Modulo Transistor IGBT TIM250PHM33-PSA011 per Choppers Inverter Nuovo e Originale Modulo Potenza IGBT CRRC

Profilo dell'azienda

Beijing World E To Technology Co., Ltd. è una società basata sulla tecnologia con qualifiche di importazione e esportazione. Fondata sui principi di innovazione ed eccellenza, si colloca all'avanguardia delle soluzioni alternative e della tecnologia semiconduttore. Specializzata nella progettazione di prodotti semiconduttori, nel contratto di personalizzazione e distribuzione. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei partner di collaborazione, collaboriamo solo con aziende tecnologiche e produttori dotati di tecnologia di progettazione e produzione di prim'ordine. La personalizzazione dell'ottimizzazione delle linee di trasmissione automatica della fabbrica è un'altra parte importante del nostro contratto di produzione.

La nostra prodotti

1	Modulo IGBT e Guidatore
2	Modulo IGCT e Guidatore
3	Modulo FRD
4	Modulo di diodo
5	Modulo di tirostori
6	Sensore di corrente
7	Capacitore
8	Resistenza
9	Relè a stato solido
10	Robot industriali e componenti principali
11	Velivoli non pilotati civili e componenti principali

Descrizione dei Prodotti

Caratteristiche

(1) Piastra di base AISiC
(2) Substrati AIN
(3)Alta Capacità di Ciclo Termico
(4) Resistenza a corto circuito di 10μs

Applicazioni tipiche

(1) Ausiliari di trazione
(2) Controllori del motore
(3) Sbattitori
(4) Inverter ad alta affidabilità

TIM250PHM33-PSA011

3300V/250A Metà Ponte IGBT

Parametri principali

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V _CES		3300	V
V _{CE (sat)}	Tipo.	2.5	V
Io _C	Max.	250	A
Io _{C ((RM)}	IC ((RM)	500	A

Valori di rating massimi assoluti

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V _CES	Tensione tra collettore ed emittente	3300	V
V _GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io _C	Corrente del collettore @ T _C=100℃	250	A
Io _{C (((PK)}	Corrente Collettore a Impulso t _p=1 ms	500	A
P _max	Dissipazione di potenza massima del transistor Tvj = 150 °C, TC = 25 °C	2600	W
Io ²t	Diodo I ²t V _R=0V, t _P= 10ms, Tvj = 150 °C	20	kA ²s
V _isolato	Tensione di isolamento per modulo (Terminali comuni collegati alla baseplate), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	W
Q _PD	Scarica parziale per modulo IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS	10	pC

Dati termici e meccanici

Il simbolo	Spiegazione	Valore	Unità
Distanza di creep	Terminale a dissipatore di calore	33.0	mm
Distanza di creep		Terminale a terminale	33.0	mm
Liquidazione	Terminale a dissipatore di calore	20.0	mm
Liquidazione		Terminale a terminale	20.0	mm
CTI (Indice di tracciamento comparativo)	Corrente in Avanti Massima del Diodo t _p=1 ms	＞600

Dati termici e meccanici

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Max.	Valore		Unità
R _{th(J-C) IGBT}	Resistenza termica – IGBT			48	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diode}	Resistenza termica – Diode			80	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Resistenza termica – case a dissipatore (IGBT)	Coppia di montaggio 5Nm, con grasso di montaggio 1W/m·°C		18	K / kW		℃

R _{th(C-H) Diode}	Resistenza termica – case a dissipatore (Diodo)	Coppia di montaggio 5Nm, con grasso di montaggio 1W/m·°C		36	K / kW		V
T _{vj op}	Temperatura di funzionamento della giunzione	IGBT	-40	150	°C
T _{vj op}	Temperatura di funzionamento della giunzione			Diodo	-40	150	°C
M	Coppia di vite	Montaggio –M6		5	nm
M			Connessioni elettriche – M5		4	nm

Caratteristiche Elettriche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
Io _CES	Corrente di taglio del collettore	V _GE= 0V,V _CE= V _CES			1	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=125 °C			15	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=150 °C			25	mA
Io _GES	Corrente di perdita di portata	V _GE= ±20V, V ^CE= 0V			1	μA
V _{GE (TH)}	Tensione di soglia di ingresso	Io _C= 20mA, V _GE= VCE	5.5	6.1	7.0	V
VCE _(sat)	Tensione di saturazione del collettore-emettitore	VGE = 15V, IC = 250A
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
Io _F	Corrente di diodo in avanti	CC		250		A
Io _MF	Corrente di picco in avanti del diodo	t _P= 1ms		500		A
V _F	Tensione di diodo in avanti	Io _F= 250A, V _GE= 0		2.10	2.40	V
				Io _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.25	V
				Io _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.25	V
Io _SC	Corrente di cortocircuito	T _vj= 150° C, V _CC= 2500V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max) = V _CES– L (*2)×di/dt, IEC 6074		900		A
- Cies	Capacità di ingresso	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		27		nF
CdG	Importo della porta	±15		2.6		V
Cres	Capacità di trasferimento inverso	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		0.9		nF
L _M	Induttanza del modulo			40		nH
R _INT	Resistenza interna del transistor			0.5		mΩ

Perché sceglierci

1. distribuiamo solo prodotti di fabbricanti cinesi con tecnologia di prim'ordine. Questa è la nostra misura chiave.
2. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei produttori.
3. Siamo in grado di fornire ai clienti soluzioni alternative dalla Cina.
4. Abbiamo un team responsabile.

Confezione del prodotto