DG120X07T2, IGBT discreto, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

650

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =135 o C

240

120

A

Io CM

Pulsato Collettore Corrente t p limitata di T jmax

360

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

893

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

650

V

Io F

Corrente continua in avanti del diodo @ T C = 25 o C @ T C = 80 o C

177

120

A

Io FM

Diodo Massimo In avanti Corrente t p limitata di T jmax

360

A

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-55 a +150

o C

T S

Temperatura di Saldatura,1.6mm f rom case for 10s

260

o C

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =120A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.40

1.85

V

Io C =120A,V GE = 15V, T j = 150 o C

1.70

Io C =120A,V GE = 15V, T j = 175 o C

1.75

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =1.92 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.1

5.8

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

250

uA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

200

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

/

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

14.1

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.42

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.86

uC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C =120A, R G =7.5Ω,

V GE =± 15V, L S = 40 nH ,T j = 25 o C

68

nS

t r

Tempo di risalita

201

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

166

nS

t f

Tempo di caduta

54

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

7.19

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

2.56

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C =120A, R G =7.5Ω,

V GE =± 15V, L S = 40 nH ,T j = 150 o C

70

nS

t r

Tempo di risalita

207

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

186

nS

t f

Tempo di caduta

106

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

7.70

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

2.89

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C =120A, R G =7.5Ω,

V GE =± 15V, L S = 40 nH ,T j = 175 o C

71

nS

t r

Tempo di risalita

211

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

195

nS

t f

Tempo di caduta

139

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

7.80

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

2.98

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =300V, V CEM ≤ 650 V

600

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =120A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.65

2.10

V

Io F =120A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.60

Io F =120A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.60

t r

Diodo inverso Tempo di Recupero

V R = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V L S = 40 nH ,T j = 25 o C

184

nS

Q r

Importo recuperato

1.65

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

17.2

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

0.23

mJ

t r

Diodo inverso Tempo di Recupero

V R = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V L S = 40 nH ,T j = 150 o C

221

nS

Q r

Importo recuperato

3.24

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

23.1

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

0.53

mJ

t r

Diodo inverso Tempo di Recupero

V R = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V L S = 40 nH ,T j = 175 o C

246

nS

Q r

Importo recuperato

3.98

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

26.8

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

0.64

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.168 0.369

C/W

R thJA

Giunzione-a-ambiente

40

C/W