CRRC 1700V 2400A Modulo IGBT ad Alta Tensione TIM2400ESM17-TSA000 Nuovo/Originale Modulo di Potenza Griglia Intelligente Coperchi Inverter Convertitore

Profilo dell'azienda

Beijing World E To Technology Co., Ltd. è una società basata sulla tecnologia con qualifiche di importazione e esportazione. Fondata sui principi di innovazione ed eccellenza, si colloca all'avanguardia delle soluzioni alternative e della tecnologia dei semiconduttori, specializzandosi nella progettazione di prodotti semiconduttore, nel contratto di personalizzazione e nella distribuzione. Abbiamo requisiti rigorosi nella scelta dei partner di collaborazione, ci associamo solo con aziende tecnologiche e produttori dotati di primaria tecnologia di progettazione e produzione. La personalizzazione dell'ottimizzazione delle linee di trasmissione automatica in fabbrica rappresenta un'altra parte importante del nostro contratto di produzione. .

La nostra prodotti

1	Modulo IGBT e Guidatore
2	Modulo IGCT e Guidatore
3	Tavola di base dell'inverter
4	Modulo di diodo
5	Modulo di tirostori
6	Sensore di corrente
7	Capacitore
8	Resistenza
9	Relè a stato solido
10	Robot industriali e componenti principali
11	Velivoli non pilotati civili e componenti principali

Descrizione dei Prodotti

Caratteristiche

(1) Piastra di base AISiC
(2) Substrati AIN
(3) Alta capacità di ciclo termico
(4) Resistenza a corto circuito di 10μs

(5) Dispositivo con basso Vce(sat)

(6) Alta densità di corrente

Applicazioni tipiche

(1) Motori di trazione
(2) Controllori del motore
(3) Smart Grid
(4) Inverter ad alta affidabilità

TIM2400ESM17-TSA000

YMIF2400-17(E)

1700V/2400A Singolo Interruttore IGBT

Parametri principali

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V _CES		1700	V
V _{CE (sat)}	Tipo.	1.75	V
Io _C	Max.	2400	A
Io _{C ((RM)}	IC ((RM)	4800	A

Valori di rating massimi assoluti

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Valore	Unità
V _CES	Tensione tra collettore ed emittente	V _GE= 0V, T _C= 25 °C	1700	V
V _GES	Tensione del portatore-emittente	T _C= 25 °C	±20	V
Io _C	Corrente tra collettore ed emittente	T _C= 75°C	2400	A
Io _{C (((PK)}	Corrente di picco del collettore	t _P=1 ms	4800	A
P _max	Dissipazione di potenza massima del transistor	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	19200	W
Io ²t	Diodo I ²t	V _R=0V, t _P= 10ms, Tvj= 150 °C	1170	kA ²s
Visol	Tensione di isolamento –per modulo	(terminali comuni alla piastra base), AC RMS,1 min, 50Hz,T _C= 25 °C	4000	V
Q _PD	Scarica parziale–per modulo	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50HzRMS	10	pC

Dati termici e meccanici

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Max.	Valore		Unità
R _{th(J-C) IGBT}	Resistenza termica – IGBT			6.5	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diode}	Resistenza termica – Diode			13	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Resistenza termica – case a dissipatore (IGBT)	Coppia di montaggio 5Nm, con grasso di montaggio 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	Temperatura di funzionamento della giunzione	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Temperatura di funzionamento della giunzione			Diodo	-40	150	°C
M	Coppia di vite	Montaggio –M6		5	nm
				Connessioni elettriche –M4		2	nm
				Connessioni elettriche –M8		10	nm

Caratteristiche Elettriche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
Io _CES	Corrente di taglio del collettore	V _GE= 0V,V _CE= V _CES			1	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=125 °C			40	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=150 °C			60	mA
Io _GES	Corrente di perdita di portata	V _GE= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V _{GE (TH)}	Tensione di soglia di ingresso	Io _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
V _{CE (sat)}	Tensione di saturazione del collettore-emettitore	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		1.75		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		1.95		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		2.05		V
Io _F	Corrente di diodo in avanti	CC		2400		A
Io _MF	Corrente di picco in avanti del diodo	t _P= 1ms		4800		A
V _F	Tensione di diodo in avanti	Io _F= 250A, V _GE= 0		1.65		V
				Io _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		1.75		V
				Io _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		1.75		V
Io _SC	Corrente di cortocircuito	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= V _CES–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		12000		A
- Cies	Capacità di ingresso	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		400		nF
CdG	Importo della porta	±15		19		μC
Cres	Capacità di trasferimento inverso	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		3.0		nF
L _M	Induttanza del modulo			10		nH
R _INT	Resistenza interna del transistor			110		mΩ

T caso = 25°C a meno che non sia specificato diversamente

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min

Tipizzazione

Max

Unità

t _{d ((off)}

Tempo di ritardo di spegnimento

Io _C= 2400A
V _CE= 900V
L _S~ 50nH
V _GE= ±15V
R _{G ((ON)}= 0,5Ω
R _{G ((OFF)}= 0,5Ω

2320

nS

E _OFF

Perdite di energia di spegnimento

500

mJ

t _{d (in)}

Tempo di ritardo di accensione

1050

nS

E _ON

Perdita di energia all'accensione

410

mJ

Q _r

Carica di recupero inverso del diodo

Io _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

480

μC

Io _r

Corrente di recupero inverso del diodo

1000

A

E _ricerca

Energia di recupero inverso del diodo

320

mJ

T caso = 150°C a meno che non sia specificato diversamente