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Modulo Transistor IGBT TG1400HF12H1-S300 per inverters, convertitori, drives Nuovo e Originale per Turbine Eoliche CRRC e Motori

Modulo Transistor IGBT TG1400HF12H1-S300 per inverters, convertitori, drives Nuovo e Originale per Turbine Eoliche CRRC e Motori

Introduzione

Profilo dell'azienda

Beijing World E To Technology Co., Ltd. è una società basata sulla tecnologia con qualifiche di importazione e esportazione. Fondata sui principi di innovazione ed eccellenza, si colloca all'avanguardia delle soluzioni alternative e della tecnologia semiconduttore. Specializzata nella progettazione di prodotti semiconduttori, nel contratto di personalizzazione e distribuzione. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei partner di collaborazione, collaboriamo solo con aziende tecnologiche e produttori dotati di tecnologia di progettazione e produzione di prim'ordine. La personalizzazione dell'ottimizzazione delle linee di trasmissione automatica della fabbrica è un'altra parte importante del nostro contratto di produzione.

La nostra prodotti

1	Modulo IGBT e Guidatore
2	Modulo IGCT e Guidatore
3	Tavola di base dell'inverter
4	Modulo di diodo
5	Modulo di tirostori
6	Sensore di corrente
7	Capacitore
8	Resistenza
9	Sistema di accumulo di energia
10	Robot industriali e componenti principali
11	Velivoli non pilotati civili e componenti principali

Descrizione dei Prodotti

Caratteristiche

(1) Piastra di base AISiC per alta capacità di ciclo potenza
(2) Cu Baseplate
(3) Alta capacità di ciclo termico
(4) Alta densità di corrente

(5) Resistenza a corto circuito di 10μs
(6) Basso VCEsat

Applicazioni tipiche

(1) Azionamenti per motori
(2) Convertitori ad alta potenza
(3) Turbine Eoliche
(4) Invertitore ad alta affidabilità

TG1400HF12H1-S300

1200V/1400A Metà Ponte IGBT

Parametri principali

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V _CES		1200	V
V _{CE (sat)}	Tipo.	1.80	V
Io _C	Max.	1400	A
IC ((RM)	Max.	2800	A

Valori Massimi Assoluti( Tcase = 25°C a meno che non indicato diversamente )

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V _CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V _GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io _C	Corrente del Collettore @ Tcase = 100 °C	1400	A
Io _{C (((PK)}	Corrente di picco del collector, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2800	A
P _max	Dissipazione massima di potenza del transistor, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	7500	W
Io ²t	Diodo I ²t ,V _R=0V, t _P= 10ms, T _vj= 150°C	172	kA ²s
V _isolato	(Terminali comuni alla piastra di base), AC RMS, 1 min, 50Hz	4000	V
Io _F	Corrente in avanti del diodo, CC	1000	A
Io _MF	Corrente massima in avanti della diodo, tp=1ms	2000	A
Coppie di montaggio	Montaggio – M5	6	Nm
	Montaggio – M5	6
		Collegamenti elettrici – M8		10

Caratteristiche Elettriche

Perché sceglierci

1. distribuiamo solo prodotti di fabbricanti cinesi con tecnologia di prim'ordine. Questa è la nostra misura chiave.
2. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei produttori.
3. Siamo in grado di fornire ai clienti soluzioni alternative dalla Cina.
4. Abbiamo un team responsabile.

Confezione del prodotto