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YMIF1500-33-I1-01 3300V 1500A Modulo IGBT ad Alta Tensione Griglia Intelligente CRRC Choppers Inverter/Convertitore Motori

Introduzione
Profilo dell'azienda
Beijing World E To Technology Co., Ltd. è una società basata sulla tecnologia con qualifiche di importazione e esportazione. Fondata sui principi di innovazione ed eccellenza, si colloca all'avanguardia delle soluzioni alternative e della tecnologia semiconduttore. Specializzata nella progettazione di prodotti semiconduttori, nel contratto di personalizzazione e distribuzione. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei partner di collaborazione, collaboriamo solo con aziende tecnologiche e produttori dotati di tecnologia di progettazione e produzione di prim'ordine. La personalizzazione dell'ottimizzazione delle linee di trasmissione automatica della fabbrica è un'altra parte importante del nostro contratto di produzione.
La nostra prodotti
1
Modulo IGBT e Guidatore
2
Modulo IGCT e Guidatore
3
Tavola di base dell'inverter
4
Modulo di diodo
5
Modulo di tirostori
6
Sensore di corrente
7
Capacitore
8
Resistenza
9
Relè a stato solido
10
Robot industriali e componenti principali
11
Velivoli non pilotati civili e componenti principali
Descrizione dei Prodotti

Caratteristiche

(1) Piastra di base AISiC
(2) Substrati AIN
(3) Alta capacità di ciclo termico
(4) Resistenza a corto circuito di 10μs

(5) Dispositivo con basso Vce(sat)
(6) Alta densità di corrente

Applicazioni tipiche

(1) Motori di trazione
(2) Controllori del motore
(3) Smart Grid
(4) Inverter ad alta affidabilità
YMIF1500-33-I1-01
3300V/1500A Singolo Interruttore IGBT
Parametri principali
Il simbolo
Descrizione
Valore
Unità
V CES
3300
V
V CE (sat)
Tipo.
2.40
V
Io C
Max.
1500
A
Io C ((RM)
IC ((RM)
3000
A


Valori di rating massimi assoluti
Il simbolo
Parametro
Condizioni di prova
Valore
Unità
V CES
Tensione tra collettore ed emittente
V GE = 0V, T C = 25 °C
3300
V
V GES
Tensione del portatore-emittente
T C = 25 °C
±20
V
Io C
Corrente tra collettore ed emittente
T C = 75°C
1500
A
Io C (((PK)
Corrente di picco del collettore
t P =1 ms
3000
A
P max
Dissipazione di potenza massima del transistor
Tvj= 150°C, TC= 25 °C
15600
W
Io 2t
Diodo I 2t
V R =0V, t P = 10ms, Tvj= 150 °C
720
kA 2s
Visol
Tensione di isolamento –per modulo
(terminali comuni alla piastra base),
AC RMS,1 min, 50Hz,T C = 25 °C
6000
V
Q PD
Scarica parziale–per modulo
IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50HzRMS
10
pC

Dati termici e meccanici
Il simbolo
Parametro
Condizioni di prova
Min.
Max.
Valore
Unità
R th(J-C) IGBT
Resistenza termica – IGBT
8
K / kW
R th(J-C) Diode
Resistenza termica – Diode
16
K / kW
R th(C-H) IGBT
Resistenza termica –
case a dissipatore (IGBT)
Coppia di montaggio 5Nm,
con grasso di montaggio 1W/m·°C
6
K / kW
T vj
Temperatura di funzionamento della giunzione
IGBT
-40
150
°C
Diodo
-40
150
°C
M
Coppia di vite
Montaggio –M6
5
nm
Connessioni elettriche –M4
2
nm
Connessioni elettriche –M8
10
nm
Caratteristiche Elettriche
Il simbolo
Parametro
Condizioni di prova
Min.
Tipo.
Max.
Unità
Io CES
Corrente di taglio del collettore
V GE = 0V,V CE = V CES
1
mA
V GE = 0V, V CE = V CES , T C =125 °C
90
mA
V GE = 0V, V CE = V CES , T C =150 °C
150
mA
Io GES
Corrente di perdita di portata
V GE = ±20V, V CE = 0V
1
μA
V GE (TH)
Tensione di soglia di ingresso
Io C = 40mA, V GE = V CE
5.0
6.1
7.0
V
V CE (sat)
Tensione di saturazione del collettore-emettitore
VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C
2.40
2.90
V
VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
2.95
3.40
V
VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C
3.10
3.60
V
Io F
Corrente di diodo in avanti
CC
1500
A
Io MF
Corrente di picco in avanti del diodo
t P = 1ms
3000
A
V F
Tensione di diodo in avanti
Io F = 250A, V GE = 0
2.10
2.60
V
Io F = 250A, V GE = 0, T vj = 125 °C
2.25
2.70
V
Io F = 250A, V GE = 0, T vj = 150 °C
2.25
2.70
V
Io SC
Corrente di cortocircuito
Tvj= 150°C, V CC = 1000V,
V GE ≤15V, tp≤10μs,
V CE(max) = V CES –L(*2)×di/dt,

IEC 6074-9
5800
A
- Cies
Capacità di ingresso
V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100kHz
260
nF
CdG
Importo della porta
±15
25
μC
Cres
Capacità di trasferimento inverso
V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100kHz
6.0
nF
L M
Induttanza del modulo
10
nH
R INT
Resistenza interna del transistor
110
T caso = 25°C a meno che non sia specificato diversamente
Il simbolo
Parametro
Condizioni di prova
Min
Tipizzazione
Max
Unità
t d ((off)
Tempo di ritardo di spegnimento
Io C = 2400A
V CE = 900V
L S ~ 50nH
V GE = ±15V
R G ((ON) = 0,5Ω
R G ((OFF) = 0,5Ω
2100
nS
E OFF
Perdite di energia di spegnimento
2400
mJ
t d (in)
Tempo di ritardo di accensione
750
nS
E ON
Perdita di energia all'accensione
1450
mJ
Q r
Carica di recupero inverso del diodo
Io F = 2400A
V CE = 900V
diF/dt =10000A/us
1150
μC
Io r
Corrente di recupero inverso del diodo
1250
A
E ricerca
Energia di recupero inverso del diodo
1550
mJ
T caso = 150°C a meno che non sia specificato diversamente
Il simbolo
Parametro
Condizioni di prova
Min
Tipizzazione
Max
Unità
t d ((off)
Tempo di ritardo di spegnimento
Io C = 2400A
V CE = 900V
L S ~ 50nH
V GE = ±15V
R G ((ON) = 0,5Ω
R G(OFF )= 0,5Ω
2290
nS
E OFF
Perdite di energia di spegnimento
3200
mJ
t d (in)
Tempo di ritardo di accensione
730
nS
E ON
Perdita di energia all'accensione
3200
mJ
Q r
Carica di recupero inverso del diodo
Io F = 2400A
V CE = 900V
diF/dt =10000A/us
1980
μC
Io r
Corrente di recupero inverso del diodo
1450
A
E ricerca
Energia di recupero inverso del diodo
2720
mJ
Perché sceglierci
1. distribuiamo solo prodotti di fabbricanti cinesi con tecnologia di prim'ordine. Questa è la nostra misura chiave.
2. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei produttori.
3. Siamo in grado di fornire ai clienti soluzioni alternative dalla Cina.
4. Abbiamo un team responsabile.
Confezione del prodotto

MQP:

2 pezzi

Aggiungi scatola in legno
In base alle richieste del cliente, è possibile aggiungere scatole in legno per la protezione.



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