120A, Barra G=7.5Ω,

V GE =± 15V, LS =40nH ,T j =25o C

68

nS

t barra

Tempo di risalita

201

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

166

nS

t f

Tempo di caduta

54

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

7.19

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

2.56

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C=120A, Barra G=7.5Ω,

V GE =± 15V, LS =40nH ,T j =150o C

70

nS

t barra

Tempo di risalita

207

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

186

nS

t f

Tempo di caduta

106

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

7.70

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

2.89

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C=120A, Barra G=7.5Ω,

V GE =± 15V, LS =40nH ,T j =175o C

71

nS

t barra

Tempo di risalita

211

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

195

nS

t f

Tempo di caduta

139

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

7.80

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

2.98

mJ

ISC

Dati SC

t P≤6μs, V GE = 15V,

T j =150 o C,V CC =300V, V CEM ≤ 650 V

600

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =120A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =120A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

IF =120A,V GE =0V,T j =175o C

1.60

t r

Diodo inverso Tempo di Recupero

V Barra = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V LS =40nH ,T j =25o C

184

nS

Qbarra

Importo recuperato

1.65

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

17.2

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

0.23

mJ

t r

Diodo inverso Tempo di Recupero

V Barra = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V LS =40nH ,T j =150o C

221

nS

Qbarra

Importo recuperato

3.24

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

23.1

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

0.53

mJ

t r

Diodo inverso Tempo di Recupero

V Barra = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V LS =40nH ,T j =175o C

246

nS

Qbarra

Importo recuperato

3.98

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

26.8

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

0.64

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.168 0.369

C/W

Barra thJA

Giunzione-a-ambiente

40

C/W