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GD650HFX170P1S Modulo Potenza Starpower Nuovo Originale Modulo Transistor IGBT UPS Inverter 1700V Rottura Componenti Elettronici

GD650HFX170P1S Modulo Potenza Starpower Nuovo Originale Modulo Transistor IGBT UPS Inverter 1700V Rottura Componenti Elettronici

Introduzione

Profilo dell'azienda

Beijing World E To Technology Co., Ltd. è una società basata sulla tecnologia con qualifiche di importazione e
esportazione, principalmente impegnata nella distribuzione di semiconduttori prodotti e personalizzazione su contratto prodotta in CINA.
Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei produttori. Per questo motivo, distribuiamo soltanto prodotti di fabbricanti cinesi con
tecnologia di prima classe.
La personalizzazione dell'ottimizzazione delle linee di trasmissione automatica in fabbrica è un'altra parte importante del nostro contratto
produzione.

I NOSTRI PRODOTTI

1	Modulo IGBT e Guidatore
2	Modulo IGCT e Guidatore
3	Modulo FRD
4	Modulo di diodo
5	Modulo di tirostori
6	Sensore di corrente
7	Capacitore
8	Resistenza
9	Relè a stato solido
10	Robot industriali e componenti principali
11	Velivoli non pilotati civili e componenti principali

Descrizione dei Prodotti

Caratteristiche

(1) Tecnologia IGBT a trincea con basso VCE(sat)
(2) Capacità di cortocircuito di 10μs
(3) VCE(sat) con coefficiente di temperatura positivo
(4) Temperatura massima di giunzione di 175℃
(5) Involucro con bassa induttanza
(6) Recupero inverso rapido e morbido anti-parallelo FWD
(7) Base di rame isolata utilizzando tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

(1) Convertitore ad alta potenza
(2) Energie Eolica e Solare
(3) Trazione Motrice

GD650HFX170P1S

1700V/650A 2 in un unico pacchetto

DESCRIZIONE GENERALE
Questo tipo di Modulo di Potenza IGBT fornisce ultra
bassa perdita di conduzione nonché robustezza in caso di cortocircuito.
Sono progettati per applicazioni come
energia eolica e solare.

Valori di rating massimi assoluti

T _C=25℃ a meno che non diversamente indicato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V _CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V _GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io _C	Corrente del collettore @ T _C=25℃ @ T _C=100℃	1073 650	A
Io _CM	Corrente Collettore a Impulso t _p=1 ms	1300	A
P _P	Dissipation di potenza massima @ T _j=175℃	4200	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V _RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1700	V
Io _F	Diodo di corrente continua in avanti	650	A
Io _FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t _p=1 ms	1300	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T _jmax	Temperatura massima di giunzione	175	℃
T _{- Giappone}	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	℃
T _STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	℃
V _ISO	Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min	4000	V

Perché sceglierci

1. distribuiamo solo prodotti di fabbricanti cinesi con tecnologia di prim'ordine. Questa è la nostra misura chiave.
2. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei produttori.
3. Siamo in grado di fornire ai clienti soluzioni alternative dalla Cina.
4. Abbiamo un team responsabile.

Confezione del prodotto