YMIF250-65, Modulo IGBT, Alta Tensione, Intertuttore Singolo IGBT, CRRC

Parametro

Il simbolo

Condizioni

min

max

Unità

Collettore-emittente tensione

V CES

V GE =0V,T vj ≥ 25°C

6500

V

Corrente di collettore DC

Io C

T C =80°C

250

A

Corrente di picco del collettore

Io CM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

Tensione del portatore-emittente

V GES

-20

20

V

Potenza totale dissipazione

P - Non

T C =25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

Corrente continua in avanti

Io F

250

A

Picco in avanti corrente

Io MF

tP=1 ms

500

A

Corto IGBT circuito SOA

t psc

V CC =4400V,V CEMCHIP ≤ 6500V V GE ≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μ s

Tensione di isolamento

V isolato

1min, f=50Hz

10200

V

Temperatura di giunzione

T vj

125

℃

Temperatura di giunzione operativa

T vj(op)

-50

125

℃

Temperatura della cassa

T C

-50

125

℃

Temperatura di conservazione

T sTG

-50

125

℃

Coppie di montaggio

MS

4

6

Nm

M T1

8

10

Parametro

Il simbolo

Condizioni

Min

tIPO

max

Unità

Collettore (- emettitore) tensione di rottura

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

Collettore-emittente saturazione tensione

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

Collettore corrente di interruzione

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj=125°C

50

mA

Porta corrente di fuga

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

nA

Limita di emissione della porta tensione

V GE (th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

Tempo di ritardo di accensione

t d (in)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=± 15V,

Ls=280nH,

感性负载 (in inglese)

Tvj = 25 °C

1

μ s

Tvj = 125 °C

0.94

Aumento tempo

tr

Tvj = 25 °C

0.76

Tvj = 125 °C

0.81

Tempo di ritardo di spegnimento

t d ((off)

Tvj = 25 °C

3.9

μ s

Tvj = 125 °C

4.2

Tempo di caduta

t f

Tvj = 25 °C

2.2

Tvj = 125 °C

2.8

Accendere il comando energia persa

EON

Tvj = 25 °C

3081

mJ

Tvj = 125 °C

3900

Sconto di accensione energia persa

E oFF

Tvj = 25 °C

2100

mJ

Tvj = 125 °C

1236

Corto corrente di circuito

Io SC

tpsc ≤ 10 μm s, V GE

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

Tvj = 125 °C

940

A