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Breve introduzione
Tiristore/ Modulo di diodo , MTx 400 MFx 400 MT 400,400A ,Raffreddamento ad acqua ,prodotto da TECHSEM.
VRRM,VDRM |
Tipo e contorno |
|
600V |
MT2 sistema di controllo |
MFx400-06-405F3 |
800V |
MT2 sistema di controllo |
MFx400-08-405F3 |
1000V |
MT4 di cui all'articolo 4 |
MFx400-10-405F3 |
1200V |
MT2 di cui all'articolo 4 |
MFx400-12-405F3 |
1400V |
MT4 di cui all'articolo 4 |
MFx400-14-405F3 |
1600V |
MTx400-16-405F3 |
MFx400-16-405F3 |
1800V |
MT4 di cui all'articolo 4 |
MFx400-18-405F3 |
1800V |
MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT4205 - MT420 |
|
MTx significa qualsiasi tipo di MTC ,MTA ,MTK
MFx significa qualsiasi tipo di MFC ,MFA ,MFK
Caratteristiche
Applicazioni tipiche
Il simbolo |
Caratteristica |
Condizioni di prova |
Tj( ℃ ) |
Valore |
Unità |
||
Min |
TIPO |
Max |
|||||
IT(AV) |
Corrente media in stato di accensione |
180。mezza onda sinusoidale 50Hz Conducibile a raffreddamento a lato singolo, THS=55 ℃ |
125 |
|
|
400 |
A |
IT(RMS) |
Corrente di stato RMS |
|
|
628 |
A |
||
Idrm Irrm |
Corrente di picco ripetitiva |
a VDRM a VRRM |
125 |
|
|
35 |
mA |
ITSM |
Corrente di sovratensione in stato di accensione |
VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno |
125 |
|
|
12.5 |
kA |
I2t |
I2t per coordinazione fusibile |
125 |
|
|
781 |
103A2s |
|
VTO |
Voltaggio di soglia |
|
125 |
|
|
0.80 |
V |
rT |
Resistenza di pendenza in stato di accensione |
|
|
0.80 |
mΩ |
||
VTM |
Tensione di picco in stato di accensione |
ITM=1200A |
25 |
|
|
1.90 |
V |
dv/dt |
Tasso critico di aumento della tensione in stato di off |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento |
Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Corrente di attivazione del gate |
VA=12V, IA=1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Tensione di attivazione del gate |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
Corrente di mantenimento |
10 |
|
200 |
mA |
||
IL |
Corrente di aggancio |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
Tensione di gate non attivata |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a custodia |
Raffreddato da un lato per chip |
|
|
|
0.11 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistenza termica case a dissipatore |
Raffreddato da un lato per chip |
|
|
|
0.04 |
℃ /W |
VISO |
Tensione di isolamento |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
|
3000 |
|
|
V |
FM |
Torsione di connessione terminale ((M12) |
|
|
12 |
|
14 |
N·m |
Coppia di montaggio (M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N·m |
|
Tvj |
Temperatura di giunzione |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Peso |
|
|
|
1060 |
|
g |
Outline |
405F3 |
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