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STARPOWER GD300HFX120C2S Nuovo e Originale Modulo IGBT STARPOWER Moduli Semiconduttori Discreti per Inverter UPS Transistor
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Introduzione
Profilo dell'azienda
Beijing World E To Technology Co., Ltd. è un'azienda tecnologica con qualifiche di importazione ed esportazione, fondata sui principi di innovazione ed eccellenza, si colloca all'avanguardia delle soluzioni alternative e della tecnologia dei semiconduttori. Specializzata nella progettazione di prodotti a semiconduttore, nel customization su contratto e nella distribuzione. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei partner di collaborazione, cooperiamo solo con aziende tecnologiche e produttori dotati di tecnologia di progettazione e produzione di primo livello. La customizzazione dell'ottimizzazione delle linee di trasmissione automatica in fabbrica è un'altra parte importante del nostro manufacturing su contratto.

La nostra prodotti
Elenco dei nostri prodotti:
1
Modulo IGBT e Guidatore
2
Modulo IGCT e Guidatore
3
Tavola di base dell'inverter
4
Modulo di diodo
5
Modulo di tirostori
6
Sensore di corrente
7
Capacitore
8
Resistenza
9
Sistema di accumulo di energia
10
Robot industriali e componenti principali
11
Velivoli non pilotati civili e componenti principali
Descrizione dei Prodotti
GD300HFX120C2S_
1200V/300A 2 in uno-stesso pacchetto

DESCRIZIONE GENERALE
Questo tipo di modulo di potenza fornisce una perdita di conduzione ultra bassa nonché robustezza a cortocircuito. Sono progettati per applicazioni come inverters generali e UPS.

Caratteristiche

(1) Tecnologia IGBT a trincea con basso VCE(sat)
(2) Capacità di cortocircuito di 10μs
(3) VCE(sat) con coefficiente di temperatura positivo
(4) Temperatura massima di giunzione di 175℃
(5) Involucro con bassa induttanza
(6) Recupero inverso rapido e morbido anti-parallelo FWD
(7) Base di rame isolata utilizzando tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

(1) Inverter per il trainamento motorio
(2) Amplificatore di guida servo AC e DC
(3) Fonte di alimentazione ininterrotta

Valori di rating massimi assoluti

T C =25℃ a meno che non diversamente indicato


IGBT
Il simbolo
Descrizione
Valore
Unità
V CES
Tensione tra collettore ed emittente
1200
V
V GES
Tensione del portatore-emittente
±20
V
Io C
corrente del Collettore @ T C =25℃
@ T C =100℃
451
450
A
Io CM
Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms
600
A
P P
Dissipation di potenza massima @ T j =175℃
1428
W

Diodo
Il simbolo
Descrizione
Valore
Unità
V RRM
Tensione inversa di picco ripetitiva
1200
V
Io F
Diodo di corrente continua in avanti
300
A
Io FM
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms
600
A

Modulo
Il simbolo
Descrizione
Valore
Unità
T jmax
Temperatura massima di giunzione
175
℃
T - Giappone
Temperatura di funzionamento della giunzione
-40 a +150
℃
T STG
Intervallo di temperatura di conservazione
-40 a +125
℃
V ISO
Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min
2500
V
Confezione del prodotto

MQP:

12 pezzi

Consegnato nell'imballaggio originale del produttore

Aggiungi scatola in legno

In base alle richieste del cliente, è possibile aggiungere scatole in legno per la protezione.
Perché sceglierci
1. distribuiamo solo prodotti di fabbricanti cinesi con tecnologia di prim'ordine. Questa è la nostra misura chiave.
2. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei produttori.
3. Siamo in grado di fornire ai clienti soluzioni alternative dalla Cina.
4. Abbiamo un team responsabile.

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