TIM500GDM33-PSA011 Nuovo Originale CRRC Modulo di Potenza IGBT Transistor Semiconduttore Discreto Coperchi Invertitori/Convertitori Unità di Trazione

Profilo dell'azienda

Beijing World E To Technology Co., Ltd. è una società basata sulla tecnologia con qualifiche di importazione e esportazione, fondata sui principi di innovazione ed eccellenza, si trova all'avanguardia delle soluzioni alternative e della tecnologia semiconduttore, specializzata nella progettazione di prodotti semiconduttori, nel contratto di personalizzazione e distribuzione. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei partner di collaborazione, collaboriamo solo con aziende tecnologiche e produttori con tecnologia di progettazione e produzione di prim'ordine. La personalizzazione dell'ottimizzazione delle linee di trasmissione automatica in fabbrica è un'altra parte importante del nostro contratto di produzione.

La nostra prodotti

1	Modulo IGBT e Guidatore
2	Modulo IGCT e Guidatore
3	Tavola di base dell'inverter
4	Modulo di diodo
5	Modulo di tirostori
6	Sensore di corrente
7	Capacitore
8	Resistenza
9	Relè a stato solido
10	Robot industriali e componenti principali
11	Velivoli non pilotati civili e componenti principali

Descrizione dei Prodotti

Caratteristiche

(1) Piastra di base AISiC per alta capacità di ciclo potenza
(2) Substrati AIN per bassa resistenza termica
(3) Alta capacità di ciclo termico
(4) Alta densità di corrente

(5) Resistenza a corto circuito di 10μs
(6) Basso VCEsat

Applicazioni tipiche

(1) Motori di trazione
(2) Controllori del motore
(3) Sbattitori
(4) Invertitori/convertitori a media tensione

TIM500GDM33 -PSA011

YMIBD500-33

3300V/500A Moduli IGBT ad alta tensione

Parametri principali

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V _CES		3300	V
V _{CE (sat)}	Tipo.	2.4	V
Io _C	Max.	500	A
Io _CM	ICRM	1000	A

Valori di rating massimi assoluti

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V _CES	Tensione tra collettore ed emittente	3300	V
V _GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io _C	Corrente del collettore @ T _C=100℃	500	A
Io _CM	Corrente collettore impulsiva, tp=1ms, Tc=140°C	1000	A
P _{- Non}	Dissipazione totale di potenza, TC=25°C, per interruttore (IGBT)	5200	W
Io ²t	Diodo I ²t ,VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150°C	80	kA ²s
V _isolato	1min, f=50Hz	6000	V
t _psc	SOA di cortocircuito IGBT VCC=2500V,VCEMCHIP≤3300V VGE≤15V,Tvj≤125°C	10	μs
Io _F	Corrente continua in avanti	500	A
Io _MF	Corrente in avanti di picco ,tp=1ms	1000	A
Q _PD	Scarica parziale,V1= 3500V ,V2= 2600V, 50Hz RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	pC
Coppie di montaggio	M _SMontaggio – M6	5	Nm
		M _T1Collegamenti elettrici – M4		2
		M _T2Collegamenti elettrici – M8		8

Valori caratteristici dei diodi

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	tipizzazione	Max.	Valore		Unità
V _F	Voltaggio di avanzamento IF =500A	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	V		℃
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	V		℃
				Tvj = 150°C		2.25	2.7	V		℃
Io _r	Corrente di recupero inversa Io _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		420		A
				Tvj = 125 °C			460		A		V
				Tvj = 150 °C			490
Q _r	Importo recuperato Io _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		390		μC
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
E _ricerca	Energia di recupero inverso Io _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		480		mJ
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

Valori caratteristici IGBT

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
_{V _CEsat}	Tensione di saturazione collector-emitter. I _C=500A,V _GE=15V	Tvj= 25°C		2.40	2.90	V
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	V
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	V
Io _GES	Corrente di perdita di portata	V _CE=0V, V _GE=±20V, Tvj=25°C	-500		500	nA
V _{GE (TH)}	Tensione di soglia del portale-emittente	Io _C=40mA, V _CE=V _GE, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	V
Io _CES	Tensione di saturazione collector-emitter.V _CE=3300V,V _GE=0V	Tvj= 25°C			1	mA
				Tvj= 125°C			30	mA
				Tvj = 150 °C			50	mA
Io _SC	Corrente di cortocircuito	tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		A
Io _MF	Corrente di picco in avanti del diodo	t _P= 1ms		500		A
t _{d (in)}	Tempo di ritardo di accensione	Tvj = 25 °C		650		nS
				Tvj = 125 °C		630		nS
				Tvj = 150 °C		620		nS
t _{d ((off)}	Tempo di ritardo di spegnimento	Tvj = 25 °C		1720		nS
				Tvj = 125 °C		1860		nS
				Tvj = 150 °C		1920		nS
Io _SC	Corrente di cortocircuito	t _psc≤ 10μs, V _GE= 15V, T _vj= 150°C,V _CC= 2500V		1800		A
- Cies	Capacità di ingresso	V _CE=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		nF
CdG	Importo della porta	C=500A,V _CE=1800V,V _GE=-15V…15V		5.0		μC
Cres	Capacità di trasferimento inverso	V _CE=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		nF
E _oN	Energia di perdita di commutazione all'accensione Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	V _CC=1800V, I _C=500A, RG(ON)=3.0Ω RG(OFF)=4.5Ω,C _GE=100nF,V _GE=±15V L _δ=150nH		730		nH
							880		mJ
							930
E _oFF	Energia di perdita di commutazione allo spegnimento Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		mJ
							900
							1020

Perché sceglierci

1. distribuiamo solo prodotti di fabbricanti cinesi con tecnologia di prim'ordine. Questa è la nostra misura chiave.
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