Modulo IGBT CRRC TG1000HF17H1-S300 1700V Inverters Converters Drives Originale Nuovo Turbini Eoliari Moduli Semiconduttori Discreti

Profilo dell'azienda

Beijing World E To Technology Co., Ltd. è una società basata sulla tecnologia con qualifiche di importazione e esportazione. Fondata sui principi di innovazione ed eccellenza, si colloca all'avanguardia delle soluzioni alternative e della tecnologia semiconduttore. Specializzata nella progettazione di prodotti semiconduttori, nel contratto di personalizzazione e distribuzione. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei partner di collaborazione, collaboriamo solo con aziende tecnologiche e produttori dotati di tecnologia di progettazione e produzione di prim'ordine. La personalizzazione dell'ottimizzazione delle linee di trasmissione automatica della fabbrica è un'altra parte importante del nostro contratto di produzione.

La nostra prodotti

1	Modulo IGBT e Guidatore
2	Modulo IGCT e Guidatore
3	Tavola di base dell'inverter
4	Modulo di diodo
5	Modulo di tirostori
6	Sensore di corrente
7	Capacitore
8	Resistenza
9	Sistema di accumulo di energia
10	Robot industriali e componenti principali
11	Velivoli non pilotati civili e componenti principali

Descrizione dei Prodotti

Caratteristiche

(1) Piastra di base AISiC per alta capacità di ciclo potenza
(2) Cu Baseplate
(3) Alta capacità di ciclo termico
(4) Alta densità di corrente

(5) Resistenza a corto circuito di 10μs
(6) Basso VCEsat

Applicazioni tipiche

(1) Azionamenti per motori
(2) Convertitori ad alta potenza
(3) Turbine Eoliche
(4) Invertitore ad alta affidabilità

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A Metà Ponte IGBT

Parametri principali

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V _CES		1200	V
V _{CE (sat)}	Tipo.	1.85	V
Io _C	Max.	1000	A
IC ((RM)	Max.	2000	A

Valori Massimi Assoluti( Tcase = 25°C a meno che non indicato diversamente )

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V _CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V _GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io _C	Corrente del collector @ Tcase = 90 °C	1000	A
Io _{C (((PK)}	Corrente di picco del collector, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	A
P _max	Dissipazione massima di potenza del transistor, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	W
Io ²t	Diodo I ²t ,V _R=0V, t _P= 10ms, T _vj= 150°C	144	kA ²s
V _isolato	(Terminali comuni alla piastra di base), AC RMS, 1 min, 50Hz	4000	V
Io _F	Corrente in avanti del diodo, CC	1000	A
Io _MF	Corrente massima in avanti della diodo, tp=1ms	2000	A
Coppie di montaggio	Montaggio – M5	6	Nm
	Montaggio – M5	6
		Collegamenti elettrici – M8		10

Caratteristiche Elettriche

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

tipizzazione

Max.

Valore

Unità

V _F

Tensione di diodo in avanti

Io _F=1000A, V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

V

Io _F=1000A, V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Io _F=1000A, V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Io _MF

Corrente di picco in avanti del diodo

t _P= 1ms

2000

A

Io _F

Corrente in avanti della diodo,

CC

1000

A

- Non lo so.

Diodo inverso
corrente di recupero

IF =1000A,
VCE = 900V,
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj= 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

A

620

655

Qrr

Diodo inverso
tassa di recupero

285

μC

315

340

E _ricerca

Energia di recupero inverso del diodo

IF =900A,
VCE = 600V,
- diF/dt = 6800A/us
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

mJ

235

240

Caratteristiche Elettriche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V _{CE (sat)}	Tensione di saturazione del collettore-emettitore	V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 25°C		1.75	2.15	V
				V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 125°C			2.1	2.5
				V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 150°C			2.2	2.6
Io _CES	Corrente di taglio del collettore	V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 25°C			1	mA
				V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 125°C				10
				V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 150°C				20
Io _GES	Corrente di perdita di portata	V _CE=0V, V _GE= ±20V,			4	μA
V _{GE (TH)}	Tensione di soglia del portale-emittente	Io _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
t _{d (in)}	Tempo di ritardo di accensione @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1,8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		nS
								1410
								1440
td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1,8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		nS
								470
								450
Io _SC	Corrente di cortocircuito	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
- Cies	Capacità di ingresso	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		147		nF
Cres	Capacità di trasferimento inverso	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		1.5		nF
CdG	Importo della porta	±15V		11.4		μC
E _oN	Perdita di energia all'accensione @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		340		mJ
								370
								385
E _oFF	Energia di perdita di commutazione allo spegnimento @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		350		mJ
								360
								385

Perché sceglierci

1. distribuiamo solo prodotti di fabbricanti cinesi con tecnologia di prim'ordine. Questa è la nostra misura chiave.
2. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei produttori.
3. Siamo in grado di fornire ai clienti soluzioni alternative dalla Cina.
4. Abbiamo un team responsabile.

Confezione del prodotto